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51.
通过2-(4'-三氟乙酰苯基)-4-苯基喹啉(tfapqH)与三氯化铱反应生成了二氯桥中间体,然后用吡啶-2-甲酸(picH)解离得到双环金属铱配合物Ir(tfapq)2pic。Ir(tfapq)2pic在二氯甲烷中的发光波长为584 nm,量子产率约为0.846,磷光寿命为1.211 μs,比没有三氟乙酰修饰的铱配合物波长蓝移的10 nm,量子效率提高了约5%,磷光寿命降低了0.286 μs,辐射跃迁加快,半波宽度降低了约26%,色纯度提高。其HOMO能级为-5.405 eV,LUMO能级为-3.277 eV,能级相对于未修饰的配合物都有所降低,且HOMO降低更明显,总的效果是能级差增加。Ir(tfapq)2pic 10%的热失重温度为301 ℃,比未修饰铱配合高近50 ℃。当Ir(tfapq)2pic以2%质量浓度掺杂于PVK-PBD中做成电致发光器件时的效率最高,电致发光波长为594 nm。器件的启明电压为7.3 V,最大亮度为8 571 cd·m-2,最大外量子效率为12.65%,对应的流明效率为22.14 cd·A-1。色坐标是(0.58,0.40)。 相似文献
52.
本文用样条边界元法分析轴对称圆形基础板的非线性非光滑接触。除事先给出外力与地基表面位移的对应关系外,地基的模型、板的厚薄(Reissner/Kirchhoff型)和外荷载沿径向的分布均可是任意的。文中将地基反力看作板的外载,对变量沿径向采用不等距祥条插值,并用无地基效应的板基本解。算例表明本文方法只要用少量自由度,便可得到令人满意的结果。 相似文献
53.
54.
MOVPE生长GaN的表面反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。 相似文献
55.
56.
用高真空重量吸附、^29Si MASNMR、NH3-TPD、 Py-IR和正庚烷裂解等方法研究烯盐酸萃取REUSY样品后,对该沸石的孔和骨架结构、酸性和催化裂化功能的影响。吸附及^29SiMASNMR的测定结果表明,和然盐酸可以萃取出一部分填充在混石二次孔中的非骨架铝(EFA1)碎片。NH3-TPD和 Py-IR的试验结果表明,稀盐酸萃取后,该沸石强、弱酸中心的强度和数目均有所增加。正庚烷裂解反应的数据批出,REUSYEX的列解活性和 抗氮性能均较其母体REUSY为高。 相似文献
57.
58.
对二极管泵浦NdYAG板条双通放大器进行了理论设计和数值计算.在注入能量1 mJ,小信号增益为0.23 cm-1时理论计算结果为双通放大器输出能量为229.8 mJ.实验在10 Hz时获得单脉冲输出能量216 mJ;400 Hz时获得单脉冲输出能量203.4 mJ,光束质量因子小于5,激光脉宽为16.9 ns.实验结果与理论计算基本吻合.用相位共轭镜取代0°全反镜,超高斯镜取代振荡级输出镜,并采用镜面均匀的光学器件可以改善光束质量及光斑均匀性. 相似文献
59.
微处理机正在引起一场电子技术的生命。高速相机电控制系统的主要发展方向之一就是应用微处理机、使相机智能化。本文对微处理机在高速相机中应用的范围、基本结构提出了一些粗浅的看法;对高速相机采用微处理机的优点及问题进行了粗线条的分祈。 相似文献
60.