基于泊位偏好与岸桥干扰的泊位和岸桥分配

泊位和岸桥是集装箱港口资源中最紧缺的资源,合理的泊位分配和岸桥调度可以提高集装箱港口的资源利用率和港口的运作效率和效益。针对泊位偏离和岸桥工作损失两个因素,文章建立了集装箱港口泊位和岸桥的混合整数线性规划模型;运用采集自宁波某典型集装箱港口的数据,用Gurobi优化软件和两阶段启发式算法对模型进行了求解;对计算结果进行了经济性分析。计算结果表明:该港口的岸线资源利用率为46%时,1000m~1600m基本没被利用;18台岸桥要比16台岸桥的目标值更优,求解时间更短,而且18台岸桥的平均利用率为80%,为此,建议该港口再增加两台岸桥。同时发现:随着船舶规模的增加,Gurobi优化求解的时间增长较快,而两阶段启发式算法仍能在很短时间内求得准优解。     

有机添加剂对水热合成CoAl2O4色料的影响

以CoCl2·6H2O和AlCl3为起始原料、NaOH为沉淀剂、7种有机物为添加剂,用水热法合成了CoAl2O4色料.主要研究了有机物的种类与加入量对合成产物物相组成、微观形貌、色度值的影响.结果表明,添加乙二醇和十二烷基苯磺酸钠不能得到纯相CoAl2O4;三乙醇胺和丙三醇能控制合成产物的形貌,并不受保温时间延长的影响,且呈色优于未添加者,其较好添加量为12;;加入三乙醇胺的样品呈色更好,能得到100 nm以下的球形颗粒,加入丙三醇则得到粒径为50～70 nm的类四边形或八面体形颗粒.     

Thermal effect on endurance performance of 3-dimensional RRAM crossbar array

Three-dimensional(3D) crossbar array architecture is one of the leading candidates for future ultra-high density nonvolatile memory applications. To realize the technological potential, understanding the reliability mechanisms of the3 D RRAM array has become a field of intense research. In this work, the endurance performance of the 3D 1D1 R crossbar array under the thermal effect is investigated in terms of numerical simulation. It is revealed that the endurance performance of the 3D 1D1 R array would be seriously deteriorated under thermal effects as the feature size scales down to a relatively small value. A possible method to alleviate the thermal effects is provided and verified by numerical simulation.     

O2/(O2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol; V2O5薄膜缺陷类型的影响

利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol; V2O5(ZnO∶V)薄膜,研究了O2/(O2+Ar)流量比(0;~87.5;)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响.研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中.ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(VO)和间隙锌(Zni)杂化形成的复合体,两者比例随O2/(O2+Ar)流量比而变化.     

微纳加工技术在微纳电子器件领域的应用

微纳加工技术推动着集成电路不断缩小器件尺寸和提高集成度，光学光刻技术依然是目前的主流微纳加工技术，同时有多种替代技术如电子束直写、极紫外光刻和投影电子束技术，文章介绍了自上而下的微纳加工技术的进展及其在微纳器件研制的重要作用。     

平面磁控溅射靶及其镀膜方法

研究合金薄膜材料,往往要求镀制一系列不同成分的合金膜. 本专利涉及一种可以连续调节合金膜成分的新型平面磁控溅射靶及其镀膜方法. 该靶对所镀膜层成分的调节是基于一种新的设计思想.这就是将平面磁控靶的跑道磁场分为左、右两个区段(见图1),并采用左、右两个电磁铁调节左、右区段的靶面磁场’使其相等或形成不同程度的强弱对比.当左、右区段分别安装A,B两种不同的纯金属靶材时(见图2),通过调节左、右电磁铁的励磁电流,即可获得不同成分的AB合金膜. 图3是这种新型平面磁控靶的结构示意图. 由于铁磁材料对磁场有屏蔽效应,当所采用的靶材…     

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y系统的超导电性和磁化反常

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y 氧化物超导体中存在100K 和120K 两个超导相.测量电流为10mA 时,零电阻超导 T_c 为119K.DC 磁化结果表明:在77K 时不可逆场约为2200O_e,冻结磁通密度11.6G,样品是弱钉扎Ⅱ类超导体.Meissner 效应测量结果表明:Meissner 信号的61%是120K 相的贡献,39%是100K 相的贡献.超导体积的上限和下限的比较,不同磁场和测量电流的 R(T)超导转变以及磁化反常表明:我们的样品中存在着大量的弱连接超导电性,并构成邻近效应超导体,研究了它的日 H_(c2)(T).并由邻近效应超导体的磁化曲线演算出它的超导参量.     

多服务台非强占优先排队系统的弱收敛定理

多服务台非强占优先排队系统的弱收敛定理汪荣鑫，龙卫江（西安交通大学数学系，西安７１００４９）ＷＥＡＫＣＯＮＶＥＲＧＥＮＣＥＴＨＥＯＲＥＭＳＦＯＲＭＵＬＴＩＳＥＲＶＥＲＱＵＥＵＥＩＮＧＳＹＳＴＥＭＩＮＮＯＮＰＲＥＥＭＰＴＩＶＥＰＲＩＯＲＩＴＹＤＩＳＣＩ...     

关于Duphantus方程(a~lx~m+c)/(abx+d)=by~2的解

对于Ｄｕｐｈａｎｔｕｓ方程本文用Ｐｅｌｌ方程得到方程中当，以及；时各种情形的全部解。     

Nd∶LiTaO_3背散射组态下的喇曼光谱异常

本文研究了掺钕钽酸锂晶体背散射几何组态下的喇曼光谱，与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比，发现喇曼谱中不仅有Ｅ（ＬＯ＋ＴＯ）模向Ａ１（ＴＯ）模的转变，而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化，本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨．