环糊精超分子聚合物在药物/基因递送载体领域的研究进展

超分子聚合物通常以非共价键作为构筑驱动力,其结构具有动态可逆的特点,在新型响应性聚合物材料中具有突出优势。环糊精可通过主客体识别作用与客体分子如二茂铁、偶氮苯、金刚烷、苯环等形成包合,以此构筑的超分子组装体展现出丰富的自组装-解组装特性、刺激响应性、较低的细胞毒性和较好的生物相容性,有望在药物/基因载体领域得到应用。本文从环糊精超分子聚合物的生物医用出发,着重对近年来环糊精超分子聚合物载体在药物控制释放、基因转染以及药物/基因共递送三方面的研究进展进行了总结和评述,并在此基础上展望了环糊精超分子聚合物的研究方向和发展趋势。     

聚乙烯醇/聚吡咯复合导电水凝胶应变传感器的制备及性能

以聚乙烯醇(PVA)为原料, 植酸(PA)和氨基-聚倍半硅氧烷(NH₂-POSS, NP)为交联剂, 通过冻融循环法制得PVA/PA/NP复合水凝胶, 再以其为模板, 通过吡咯的原位聚合制得PVA/PA/NP-PPy复合导电水凝胶, 克服了聚吡咯材料易脆、 疏水的特性, 进一步改善了水凝胶的导电性和灵敏性. 循环拉伸实验结果表明该水凝胶具有良好的自回复能力, 电导率高达7.53 S/m, 从I-V曲线可知其作为柔性可穿戴应变传感器的最高检测电流可达 9.029 mA, 灵敏度因子可达6.796, I-T曲线表明该传感器可以准确地通过电流信号变化来监测人体的各种微小运动.     

苯并三氮唑类有机光伏材料研究进展

数十年来, 有机太阳能电池(organic solar cells, OSCs)的相关研究进展迅速, 其能量转换效率从2000年的不足5%, 发展至今已经超过18%, 而这主要得益于给体和非富勒烯受体有机光伏材料的不断推陈出新. 苯并三氮唑(benzotriazoles, BTA)作为一种经典的缺电子型杂环单元, 伴随着有机光伏领域的兴起与发展, 由BTA单元构筑的聚合物给体、小分子给体、非富勒烯小分子受体以及聚合物受体材料被不断地设计合成出来, 特别是J系列聚合物给体材料和Y系列非富勒烯受体材料. 伴随着材料体系的不断优化, 相关的分子设计策略也得到更新与完善, 以期从多角度对OSCs的性能有针对性的进行调控. 本综述旨在通过介绍基于BTA单元的有机光伏材料的相关研究进展以及与之相关的分子设计策略, 回顾BTA类光伏材料数十年来的发展历程, 并展望其未来的发展前景.     

星型三杂臂共聚物的合成及其自组装性能研究

通过将点击化学,原子转移自由基聚合与阳离子开环聚合相结合,合成了一种含亲水性聚乙二醇(PEG),疏水性聚四氢呋喃(PTHF)和环境响应性聚甲基丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯(PDMA)的ABC星型杂臂聚合物MPEG-PTHF(-PDMA).通过FTIR、1H-NMR和凝胶渗透色谱/多角度激光光散射联用(SEC/MALLS)对其结构进行了表征.通过激光粒度仪和透射电子显微镜测试,并研究其在溶液中的自组装行为,分别在pH为5.0、7.4和9.5的缓冲溶液中测试了这种星型三元共聚物自组装性能,其可表现出温度响应性.     

不同类型修复坑形貌对光传输的影响北大核心CSCD

建立了不同类型熔石英元件损伤修复坑形貌的三维模型,利用标量衍射理论并结合快速傅里叶变换算法研究了在351nm激光辐照下修复坑形貌对光传输的影响规律。研究表明,无论是锥形、抛物形或是高斯形修复坑形貌,均会产生离轴位置的环形光场调制增强区,其环形调制极大值均主要受修复坑深度影响,随着修复坑深度的增大而增大,而其分布位置随着修复坑深度的增加逐渐靠近修复元件后表面,随着修复坑底面半径的增大而远离修复元件后表面;同时,当修复坑深度与底面半径一定时,三类修复坑形貌中以抛物形修复坑形貌最为理想。     

Investigation of chlorine-based etchants in wet and dry etching technology for an InP planar Gunn diode

Mesa etching technology is considerably important in the Gunn diode fabrication process. In this paper we fabricate InP Gunn diodes with two different kinds of chlorine-based etchants for the mesa etching for comparative study. We use two chlorine-based etchants, one is HCl-based solution (HCl/H 3 PO 4 ), and the other is Cl 2 -based gas mixture by utilizing inductively coupled plasma system (ICP). The results show that the wet etching (HCl-based) offers low cost and approximately vertical sidewall, whilst ICP system (Cl 2 -based) offers an excellent and uniform vertical sidewall, and the over-etching is tiny on the top and the bottom of mesa. And the fabricated mesas of Gunn diodes have average etching rates of ～ 0.6 μm/min and ～ 1.2 μm/min, respectively. The measured data show that the current of Gunn diode by wet etching is lower than that by ICP, and the former has a higher threshold voltage. It provides a low-cost and reliable method which is potentially applied to the fabrication of chip terahertz sources.     

常压百级洁净度环境中SiO2薄膜稳定性

在常压百级洁净度环境下,采用三种不同折射率的SiO₂溶胶在熔石英基底上涂制四种不同薄膜,利用光学理论计算模拟了三种胶体涂制的膜层稳定性,通过实验考查了膜层光学指标随时间的变化规律。SiO₂薄膜能够显著提升光学元件透射率,但由于膜层表面的大量羟基及其多孔结构,SiO₂薄膜易吸附周围环境中的有机污染物及水分填充膜层孔隙,从而导致膜层折射率发生变化,影响膜层透射率、反射率等光学性能。实验结果发现,三种溶胶凝胶化学膜在常压百级环境中的有效期为80 d(绝对变化率小于0.1%),且三种胶体涂制的膜层稳定性由高到低依次为折射率1.19, 1.15, 1.25的膜层。