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孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺的合成与表征 总被引:1,自引:1,他引:0
利用二正辛胺与丙烯酰氯非均相胺解法合成了孪尾疏水单体N,N-二正辛基丙烯酰胺,其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。考察了搅拌方式和反应时间对产率的影响,结果表明,搅拌越剧烈、反应时间越长产率越高。在0℃~10℃下,反应6 h,产率可达89.49%。 相似文献
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Magicity,or shell closure,plays an important role in our understanding of complex nuclear phenomena.In this work,we employ one of the state-of-the-art density functional theories,the deformed relativistic HartreeBogoliubov theory in continuum(DRHBc) with the density functional PC-PK1,to investigate the evolution of the N=20,28,50 shell closures in the 20 ≤Z ≤30 region.We show how these three conventional shell closures evolve from the proton drip line to the neutron drip line by studying the cha... 相似文献
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提出了一种利用电谐振器与磁谐振器集成于一体的单面左手介质结构设计方案, 该方案采用两个十字架型金属结构镜像并列放置在介质基板的同一侧形成一个左手单元, 并将其排列成周期结构. 软件仿真和优化提取了一系列有效电磁参数, 结果表明, 该结构在9.4–16 GHz的频率范围内等效介电常数和等效磁导率同时为负, 其相对带宽达到了52%, 并且单元电长度和损耗都小于同类型的结构. 对该结构进行了加工、制作并通过波导法测试再次证明了其优良左手特性的存在性. 为左手材料的广泛应用打下了基础. 相似文献
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银辅助化学刻蚀半导体材料 总被引:1,自引:0,他引:1
微电子器件的发展趋势是小型化和多功能化,这就对半导体材料的加工技术提出了更高的要求。与传统的加工技术相比,近年发展起来的贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体材料制备微结构技术因操作简单、不需要精密设备、反应迅速和可批量生产等优点引起了国内外学者的广泛关注。本文以Si为主,详细介绍了Ag辅助化学刻蚀半导体材料的机理、反应现象及影响因素,总结了各种微结构的制备技术及其应用。此外,对Ge,Si1-xGex和GaAs等其他半导体材料的贵金属粒子辅助化学刻蚀技术也进行了综述。同时分析了贵金属粒子辅助化学刻蚀半导体目前存在的问题,并对未来的研究方向进行了展望。 相似文献
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多虑平类化合物在溶液体系中可能存在着构象交换过程,在其核磁共振图谱中出现的谱线展宽(包峰)或缺失现象增加了化合物结构解析的难度,甚至产生误导。该文以多虑平类化合物11-[(3-二甲基氨基)亚丙基]-6,11-二氢二苯并[b,e]氧杂-2-甲醛为样本,通过改变实验条件证明该化合物在几种溶液体系中均存在着构象交换。实验表明升温可以改善这类化合物的核磁共振测试效果,在80℃下获取的谱图信号清晰完整,信号展宽和缺失现象得到有效抑制。利用升温条件下获取的谱图,顺利实现了对11-[(3-二甲基氨基)亚丙基]-6,11-二氢二苯并[b,e]氧杂-2-甲醛的结构解析。 相似文献
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通过坩埚下降法生长出不同物质的量分数Eu2+掺杂的KCa1-xEuxCl3(x=0.005、0.01、0.02、0.03、0.05)单晶,并对晶体进行了X射线粉末衍射、热重、透过率、光致发光光谱、衰减时间、X射线激发发射光谱等测定。通过相图及结构分析,判断出该晶体为一致熔融化合物,并得出其为正交结构,晶胞参数为a=0.756 04 nm,b=1.048 23 nm,c=0.726 57 nm,空间群为Pnma(62)。在紫外光的激发下,晶体在434 nm左右有一个宽的发射峰,对应于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁;光致衰减时间1.473 μs,晶体在X射线激发下的发光强度随Eu2+离子浓度增加而增强。 相似文献