通用工业相机的炸点瞬时位置测量模拟研究

为解决当前已有炸点空间位置探测系统存在的结构复杂、成本昂贵的问题,进行了基于通用工业相机的炸点瞬时位置测量的模拟研究,设计了LED瞬态闪光单元,通过光电传感器探测LED产生的光信号并转换为电信号。经过信号处理,根据信号的幅值控制2台普通工业相机同时曝光进行抓拍,然后对采集的图像进行数字图像处理,获取2幅图像中爆炸光斑中心的位置坐标,再结合2个相机之间的相对位置关系,最终解算出炸点的空间位置坐标。实验结果表明:在距离测量系统24 m、32 m、48 m处,最大误差绝对值在水平X方向为127 mm,在竖直Y方向为68 mm,在深度Z方向为279 mm。系统具有响应速度快、精度高、成本低等优点,满足系统探测要求。     

(Y,Gd)BO_3∶Eu~(3 )荧光粉的合成及粒度控制

使用草酸共沉淀法合成了钇钆铕氧化物生粉,以此为原料合成了PDP用(Y,Gd)BO3∶Eu3 荧光粉;研究了各种因素对(Y,Gd)BO3∶Eu3 荧光粉相对亮度及粒度的影响。结果表明,加入适当的添加剂可以有效控制荧光粉的粒度和颗粒形貌,但加入量过多会影响荧光粉的亮度;温度、保温时间、预烧、硼酸配比等参数均对荧光粉度及粒度有较大影响。给出了优化的工艺参数,按此工艺可以直接合成粒度2～4μm的荧光粉,无须球磨分散。在λex=147nm激发时,该荧光粉色坐标x=0.644,y=0.356。     

Ionic conductivity study on electron beam irradiated polyacrylonitrile-polyethylene oxide gel

Different mass percent polyacrylonitrile (PAN)-polyethylene oxide (PEO) gels were prepared and irradiated by an electron beam (EB) with energy of 1.0 MeV to the dose ranging from 13 kGy to 260 kGy.The gels were analysed by using Fourier transform infrared spectrum,gel fraction and ionic conductivity (IC) measurement.The results show that the gel is crosslinked by EB irradiation,the crosslinking degree rises with the increasing EB irradiation dose (ID) and the mass percents of both PAN and PEO contribute a lot to the crosslinking;in addition,EB irradiation can promote the IC of PAN-PEO gels.There exists an optimum irradiation dose,at which the IC can increase dramatically.The IC changes of the PAN-PEO gels along with ID are divided into three regions:IC rapidly increasing region,IC decreasing region and IC balanced region.The cause of the change can be ascribed to two aspects,gel capturing electron degree and crosslinking degree.By comparing the IC-ID curves of different mass percents of PAN and PEO in gel,we found that PAN plays a more important role for gel IC promotion than PEO,since addition of PAN in gel causes the IC-ID curve sharper,while addition of PEO in gel causes the curve milder.     

CO电子基态P线系跃迁谱线的理论研究

基于微分的思想,结合经典的双原子分子跃迁谱线表达式,提出了预言双原子分子P线系高激发振-转跃迁谱线的新解析物理公式.对于某分子电子体系的某一P支跃迁带,利用实验上获得的一组(15条)精确的跃迁谱线和该跃迁带对应的上下振动态的转动常数(B_υ',B_υ″)的精确数据,该公式不仅可以精确地重复已知的实验跃迁谱线,而且还能预测出实验上难以获得的更高激发态的跃迁谱线数据.利用该公式,研究了CO分子电子基态的(2,0)振-转跃迁带的< 关键词： 双原子分子 发射光谱 P线系')" href="#">P线系 CO     

*-A(n)算子的谱性质

主要给出了*-A(n)算子的一些性质:若T是*-A(n)算子,则T有谱的连续性;若T是*-A(n)算子,则T的近似点谱和联合近似点谱是相等的;若T,S是*-A(n)算子,则T,S是Weyl算子当且仅当TS是Wey1算子.     

光折变晶体(BaSr)TiO3感应自泵浦相位共轭及光学双稳的理论分析

给出光折变晶体感应自泵浦相位共轭的一种理论解释，利用数值计算求解相应的耦合波方程，得出感应自泵浦相位共轭光与诱导光之间在一定条件下所呈现的双稳关系以及可逆尖和不可逆感应的特性，其分析结构与笔者先前得到的实验结果吻合。     

沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响

 用电子束蒸发方法制备了HfO₂薄膜，根据镀膜前后基片曲率半径的变化，用Stoney公式计算了薄膜应力，讨论了沉积温度对薄膜残余应力的影响。结果发现，HfO₂薄膜的残余应力均为张应力，应力值随沉积温度的升高先增大后减小，在280 ℃左右出现极大值。对样品进行了XRD测试，从微观结构上对实验结果进行了分析，发现微结构演变引起的内应力变化是引起薄膜残余应力改变的主要因素，HfO2薄膜在所选沉积温度60~350 ℃内出现了晶态转变，堆积密度随温度升高而增大。     

试谈非智力因素的培养

数学教学要达到开发智力,培养能力的目的,必须重视非智力因素的培养。而且,良好的非智力因素也是每个社会成员应该具备的心理品质之一。下面浅谈个人的看法: 一非智力因素的认识1.非智力因素及其在数学教学中的作用。所谓非智力因素,是指学生个体学习积极性方面的因素,如动机、兴趣、态度、爱好、个性意志品质等。在学习中,智力因素和非智力因素两者缺一不可,它们必须协同作用才能完成学习任务。智