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911.
912.
913.
基于隧穿磁电阻效应(TMR)的磁场传感器具有很高的磁场灵敏度, 但同时噪声也较大,有效抑制TMR磁场传感器的噪声, 尤其是低频噪声的抑制对于其在高灵敏度要求场合的应用具有重要的意义. 本文采用高精度数据采集卡搭建了噪声测量系统, 测量了全桥结构TMR磁场传感器的噪声频谱图, 发现TMR传感器的噪声在低频段表现为1/f特性, 同时噪声功率谱密度与工作电流平方成正比关系; 低频噪声在自由层翻转区间内噪声急剧增大, 证明了1/f噪声主要来源于磁噪声, 这一结果为TMR磁场传感器的噪声特性优化指明了方向. 相似文献
914.
915.
以SiO2、CaO和MgO为主要原料,采用传统高温熔融工艺制备了基础玻璃,并通过一步析晶热处理工艺制备了透辉石微晶玻璃.利用X射线衍射仪、电子扫描显微镜和激光导热仪分别研究了热处理温度和时间对透辉石微晶玻璃析晶和导热性能的影响.结果表明:随着热处理温度的升高,微晶玻璃的结晶度增加,晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小;随着热处理时间的延长,微晶玻璃的晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小.当热处理温度890℃,热处理时间120 min,升温速率为10℃/min,微晶玻璃晶粒尺寸为0.3~0.4μm,结晶度为79;,导热系数达到最大值2.59 W/(m·K). 相似文献
916.
采用磁控溅射方法在单银Low-E玻璃基底上制备了ASV(Low-E膜系/SiO2/VO2)以及ASVS(Low-E膜系/SiO2/VO2/SiO2)复合膜系,得到可热致变色的近红外隔绝膜系.通过UV-NIR分光光度计、XPS、XRD、SEM,研究了VO2厚度以及SiO2增透层对膜系的透过、隔热性能的影响.结果表明,在20~90℃范围内,ASV膜系的红外平均透过率Tnir随温度升高降低,随着VO2厚度的增加,Tnir下降,选择系数Q先上升后下降.VO2厚度为50 nm时,90℃近红外隔绝性能增幅ΔTnir为18.56;,Q达到96.59;.相较ASV膜系,ASVS膜系的可见光透过率提升16.88;,90℃的Tnir不变.Q达到102.4;,性能优于ASV膜系. 相似文献
917.
918.
对碘酚对鲁米诺化学发光增强的试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了由过氧化物酶催化鲁米诺与过氧化氢发光反应的增强发光研究。合成了增强剂对碘酚,并用对碘酚对鲁米诺与过氧化氢发光反应的光增强作用进行了试验,已经证实增强发光反应可将过氧化物酶的最低检测浓度降低到10-12~10-13mol/L水平。 相似文献
919.
920.
A novel integrated dense wavelength division multiplexing interleaver scheme is presented based on phased-array (PHASAR) wavelength demultiplexer with multimode interference (MMI) couplers. MMI-PHASAR interleaver with simple structure and compact si/e can reali/e narrow channel spacing through simple design procedure. And it is convenient for integration with integrated planar waveguide multiplexer/demultiplexers. A 25/50-GHz MMI-PHASAR interleaver is designed and the transmission characteristic is investigated by beasu propagation method. 相似文献