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11.
后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。 相似文献
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14.
15.
本实验运用一阶导数差示脉冲极谱法对甲硝唑及其制剂进行了定量研究。在0.001mol/L氯化钾-0.001mol/L盐酸-水(1+0.2+48)的底液中,甲硝唑于-0.800V(vs Ag/AgCl)处出现一良好的一阶导数差示脉冲极谱峰,在50~300μg/mL范围内,药物浓度与其导数峰幅值呈线关系,检测限为8.0×10^-8mol/L。本法操作简便,快速,灵敏,结果准确。 相似文献
16.
ThecombinationofstrippingvoltammetrywithUPDcanleadtotheimprovementofsensitivity ,selectivi tyandreversibilityforelectroanalyticalpurposeandavoidtheuseoftoxicmercuryastheworkelectrode1andthenanalyticalapplicationshavebeendescribed .2 4 Inthiswork ,wedevelo… 相似文献
17.
18.
Reactions of SmI2 in THF with ArSSAr produced two binuclear samarium thiolate complexes [(THF)3I2- Sm(μ-SAr)]2 [Ar=Ph (1), 4-Me2NC6H4 (2)] in high yields. The structure of 2 was characterized by single crystal X-ray crystallography. The crystal of 2 belongs to the triclinic system with space group P 1 and a=0.95705(13) nm, b= 1.22287(14) nm, c= 1.26450(14) nm, a=64.194(11)°, B=78.491(13)°, y=76.176(12)°, V= 1.2860(3) nm^3, Z= 1,μ=4.783 mm^-1, Dc= 1.964 Mg/m^3, M= 1521.19, S= 1.046, R1=0.0358, wR2=0.0910. X-ray analysis revealed that 2 is a thiolate-bridged dimer in which each Sm atom adopts a distorted pentagonal bipyramidal coordi- nation geometry. 相似文献
19.
20.
The photofragmentation of CH_3I at 249 nm has been investigated by means of our crossed laser-molecular beam apparatus with rotatable supersonic beam source. The measured I~*/I yield ratio is about 4/1. The C—I bond dissociation energy obtained is 56±1 kcal mol~(-1). The vibrational energy distribution of CH_3 fragments has been roughly estimated. 相似文献