首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   702篇
  免费   84篇
  国内免费   243篇
化学   556篇
晶体学   5篇
力学   56篇
综合类   20篇
数学   135篇
物理学   257篇
  2023年   16篇
  2022年   22篇
  2021年   9篇
  2020年   6篇
  2019年   7篇
  2018年   16篇
  2017年   10篇
  2016年   13篇
  2015年   14篇
  2014年   21篇
  2013年   16篇
  2012年   29篇
  2011年   35篇
  2010年   37篇
  2009年   32篇
  2008年   29篇
  2007年   35篇
  2006年   51篇
  2005年   41篇
  2004年   49篇
  2003年   37篇
  2002年   20篇
  2001年   22篇
  2000年   17篇
  1999年   40篇
  1998年   22篇
  1997年   29篇
  1996年   28篇
  1995年   26篇
  1994年   37篇
  1993年   25篇
  1992年   24篇
  1991年   28篇
  1990年   20篇
  1989年   22篇
  1988年   21篇
  1987年   17篇
  1986年   15篇
  1985年   10篇
  1984年   11篇
  1983年   11篇
  1982年   7篇
  1980年   4篇
  1965年   5篇
  1964年   4篇
  1963年   3篇
  1962年   3篇
  1961年   4篇
  1958年   4篇
  1955年   4篇
排序方式: 共有1029条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenides, TMDs)因其显著的光学和电学特性而受到广泛的关注。其块状材料为间接带隙半导体,而单层材料则具有直接带隙半导体的特性。对于单层半导体材料,其拥有原子级别的厚度,容易引入外界环境掺杂,从而影响其发光特性。本文通过化学气相沉积法合成高质量,大面积的单层及少数层N-型二硫化钨(WS2)材料。使用拉曼进行表征,通过其特征声子振动模式所对应的频率差,来确定材料层数。在此基础上,对比了材料中心和边缘的光致发光(Photoluminescence, PL)。相比于中心位置,边缘位置的荧光强度更强,且峰位也发生红移。这是由于生长过程中造成的缺陷密度不同。基于此,使用掺杂剂对材料进行处理,来改变其缺陷密度。处理后发现,边缘和中心位置峰位均发生蓝移,强度减弱,同时中性激子发射占据了主导。该结果也进一步证实了本文生长的单层WS2为N-型半导体材料。  相似文献   
132.
以北美海蓬子种子为材料, 采用RACE技术获得北美海蓬子BADH基因的cDNA全长序列. 结果表明: BADH基因cDNA全长为1836bp, 其中开放阅读框(ORF)为1503bp, 编码500个氨基酸, 预测蛋白的分子量为54.5kDa, 理论等电点为5.31. 推测出BADH氨基酸中含有甜菜碱醛脱氢酶家族高度保守的十肽序列(VTLELGGKSP)及与酶功能相关的半胱氨酸残基(Cys). 序列比对和系统进化树显示, 北美海蓬子与盐节木和盐穗木的亲缘关系最近, 同源性达94%. 并构建了植物表达载体pCAMBIA3301-BADH, 将其成功导入到农杆菌EHA105中, 为进一步研究该基因的功能奠定了基础.  相似文献   
133.
The transmissions of oxygen ions through Al2O3 nanocapillaries each 50 nm in diameter and 10 μm in length at a series of different tilt angles are measured,where the ions with energies ranging from 10 to 60 keV and charge states from 1 up to 6 are involved.The angular distribution and the transmission yields of transported ions are investigated.Our results indicate both the existence of a guiding effect when ions pass through the capillary and a significant dependence of the ion transmission on the energy and the charge state of the ions.The guiding effects are observed to be enhanced at lower projectile energies and higher charge states.Meanwhile,the results also exhibit that the transmission yields increase as the tilt angle decreases at a given energy and charge state.  相似文献   
134.
