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221.
在利用超强激光驱动中子源的研究和应用研究中,中子源的产额及其角分布至关重要.我们在星光Ⅲ号激光装置上采用气泡探测器对强激光驱动的中子源的产额及其角分布进行了测量.利用超强皮秒激光与碳氘薄膜靶相互作用产生高能氘离子束撞击次级碳氘靶,通过氘-氘核反应产生准单能快中子.实验发现中子束的发射具有一定的方向性,在入射氘离子的传输方向上中子束具有更高的强度,测量得到的中子束最大强度为5.13×107 n/sr.利用实验测量的氘离子能谱和角分布对中子束角分布进行了理论计算,结果与实验测量基本一致.  相似文献   
222.
为了研究前向快电子束的发散问题,采用飞秒激光辐照平面铜靶,以电子角分布仪和氟化锂(LiF)热释光探测器探测快电子的前向发散角。实验显示前向快电子束发散角均在95°(半高宽FWHM)以上。理论计算指出预等离子体中电子的初速度以及加速后的电子在靶内碰撞效应均不是产生大发散角的重要原因。根据激光-等离子体相互作用理论,等离子体中的电磁场才是导致前向快电子束产生较大发散角的主要原因。这个研究为获取较小发散角的前向快电子束提供了实验设置的依据。  相似文献   
223.
在100TW掺钛蓝宝石飞秒激光器上利用光学CCD相机和光学多道分析仪,分别在靶背法线方向测量了超热电子光辐射的空间分布和光谱.测量结果显示:光辐射空间分布图案呈圆环状,而辐射区域有发散角和光强分布,且包含多种辐射成分.光辐射光谱在800nm附近出现尖峰,是激光的基频(ω0)波,这一现象归因于超热电子束在输运的过程中产生的微束团而引起的相干渡越辐射(CTR).随着激光能量的增加,CTR光谱峰向红光方向移动,基频波红移的主要原因是由于等离子体临界面的迅速膨胀.如果考虑超热电 关键词: 超热电子 光辐射 共振吸收 红移  相似文献   
224.
High-quality type-Ⅱa gem diamond crystals are successfully synthesized in a NiToMn25Co5-C system by temperature gradient method (TGM) at about 5.5 GPa and 1560 K. Al and Ti/Cu are used as nitrogen getters respectively. While nitrogen getter Al or Ti/Cu is added into the synthesis system, some inclusions and caves tend to be introduced into the crystals. When Al is added into the solvent alloy, we would hardly gain high-quality type-Ⅱa diamond crystals with nitrogen concentration Nc 〈 1 ppm because of the reversible reaction of Al and N at high pressure and high temperature (HPHT). Piowever, when Ti/Cu is added into the solvent alloy, high-quality type-Ⅱa diamond crystals with Nc 〈 1 ppm can be grown by decreasing the growth rate of diamonds.  相似文献   
225.
226.
根据中学教学数学大纲(草案)的规定,在初中二年级第一学期应该讲最简单的方程(按即指一元一次方程),兹对此提出两点说明供教师们参考.1.教学大纲(草案)的代数部分说明中指出:“要在学生已知的算术运算性质的基础上来作解方程演算(按即解方程)”.又在大纲(草案)的单元纲目中指出:“根据算术四则运算的定义与性质解最简单的方程,……”.所谓算术四则的定义,即加法定  相似文献   
227.
 在20TW激光器上进行了超短超强激光与金属Cu膜靶的相互作用实验,当靶厚度不同时,采用CR39核径迹探测器测量了质子发射的空间分布和产额;使用Thomson磁谱仪测量了靶背法线方向质子束的能量分布。测量结果表明:质子产额为10 5~10 6每发;质子束沿靶背法线方向发射,与入射激光方向无关,并且存在较小的发射立体角,在一定能量处出现截止,截止能量的大小与靶厚度有关。  相似文献   
228.
利用渡越辐射研究超热电子在固体靶中的输运过程   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
为了探索超热电子的输运过程,在100 TW掺钛蓝宝石飞秒激光器上利用光学CCD相机和OMA光学多道分析仪,分别在靶背表面法线方向测量了光发射空间分布图案和光谱. 实验测量结果显示,光发射空间分布图案呈圆盘状,在圆盘中明亮而强的光信号呈局部化分布,该现象表明,超热电子在输运的过程中存在成丝效应,引起严重的不稳定性;光发射光谱在3倍频和3/2倍频附近出现尖峰,分别是3次谐波和3/2次谐波,这一现象归因于超热电子束在传输的过程中产生的微束团而引起的相干渡越辐射(CTR);光发射光强随靶厚度的增加而减小. 关键词: 超热电子 相干渡越辐射 输运 不稳定性  相似文献   
229.
The growth rate of diamond has been investigated for a long time and researchers have been attempting to enhance the growth rate of high-quality gem diamond infinitely. However, it has been found according to previous research results that the quality of diamond is debased with the increase of growth rate. Thus, under specific conditions, the growth rate of high-quality diamond cannot exceed a limited value that is called the limited growth rate of diamond. We synthesize a series of type Ib gem diamonds by temperature gradient method under high pressure and high temperature (HPHT) using the as-grown {100} face. The dependence of limited growth rate on growth conditions is studied. The results show that the limited growth rate increases when synthetic temperature decreases, also when growth time is prolonged.  相似文献   
230.
随着工业技术的飞速发展,大量有机污染物被应用于生活的各个领域,由此带来了严重的环境问题。众所周知,半导体光催化技术是一种有效且环境友好的降解去除典型污染物的方法,而光催化剂在该技术的应用中起着关键作用。因此,在光催化污染物降解领域,人们已经尝试研究了各种半导体材料。其中石墨相氮化碳(g-C3N4)是近年来公认的“明星”材料之一。因其独特的二维层状结构和良好的可见光响应而引起了人们的极大兴趣。由于带隙较窄(~2.7 eV)、能带结构可调以及良好的物理化学稳定性,g-C3N4对太阳光谱的吸收可达450 nm,具有一定的可见光光催化性能。然而,g-C3N4在去除抗生素和染料方面的降解效率仍然存在不足,例如光生电荷的快速复合以及空穴的氧化能力弱等。为了优化这种有前景的光催化材料,人们尝试了多种方法来改善g-C3N4的电子能带结构,例如金属/非金属元素掺杂、形貌调控和官能团修饰等。最近,人们提出了由两种N型半导体光催化剂组成的梯形异质结理念,它可以利用半导体材料更正的价带和更负的导带。相关结果表明,构筑梯形异质结是提高g-C3N4光催化活性的最有效方法之一。因此,本文通过简单的原位溶剂热生长法制备了新型0D/2D Bi4V2O11/g-C3N4梯形异质结光催化剂。Bi4V2O11/g-C3N4复合材料对去除土霉素(OTC)和活性红染料展示出了优异的光催化活性。尤其是BVCN-50复合材料对OTC和活性红的降解效率高达74.1%和84.2%,该过程的主要活性物种为·O2-。大幅增强的光催化性能归因于Bi4V2O11和g-C3N4之间形成的梯形异质结保持了光催化体系的强氧化还原能力(Bi4V2O11的强氧化能力和g-C3N4的强还原能力),并促进了光生电荷的空间分离。此外,金属Bi0的表面等离子共振效应可以拓宽异质结系统的光吸收范围。此外,基于高效液相色谱-质谱联用(LC-MS)分析,我们研究了OTC降解过程中可能的中间体和降解路径。这项工作为设计和制备g-C3N4基梯形异质结用于抗生素和活性染料降解提供了一种新的策略。  相似文献   
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