消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面

Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很 关键词：     

集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱

大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途.为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子注入等方法将一定数量的特定杂质掺入半导体的一定部位,以控制半导体的导电类型和电阻率,再经金属蒸发等工艺,最终制成半导体器件.因此,研究杂质的性质和作用是很重要的.在半导体中,有两类性质和作用都绝然不同的杂质:一类杂质是在禁带中引入的能级与导带底或价带顶的能量差很小,远远小于禁带宽度,这类杂质称为浅杂质,它决定着半导体的导电类型与电阻率;另一类杂质在禁带中引入的能级与导带底及价带顶的能量差都…     

区熔硅中质子注入缺陷的EPR研究

在质子注入的n型区熔硅中,电子顺磁共振(EPR)测量观察到一个新的缺陷,命名为Si-PK5.该缺陷具有以〈111〉为对称轴的三角对称,其顺磁参数为S=1/2,g_∥=2.0078,g_⊥=2.0174.根据Lee和Corbett 以及Sieverts 提出的缺陷分类法,Si-PK5属键心间隙型结构.此外,还观察到两个文献已报道过的缺陷:Si-S1和Si-S2. 对Si-S2,首先看到由²⁹Si核引起的超精细分裂.