低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

对１─１００ｅｖ的低能位子轰击Ｓｉ（００１）－２×１表面进行了分子动力学模拟研究，利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明，１０ｅＶ，１００ｅＶ粒子的轰击，一方面增强了表面原子形成二聚体的能力，使表面二聚体成键数量增加；另一方面，也使表面原子的排列更趋无序。１ｅＶ的粒子对表面原子行为的影响不大，只是使表面原子的振动加剧。     

液态RbCl的态密度

给出了在分子动力学模拟基础上Fumi-Tosi势离子液体的正则模式分析方法,用Fumi-Tosi势(包括长程势)代替Lennard-Jones势,并且用等效Coulomb势处理长程Coulomb作用.讨论了Hessian矩阵元的计算方法和Hessian矩阵特征值的计算方法.计算实践表明，取用余误差函数形式的等效库仑势,可以合理地得到Hessian矩阵和态密度.液态RbCl中构型平均态密度的数值结果表明，液态RbCl的态密度表现出与Lennard-Jones液体的态密度相仿的特点.     

熔融Rb2ZnCl4的分子动力学模拟研究

采用在RbCl模拟和ZnCl₂模拟中选用的两体有效势，进行了晶态和熔融态Rb₂ZnCl₄的分子动力学模拟.模拟给出了Rb₂ZnCl₄ 6种径向分布函数，Zn-Cl和Rb-Cl间径向分布函数与新近的广延X射线吸收精细结构实验结果很好相符.在模拟产生的瞬态构型基础上进行了键序参数分析，研究了晶态和熔融态中的局部结构.模拟结果表明，Zn原子与其近邻Cl原子构成相当稳定的正四面体结构，并且熔融Rb_关键词：     

氟化钙的分子动力学模拟——晶态、超离子态、熔融态和急冷非晶态

采用键序参数方法研究了Ca~(2+)亚晶格和F~-亚晶格,表明两者均可用键取向正态分布模型描述。超离子相Ca~(2+)亚晶格稳定地维持其原fcc结构,而F~-亚晶格表现为原sc结构的随机畸变。熔融相的模拟给出了实验上难以分离的三种径向分布函数。急冷非晶相的模拟表明体系是以Ca~(2+)离子为中心的等效球的无规密堆,由于Ca(2+)与其邻近的F~-离子没有形成某种确定的构形,体系不够稳定。     

Si(001)表面层及近表面层原子行为的分子动力学模拟研究

用分子动力学方法模拟了Si(001)表面。提出利用二维偶对相关函数分析方法研究表面层和近表面层原于的行为。硅原子间的相互作用势采用含有两体和三体相互作用的Stilli-anger-Weber势。模拟温度为300K,模拟结果和二维偶对相关函数的分析表明:表面层的大部分原子发生成键,键长为0.24nm;近表面层的其它几层原子仍保持原平面晶格构型。另外,对表面层和近表面层原子的弛豫问题也进行了模拟研究。 关键词：     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

SnPb钎料合金的粘塑性Anand本构方程

采用统一型粘塑性本构 Anand方程描述了电子封装焊点 Sn Pb钎料合金的非弹性变形行为 ,基于 Sn Pb 合金的弹塑性蠕变本构方程和实验数据 ,确定了6 2 Sn36 Pb2 Ag、6 0 Sn40 Pb、96 .5 Sn3.5 Ag和 97.5 Pb2 .5 Sn四种钎料合金 Anand方程的材料参数 ,验证了粘塑性 Anand本构方程对 Sn Pb合金在恒应变速率和稳态塑性流动条件下应力应变行为的预测能力。结果表明 ,Anand方程能有效描述 Sn Pb钎料的粘塑性本构行为 ,并可应用于电子封装 Sn Pb焊点的可靠性模拟和失效分析     

熔体局部结构的分子动力学模拟研究

计算机技术的迅速发展使分子动力学模拟成为可能。这是一种直接方法用以更详细地了解液态的结构。文章介绍在分子动力学模拟产生的一系列平衡瞬态构型基础上的等近邻键序参数方法和使用这一方法对若干熔体局部结构的研究，包括若干碱金属卤化物熔盐，ＣａＦ２快离子态和熔融态，熔融态ＺｎＣｌ２和Ｒｂ２ＺｎＣｌ４，ＢＢＯ熔体和晶体生长母液等。     

无定形靶中离子注入的R,R_p,△R_p的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解: R=2/a[E1/2-A_1(arctg2E1/2-f/△+arctg f/△)+B1 1n(E1/2-f)~2/E-fE1/2+d·d/f~2] 其中A_1,B_1,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=F[A_2(μ)+B_2(μ)/μ1/2+C],和ω=R_p/△R_pR/R_p(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A_3(μ)μ1/2+B_3(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A_2(μ),B_2(μ),B_3(μ)和A_3(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对等关系式的物理意义作了讨论。 上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO_2等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。