N3染料对F-的高选择性光学传感性质

采用紫外-可见吸收光谱和荧光光谱滴定方法研究了N3染料, cis-Ru(H2dcbpy)2(NCS)2 (H2dcbpy=4,4’-二羧酸-2,2’-联吡啶), 在二甲基亚砜(DMSO)溶液中对F-、Cl-和Br-的识别行为. 结果表明, F-能引起N3的吸收光谱和荧光光谱的明显变化, 能作为高选择性的荧光和比率色度F-传感器. N3与F-相互作用产生一个大的荧光增强因子40, 在已报道的基于Ru(II)配合物的F-传感器中较为罕见.     

针-环-板电极结构下大气压He等离子体射流模拟研究

电极结构是影响大气压等离子体射流特性的一个重要因素,研究不同电极结构下等离子体射流的传播行为,对优化射流装置、满足不同的应用需求具有重要意义。本文采用二维轴对称流体模型,模拟研究了针-环-板电极结构下,当环电极所加电压及环电极位置不同时,大气压氦等离子体射流的传播行为。模拟结果显示,在模拟条件下,不论环电极位置如何,环电极接地时射流的电子密度都高于环电极与针电极接相同高压时射流的电子密度,而且射流结构也不受环电极位置影响。但是环电极的位置不同,射流的传播速度和传播距离不同。当环电极距离管口较远时,环电极接地产生的射流传播较快,与环接高压相比,相同时间内获得的射流更长;当环电极距离管口较近时,则环电极与针电极接相同高压产生的射流传播更快。文章中对这些行为形成的物理机制也进行了分析和讨论。     

石墨炉原子吸收光谱法测定硒的条件研究

硒是人类和动物的必需微量营养元素之一,过量摄入则会引起急性或慢性中毒。近几十年来,人们对硒的测定方法进行了很多有益的探讨,应用较多的有原子荧光法、氢化物发生原子吸收光谱法、石墨炉原子吸收光谱法和中子活化法等,其中石墨炉原子吸收光谱法测定硒具有操作简便、分析速度快、灵敏度高等优点而得到了较快的发展。但由于硒是易挥发元素,     

ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E₁=E_v+0.21eV,E₂=E_v+0.44eV,E₃=E_v+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E₁=E_v+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。     

具有不同渗透的涨缩管道内微极性流动的同伦分析解

分析了壁面具有不同渗透的涨缩管道内微极性流体的流动．对于壁面的胀缩,考虑常系数和时间函数的膨胀率两种情况．对于第1种情况,应用同伦分析方法得到该问题的速度和微旋转角度的表达式．并且画图分析了各个不同参数,特别是膨胀系数和不同的渗透率对流体的动力特征的影响．可以得到第1个重要的结论:壁面的膨胀率和不同的渗透对流体的动力特征有重要的影响．根据Xu的模型,考虑了第2种也是更具有一般性的情况,假设壁面的膨胀率随时间的变化而变化．在这样的假设下,控制方程被转化成非线性偏微分方程,并且同样也可以应用HAM方法进行求解．应用代数和指数的模型来描述膨胀率从初始状态到最终状态的演变过程．然而,结果表明包含有时间的解很快地趋向于稳态的解．这样可以得到第2个重要的结论,时间在壁面的膨胀收缩中扮演着次要的角色,可以忽略不计．     

有机染料掺杂玻璃的制备及荧光性能

铅-锡-氟磷酸盐玻璃是各种激光染料及非线性染料的理想基质,本文报道了荧光素及吖啶红掺杂铅-锡-氟磷酸盐玻璃的荧光性能,并且将吖啶红掺入有机改性的钛凝胶(TiO2-Ormosil),对两者的荧光性能进行了比较。     

微动开关静,动态过程与电接触过程综合模型及其模拟

以微动开关作为机电元件的典型代表，通过构造其速动机构静态，动态全过程和接触系统全过程有限元模型，并以动态模型为桥梁，将静，动态过程与电接触过程这三类不同问题联为一体，构造了综合模型，仍以ＡＫ型微动开关为例，给出了计算机模拟的综合实例。     

Spectroscopic properties of thulium ions in bismuth silicate glass

A new type of bismuth silicate glass (Bi2O3-SiO2-ZnO-Al2O3-La2O3) doped with Tm2O3 is prepared by melt-quenching method. The thermal stability of the glass is examined by differential scanning calorimetry. No crystallization peak is found. Using the absorption and emission spectra, the absorption and emission cross-sections are calculated. Their maximum data are 2.9×10-21cm2 at 1663 nm and 4.7×10-21cm2 at 1826 nm, respectively. Using the Judd-Ofelt theory, the radiation transition probabilities and radiative lifetimes are obtained. The extended overlap integral method is applied to analyze energy transfer process among the Tm3+ ions. The transfer constants of cross-relaxation and energy migration among the Tm3+ ions at the 3H4 level are 7.60×10-40 and 14.98×10-40 cm6 /s, respectively. The critical transfer radius for cross-relaxation is 0.99 nm. The cross relaxation process is easy to realize and is favorable for obtaining ～2-μm laser.     

Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material

Ge2Sb2Te5 gap filling is one of the key processes for phase-change random access memory manufacture.Physical vapor deposition is the mainstream method of Ge2Sb2Te5 film deposition due to its advantages of film quality,purity,and accurate composition control.However,the conventional physical vapor deposition process cannot meet the gapfilling requirement with the critical device dimension scaling down to 90 nm or below.In this study,we find that the deposit-etch-deposit process shows better gap-filling capability and scalability than the single-step deposition process,especially at the nano-scale critical dimension.The gap-filling mechanism of the deposit-etch-deposit process was briefly discussed.We also find that re-deposition of phase-change material from via the sidewall to via the bottom by argon ion bombardment during the etch step was a key ingredient for the final good gap filling.We achieve void-free gap filling of phase-change material on the 45-nm via the two-cycle deposit-etch-deposit process.We gain a rather comprehensive insight into the mechanism of deposit-etch-deposit process and propose a potential gap-filling solution for over 45-nm technology nodes for phase-change random access memory.     

Chan-Vese模型的共轭梯度算法

随着图像采集设备的发展和对图像分辨率要求的提高,人们对图像处理算法在收敛速度和鲁棒性方面提出了更高的要求.从优化的角度对Chan-Vese模型进行算法上的改进,即将共轭梯度法应用到该模型中,使得新算法有更快的收敛速度.首先,简单介绍了Chan-Vese模型的变分水平集方法的理论框架;其次,将共轭梯度算法引入到该模型的求解,得到了模型的新的数值解方法;最后,将得到的算法与传统求解Chan-Vese模型的最速下降法进行了比较.数值实验表明,提出的共轭梯度算法在保持精度的前提下有更快的收敛速度.