首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   921篇
  免费   216篇
  国内免费   334篇
化学   592篇
晶体学   14篇
力学   78篇
综合类   24篇
数学   221篇
物理学   542篇
  2024年   6篇
  2023年   24篇
  2022年   30篇
  2021年   33篇
  2020年   21篇
  2019年   34篇
  2018年   36篇
  2017年   21篇
  2016年   48篇
  2015年   27篇
  2014年   66篇
  2013年   45篇
  2012年   71篇
  2011年   50篇
  2010年   64篇
  2009年   51篇
  2008年   48篇
  2007年   49篇
  2006年   60篇
  2005年   57篇
  2004年   63篇
  2003年   49篇
  2002年   36篇
  2001年   32篇
  2000年   28篇
  1999年   40篇
  1998年   28篇
  1997年   41篇
  1996年   40篇
  1995年   32篇
  1994年   30篇
  1993年   33篇
  1992年   27篇
  1991年   25篇
  1990年   29篇
  1989年   20篇
  1988年   11篇
  1987年   11篇
  1986年   9篇
  1985年   7篇
  1984年   7篇
  1983年   6篇
  1982年   5篇
  1981年   5篇
  1980年   5篇
  1965年   3篇
  1962年   1篇
  1961年   1篇
  1960年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有1471条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
“神龙一号”注入器研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
“神龙一号”注入器是直线感应加速器的束流源,它采用了感应叠加的高压加载方式,包括脉冲功率系统、感应腔、阴阳极杆、绝缘支撑、二极管和束流传输系统等子系统. 在研制中采用了径向绝缘支撑、对中支撑调节系统、类Pierce阴极等先进技术,以及二极管线圈内置和外径为800mm的铁氧体大环等创新. 参数测试显示,3.5MeV注入器达到了世界先进水平.  相似文献   
82.
SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.  相似文献   
83.
将门控分幅相机与快闪烁晶体结合,构成时间分辨X射线诊断系统,对神龙一号直线感应加速器产生的高能脉冲X射线源焦斑进行了测量,在时间间隔为10 ns的情况下,获得了焦斑尺寸随时间的变化曲线。在此基础上,设计了单像素尺寸为0.78 mm×0.78 mm的LYSO闪烁晶体阵列,并进行了X射线照射晶体阵列发光的初步实验,结果表明该阵列可用于高能X射线源焦斑的时间分辨诊断,并能显著提高成像的空间分辨力。  相似文献   
84.
在物理教学中通过创设恰当的问题情境,诱导学生产生疑问,发现问题并提出问题,可使学生产生强烈的探究的欲望.接下来物理教学就是通过引导学生去探究,经历解决问题的过程,从而使学生理解掌握相关知识,提高学生解决问题的能力,培养学生的创新思维.本文根据笔者多年的教学体会,着重从物理问题的解决过程去讨论学生创新思维的培养.  相似文献   
85.
在半离散格式下研究一类带幂次非线性项的Schr(o)dinger方程的非协调矩形EQrot1元方法.直接利用插值技巧和该单元的两个特殊性质(相容误差比插值误差高一阶及其插值算子与传统的Ritz投影是一致的),给出相应的收敛性分析及误差估计.  相似文献   
86.
The rare isotope ^236U has a half-life of 2.342(3)×107 years, and is produced principally by thermal neutron capture on ^235U. The isotopic atom ratio of ^236U/^238U depends on the integral thermal neutron flux received by the material of interest. ^236U is potentially useful as a "fingerprint" for indicating the presence of neutron-irradiated uranium usually originating from nuclear activity. By extracting negative molecular ion UO^- from the uranium oxide target, simulating the ^236U^16O^- beam transport with ^238U^16O^- and ^208Pb2^16O^- pilot molecular ion beam, transporting the ^236U-containing ion beam with a high resolution injection magnet analyzer and electrostatic analyzer system, and finally identifying and detecting ^236U with a time-of-flight detector (TOF), a method for AMS (Accelerator Mass Spectrometry) measurement of ^236U was established on the HI-13 Accelerator AMS system at China Institute of Atomic Energy.  相似文献   
87.
本文在各向异性网格下讨论了一般二阶椭圆方程的EQrot1非协调有限元逼近.利用Taylor展开,积分恒等式和平均值技巧导出了一些关于该元新的高精度估计.再结合该元所具有的二个特殊性质:(a)当精确解属于H3(Ω)时,其相容误差为O(h2)阶比它的插值误差高一阶;(b)插值算子与Ritz投影算子等价,得到了在能量模意义下O(h2)阶的超逼近性质.进而,借助于插值后处理技术给出了整体超收敛的一般估计式.  相似文献   
88.
研究了绿色荧光粉Ca2GeO4∶Tb3+的真空紫外光谱性质,用172 nm激发荧光粉,其发射峰在549 nm,此绿色发光峰归属于Tb3+的5D4→7F5磁偶极跃迁,Tb3+离子的最佳摩尔分数x=0.05。激发光谱中147 nm和172 nm的激发强度分别是218 nm的1.5和1.7倍。因为在等离子体显示中激发光波长是147 nm和172nm,因此荧光粉在这两个波长的激发强度对荧光粉在等离子体显示中的应用至关重要。Al3+的共掺杂可使荧光粉的发光强度增强2倍,因此,Ca2GeO4∶Tb3+是一种具有应用潜力的等离子体显示用绿色荧光粉。  相似文献   
89.
在对神龙二号加速器绝缘环进行耐压考核时发现,感应腔中的绝缘支撑部件交联聚苯乙烯绝缘环在猝发多脉冲高压加载下出现的真空沿面闪络现象存在两种类型:阴极始发的闪络击穿和阳极始发的闪络击穿。通过计算绝缘环的沿面电场分布、对比击穿电压波形与绝缘环表面闪络放电烧蚀痕迹,结合小绝缘子样品实验结果对以上沿面击穿现象的机理进行了分析,认为可能是绝缘环端面与电极面的配合问题引起了加速段与注入器绝缘环击穿现象的差异。  相似文献   
90.
数字微镜哈达玛光谱仪谱线弯曲的分析与修正   总被引:1,自引:0,他引:1  
由于数字微镜(digital micro-mirror device, DMD)哈达玛变换光谱仪其成本低,光能利用率高及无运动部件等优势,逐渐成为光谱仪领域的研究重点。研制了一款基于DMD的哈达玛变换光谱仪。为了解决光谱仪谱线弯曲造成的光谱分辨率下降的问题,对基于DMD的哈达玛变换光谱仪中的谱线弯曲所引起的谱带混叠进行了分析。首先,导出了谱带混叠与谱线弯曲的关系式。然后,提出了两个过程来解决谱带混叠,一是通过调整DMD编码条纹,使DMD所编码的谱带最大限度地与标准谱带重合; 二是通过数据处理对谱带混叠进行修正。最后,通过对谱线曲率半径为5.8×104,7.8×104和9.7×104 μm等六种情况下谱带混叠进行了分析与修正,拟合出光谱混叠和修正效果与谱线曲率半径的关系。结果表明: 对于不同程度的谱线弯曲经过这两个过程修正后,分辨率都会改善到接近光学系统的分辨率, 说明这两个过程对修正谱线弯曲具有普适性、并且方法简单、有效。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号