用一维光子带隙结构增强硫化镉双光子吸收研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
用真空镀膜方法制备了含有单个CdS缺陷层的具有不同周期和结构参量的TiO2/SiO2一维光子晶体。用抽运一探测技术研究了CdS缺陷层的双光子吸收(TPA)现象。实验结果表明:一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收显著增强。不同周期和结构参量的一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收系数不同。双光子吸收的增强来源于由光局域化导致的缺陷层的电场强度的增加。缺陷层电场强度与一维光子晶体的结构有关,如周期,光子带隙的位置与宽度及缺陷模式等因素都会影响缺陷层电场强度。采用四分之一波长的高低折射率介质层和与入射波长匹配的缺陷模可以得到最大的缺陷层电场强度。  相似文献   
135.
基于luminolH2O2Co2+化学发光体系,设计了一种新的微流动注射芯片,准确测定了雨水中的H2O2含量。芯片由两块50mm×40mm×5mm的透明有机玻璃(PMMA)在实验室加工而成。由CO2激光雕刻机刻蚀出的微通道宽200μm,深150μm。方法的线性范围为0.05~2μmol/L;检出限为0.02μmol/L(S/N=3)。对0.6μmol/L的H2O2溶液平行测定9次,得方法的相对标准偏差(RSD)为4.6%。该方法已成功用于雨水中微量H2O2的测定。  相似文献   
136.
刘海生  刘伟  章竹君 《分析化学》2005,33(6):811-813
设计了一种将微注样阀和发光试剂均集成化的微流动注射化学发光芯片。利用luminolK3Fe(CN)6H2O2化学发光体系,研究了这种芯片的分析特性。该芯片测定H2O2的线性范围为2×10-5~8×10-9mol/L;检出限为3.6×10-9mol/L;相对标准偏差RSD=4.4%(c=1×10-6mol/L,n=11)。与常规的流动注射化学发光分析法相比,该芯片具有简单、快速、灵敏度高、耗样量少等特点,并结合酶促反应成功地用于人体血清中葡萄糖的测定。  相似文献   
137.
本文对底部加热的水平空气层的自然对流换热进行了可视化实验研究,采用实时全息干涉照相技术获得了温度场的激光干涉图及流场的烟可视化图象。实验结果表明,这种水平空气层自然对流换热是非稳态的,并且在空间上是三维的。  相似文献   
138.
高炉污泥旋流法颗粒分离的数值模拟   总被引:8,自引:2,他引:6  
本文采用一种简化的多流体多相流模型及雷诺应力湍流模型建立了水力旋流器内液固多相湍流流动的数学描 述,并对高炉污泥旋流分离进行了数值模拟,获得了水力旋流器内高炉污泥流动的流场及颗粒分级效率曲线,数值计算得 到的颗粒分级效率曲线与实验结果吻合很好。数值结果还表明,底流管直径较小的旋流器分离高炉污泥的效果较好。  相似文献   
139.
鲁米诺-铁氰化钾化学发光体系测定双嘧达莫   总被引:2,自引:0,他引:2  
在碱性条件下,铁氰化钾氧化鲁米诺产生化学发光,双嘧达莫对该体系的化学发光有显著的增强作用。基于此并结合流动注射技术建立了测定双嘧达莫的新方法。该方法检出限为5.7×10-11g mL(IUPAC),线性范围为1.0×10-10~5.0×10-8g mL,对5.0×10-9g mL双嘧达莫平行测定11次,其相对标准偏差为1.9%。  相似文献   
140.
巧用战略     
Peter  Steid  章海贤翻译 《珠算》2009,(8):30-31
当前的经济衰退正在迫使许多行业进行重大变革。在巨大变革不可预测的年代,企业需要有一个明确的战略重心。有些企业力保生存;有些企业则会努力寻找动荡年代可能带来的机会,并充分利用这些机会;还有少数企业则会利用这一变革时期,通过业务或营销创新,来进行企业创新。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号