Synthesis and PL Properties of ZnSe Nanowires with Zincblende and Wurtzite Structures

Single crystalline ZnSe nanowires with both zincblende and wurtzite structures have been synthesized via a chemical vapour deposition method under different growth conditions. The nanowires are usually 50-80nm in diameter, and several tens of microns in length. Room-temperature photoluminescence spectra from zincblende and wurtzite ZnSe nanowires show a broad luminescence band peaked at around 2. 71 e V and a deep level emission band peaked at around 2.00 eV, respectively. Effects of post-growth annealing on the photoluminescence of these nanowires have been investigated. Strong room-temperature band-edge emission could be obtained from the annealed zincblende ZnSe nanowires.     

零偏退火与反偏退火对含氢的Au/n-Si肖特基势垒的控制

〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。在反偏退火以后，含氢的肖特基势垒的高度升高的数值不仅与退火时所应用的偏置电压有关，而且与退火温度也有关。     

RAMAN SCATTERING INTENSITIES OF FOLDED LONGITUDINAL ACOUSTIC PHONONS IN GexSi1-x/Si SUPERLATTICES

In terms of photoelastic mechanism we have investigated the Raman scattering intensities of the folded longitudinal acoustic (FLA) phonons in Ge_xSi_1-x/ Si superlattices (SLs), taking into account the differences between the acoustic and photoelastic parameters of the two constituents in the SLs. The relative intensities calculated for the FLA phonons are in excellent agreement with the experimental results at the frequencies up to about 50 cm^-1. The broadening of the linewidth arising from the so called strong acoustic attenuation, which was reported previously located around the frequency 15 cm^-1 in Ge_xSi_1-x/Si SLs(x≈0.5), has not been observed in this work.     

中子辐照高掺硅砷化镓的光致发光研究

研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃-500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照前的1/36。在退火温度超过250℃时,积分发光强度显著增长,当退火温度达400℃以上时,在带边峰的低能侧出现能量为1.35eV、1.30eV和1.26eV的发光峰。假设250℃退火阶段对应于较大的空位团分解为较小的空位团,400℃退火阶段对应于较小的空位团分解出VGa,可以较好地解释实验现象。     

硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究

用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数Ξ_u,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α_<110>=-3.2±0.6meV/kbar,α_<111>=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξ_u=9.2eV,α_<100>=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξ_u=11.4eV,α_<100>=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξ_u=9.2eV,这些系数分别为S_<100>=-1.3±0.8meV/kbar,S_<110>=0.7±0.6meV/kbar,S_<111>=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S_<100>=-3.5±0.8meV/kbar,S_<110>=0.0±0.6meV/kbar,S_<111>=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的三个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。 关键词：     

深能级电子(空穴)的热发射与振动熵

本文详细探讨了振动熵的改变量△S_a在深能级电子(空穴)热发射问题中的作用。导出了任意温度下△S_a的一般表示式。针对△S_a=0△S_a=P△S_cv两种重要情况,指出了由热发射率和俘获截面求得的热发射激活能的物理意义和求深能级有关参量的方法。用本理论分析了硅中金受主能级电子与空穴的热发射,由于它发射空穴时△S_a≌0,就焓的改变量而言,金受主能级钉扎在价带上。     

GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究

我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。     

集成电路中的物理问题讲座第四讲 半导体中深能级杂质缺陷与深能级瞬态谱

大家知道,不含杂质的纯半导体几乎没有什么直接的用途．为了制造半导体器件,人们总是先将半导体材料尽可能地提纯,然后用扩散、离子注入等方法将一定数量的特定杂质掺入半导体的一定部位,以控制半导体的导电类型和电阻率,再经金属蒸发等工艺,最终制成半导体器件．因此,研究杂质的性质和作用是很重要的．在半导体中,有两类性质和作用都绝然不同的杂质：一类杂质是在禁带中引入的能级与导带底或价带顶的能量差很小,远远?...     

消除载流子分布的不均匀性的影响准确测量深中心俘获载流子的截面

Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很 关键词：     

磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er~(3 ) 1.54μm光致发光

用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er3 和氧化硅中某种缺陷 .系统研究了Er3 1.5 4μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系 .还发现 1.5 4μm发光峰强度与 1.38μm发光峰强度相互关联 ,对此进行了讨论