AlGaN/GaN HEMTs with an Insulated Gate Fabricated by Inductively Coupled Plasma Oxidization

Novel AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） with an insulated gate have been demonstrated by oxidizing the surface of an AlGaN layer using inductively coupled O2 plasma. X-ray photoelectron spectroscopy measurement reveals that O2 plasma treatment can produce a thin oxidized layer on the AlGaN surface. The insulated-gate devices are realized by plasma oxidization before gate metallization. The reverse gate leakage current of the fabricated HEMT has been reduced in two orders of magnitude, and the cut-off frequency increases from 5.4 GHz to 6.5 GHz.     

轮胎接地反力分布的试验研究

本文介绍了橡胶轮胎与地面接触区域的接地反力分布情况，主要研究如何以试验的方法来测量动态作用下的三向接地反力，通过实测结果与理论分析的对比，证明了该测试方法的可行性．     

应变计式三维压力传感器的设计

设计并制作了一个三维压力传感器。通过用ANSYS计算，对传感器的尺寸，形状及贴片位置等参数进行优化设计，并通过试验对传感器的灵敏度。线性度等特性进行了分析。     

二十六种滥用药物的气相色谱及气相色谱－质谱系统分析方法的研究

 建立了二十六种滥用药物的分离和分析方法。利用气相色谱（ＧＣ）分离和质谱（ＭＳ）差谱技术，二十六种药物都得到有效地分离和检测。此法被证明对中毒者的生物样品进行滥用药物及其代谢物的检测和鉴定是重要的和有效的。     

贮存环境下炸药含水量及释放物研究

首先研究了室温下贮存一年的JOB-9003造型粉的释出气体，利用DB-5色谱柱检测出了乙酸、苯甲醛及TNT等物质。利用CP-porabond Q柱对JOB-9003造型粉和小药柱老化释出气体的研究则检测到了乙醇，丙酮，丙烯腈，乙酯，乙酸乙酯，苯，甲苯、2-氯代丙腈等物质。从检测结果可以看出，JOB-9003小药柱贮存后释出气体种类与造型粉类似，除了JOB-9003各组分生产及JOB-9003造粒过程中使用的溶剂，HMX合成时残留的乙酸，还检测到老化过程生成的2-氯代丙腈。     

Experimental study of mode characteristics for equilateral triangle semiconductor microcavities

Equilateral triangle semiconductor microcavities with tensile-strained InGaAsP multi-quantum-well as the active region are fabricated by the inductively coupled plasma (ICP) etching technique. The mode characteristics of the fabricated microcavities are investigated by photoluminescence, and enhanced peaks of the photoluminescence spectra corresponding to the fundamental transverse modes are observed for microcavities with side lengths of 5 and 10μm. The mode wavelength spacings measured experimentally coincide very well with those obtained by the theoretical formulae.     

A Novel Ni/Ag/Pt Ohmic Contact to P-Type GaN for Flip-Chip Light-Emitting Diodes

We present a high-quality Ni/Ag/Pt Ohmic contact to p-type GaN. After the sample is annealed at 500℃ in 02 ambient for 3min, a specific contact resistance as low as 2.6 × 10^-5 Ωcm^2 and an optical reflectivity of 82% at 460 nm are obtained. The Auger electron spectroscopy analysis shows that the Pt layer can improve the surface morphology and thermal reliability of the annealed Ag-based electrode, Ag plays a key role in achieving good ohmic contact due to the outdiffusion of Ga into Ag forming Ga vacancies which increase the hole concentration, while the surface contamination of p-type GaN is reduced by Ni.     

分子线伏-安特性第一性原理

发展了一套理论方法用于描述分子线的伏-安特性. 在该弹性散射Green函数方法中, 分子的电子结构和分子与金表面的相互作用能常数决定了分子线的伏-安曲线. 从第一性原理出发利用密度泛函理论计算了4, 4′-二巯基联苯分子的电子结构, 并利用了前线轨道理论和微扰理论定量地确定了该相互作用能常数. 研究结果表明当含有硫氢官能团的有机分子化学吸附于金表面时, 硫原子将与金原子形成以共价键为主的混合键, 此时扩展的分子轨道使分子线的电导呈现出欧姆特性. 而对于局域的分子轨道, 此时电子的输运只能通过隧道效应来实现. 对分子线伏-安特性的计算结果显示, 在零偏压附近, 存在一个电流禁区. 随着偏压的增加, 分子线的电导呈现出平台特征. 该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计.     

高In组分InxGa1－xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

研究了高In组分In_xGa_1-xN/GaN（x≈30%）多量子阱（MQWs）结构 发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光（EL）谱及反常的双峰现象.结果表明：有源区 内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽，这一效应在高In组分In_xGa_{1 -x}N/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位. 关键词： xGa_1-xN/GaN多量子阱')" href="#">In_xGa_1-xN/GaN多量子阱 电致荧光谱 内建电场     

多维微正则蒙特卡罗方法计算异氰酸S0→T1系间窜跃速率

推导了通用的坐标空间多维蒙特卡罗微正则非绝热速率计算公式,并应用于计算异氰酸基5（S0）到第一激发三态（T1）的系间窜跃（ISC）速率．在CCSD水平上构建了一,二,三维势能面用于蒙特卡罗抽样．计算所得S0→T1 ISC速率与实验符合较好,因此可以预期多维蒙特卡罗微正则非绝热速率理论将成为计算多原子分子非绝热反应速率的有效手段之一．