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151.
银辅助化学刻蚀半导体材料 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 相似文献
152.
多虑平类化合物在溶液体系中可能存在着构象交换过程,在其核磁共振图谱中出现的谱线展宽(包峰)或缺失现象增加了化合物结构解析的难度,甚至产生误导。该文以多虑平类化合物11-[(3-二甲基氨基)亚丙基]-6,11-二氢二苯并[b,e]氧杂-2-甲醛为样本,通过改变实验条件证明该化合物在几种溶液体系中均存在着构象交换。实验表明升温可以改善这类化合物的核磁共振测试效果,在80℃下获取的谱图信号清晰完整,信号展宽和缺失现象得到有效抑制。利用升温条件下获取的谱图,顺利实现了对11-[(3-二甲基氨基)亚丙基]-6,11-二氢二苯并[b,e]氧杂-2-甲醛的结构解析。 相似文献
153.
通过坩埚下降法生长出不同物质的量分数Eu2+掺杂的KCa1-xEuxCl3(x=0.005、0.01、0.02、0.03、0.05)单晶,并对晶体进行了X射线粉末衍射、热重、透过率、光致发光光谱、衰减时间、X射线激发发射光谱等测定。通过相图及结构分析,判断出该晶体为一致熔融化合物,并得出其为正交结构,晶胞参数为a=0.756 04 nm,b=1.048 23 nm,c=0.726 57 nm,空间群为Pnma(62)。在紫外光的激发下,晶体在434 nm左右有一个宽的发射峰,对应于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁;光致衰减时间1.473 μs,晶体在X射线激发下的发光强度随Eu2+离子浓度增加而增强。 相似文献
154.
夏学文 《数学的实践与认识》2007,37(24):70-73
用随机微分方程表示的Brown桥dxt=dBt+t-Xt Tdt在小波变换下的稠度,得到稠度的计算方法及小波展开. 相似文献
155.
156.
随机右截尾情形下位置—刻度模型中参数的估计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文证明了对于一般的位置——刻度模型F(x-μ/σ)来讲,当截尾分布1-G(y)已知时,位置参数和刻度参数基于随机右截尾数据的矩估计是强相合的和渐近正态的.当截尾分布1—G(y)未知时,所得的矩估计是弱相合的. 相似文献
157.
由武汉大学齐民友教授主编、湖北教育出版社组织编写的新课程标准下高中教学实验教科书(数学1—4)经教育部审定同意出版,为了帮助读者领会这套教材编写的基本理念、教材结构、例习题功能、问题的价值等,本刊组织编者对这套教材进行解读,从这期开始,连戴刊登。 相似文献
158.
Reflection Asymmetric Relativistic Mean Field Approach and Its Application to the Octupole Deformed Nucleus ^226Ra
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A reflection asymmetric relativistic mean field (RAS-RMF) approach is developed by expanding the equations of motion for both the nucleons and the mesons on the eigenfunctions of the two-centre harmonic-oscillator potential. The efficiency and reliability of the RAS-RMF approach are demonstrated in its application to the well-known octupole deformed nucleus 226Ra and the available data, including the binding energy and the deformation parameters, are well reproduced. 相似文献
159.
n_k-1,k=0,1,…,r-1;n_r=n,n为所有 f_k(t)(k=0,1,…,r)包含的总项数,n_k-m_k 1为f_k(t)包含的项数. 它的目标函数取对数形式的对偶规划D: 相似文献
160.