Influence of Intertube Additional Atoms on Sliding Behaviors of Double-Walled Carbon Nanotube

The effects of intertube additional atoms on the sliding behaviors of double-walled carbon nanotubes(DWCNTs) are investigated using molecular dynamics(MD) simulation method.The interaction between carbon atoms is modeled using the second-generation reactive empirical bond-order potential coupled with the Lennard-Jones potential.The simulations indicate that intertube additional atoms of DWCNT can significantly enhance the load transfer between neighboring tubes of DWCNT.The improvement in load transfer is guaranteed by the addition of intertube atoms which are covalently bonded to the inner and outer tubes of DWCNT.The results also show that the sliding behaviors of DWCNT are strongly dependent of additional atom numbers.The results presented here demonstrate that the superior mechanical properties of DWCNT can be realized by controlling intertube coupling.The general conclusions derived from this work may be of importance in devising high-performance CNT composites.     

银辅助化学刻蚀半导体材料

微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。     

D相AlCuCo准晶各向异性热电势的测量

采用激光交流加热的方法测量了D相AlCuCo准晶周期与准周期两个方向的热电势,温度测量区间为300—1200 K.通过测量发现沿周期方向的热电势符号为负,沿准周期方向的热电势符号为正;沿周期方向在1123 K（850 ℃）热电势有一个跳变;在高温区,热电势并不是单调变化的;实验所用方法能比较灵敏地测量材料相变时的温度点. 关键词： AlCuCo准晶 高温 热电势 交流测量法     

气相色谱-氮磷检测器分析痕量磷化氢

采用柱前两次冷阱富集和气相色谱 -氮磷检测器 (GC -NPD)法 ,测定了大气环境中存在的痕量磷化氢 ;在原有的冷阱富集装置中配置温度控制仪和夹套冷阱控温 ,可在线检测并控制磷化氢的富集温度 ,并可选择不同的温度范围将其与厌氧环境中普遍存在的甲烷气体分离 ;该法的检出限为1.25×10-2pg。     

基于微裂纹界面摩擦生热的点火模型

开展了基于微裂纹界面摩擦生热的细观点火模型研究,采用有限元方法对包含化学反应放热和摩擦生热的热传递方程进行了离散求解,计算模型中考虑了炸药颗粒熔化对升温过程的影响。着重分析了点火模型中主要参数(热点尺度、应变率和界面压力)对炸药点火的影响规律。数值研究表明,随着热点尺度的增大,热点的温度上升越快,越容易发生点火;应变率越大或者界面压力越高,热量积累越快,炸药越容易点火。     

a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池 J-V 曲线的 S-Shape 现象

通过异质结界面分析与 AMPS 模拟计算研究了 a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H 层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态 J-V 曲线出现 S-Shape 现象的物理过程,总结了 S-Shape 现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在 c-Si 界面附近聚集,能带重新分配,c-Si 耗尽区的电场减小,更多的电子从 c-Si 准中性区反转至 c-Si 界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态 J-V< 关键词： 模拟 异质结太阳电池 a-Si:H/c-Si 异质结     

Lowest-lying spin-1/2 and spin-3/2 baryon magnetic moments in chiral perturbation theory

We review some recent progress in our understanding of the lowest-lying spin-1/2 and spin-3/2 baryon magnetic moments （MMs） in terms of Chiral Perturbation Theory （ChPT）.In particular,we show that at next-to-leading-order ChPT can describe the MMs of the octet baryons quite well.We also make predictions for the decuplet MMs at the same chiral order.Among them,the MMs of the Δ＋＋ and Δ ＋ are found to agree well with data within the experimental uncertainties.     

镍基单晶高温合金γ/γ′（001）相界面上原子构型的分子动力学研究

用分子动力学方法研究了镍基单晶高温合金γ/γ′（001）相界面上三种各具特征的原子堆垛结构. 能量学计算发现，存在最优构型，动力学模拟显示不同构型的界面弛豫后，在相界面上都“成对”出现刃型错配位错. 相关计算表明体系能量、界面形成能及弛豫能都依赖于界面原子堆垛特征，而几何特征则具共性，即不同原子构型的界面具有同一的应力释放模式.     

2-(4-氯代苯甲酰基)苯甲酸配合物光致发光研究

以Eu3+,Tb3+为中心离子,2-(4-氯代苯甲酰基)苯甲酸(HCBBA)为第一配体,邻菲咯啉(Phen)、三苯基氧膦(TPPO)、二苯亚砜(DPSO)为第二配体,合成了多种铕铽的二元和三元配合物,并测试其荧光效能,以研究配体的加入对中心离子发光强度的影响。结果表明,合成的配合物均发出Eu(Ⅲ)和Tb(Ⅲ)的特征荧光,但相对强度明显不同。在铕与2-(4-氯代苯甲酰基)苯甲酸根(CBBA)形成的配合物体系中,Phen和DPSO显示了较强的敏化作用,且Phen敏化效果更强,而TPPO则对配合物荧光有猝灭作用。在Tb-CBBA体系中,DPSO表现出很强的敏化作用, Phen和TPPO却对配合物荧光起猝灭作用,且TPPO猝灭效果更强。经红外推测,羧酸根均以双齿桥式与Eu3+和Tb3+配位;在3 200～3 600 cm-1出现水的弱的羟基的伸缩振动吸收峰,表明配合物中含有结晶水。