铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为

采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明:同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同,但膜的致密性将影响氦的释放量,结构疏松的膜中存在的孔洞是氦的快速释放通道;在相同注入剂量和能量条件下,铒、钪膜中注入氦的热释放峰位不同,这可能与氦在铒、钪膜中的深度分布及膜的致密性有关,利用质子增强背散射法测量出能量为60 keV的4He+在铒、钪膜中的注入深度分别为210,308 nm。     

P-branch emission spectra of the A1Π-X1Σ+ system of IrN

The P-branch emission spectra of (4,1) and (3,1) bands of the A¹Π-X¹Σ⁺ system of IrN molecule are studied using an analytical formula which is derived from elementary expression of molecular total energy by taking multiple spectral differences. It not only reproduces the known experimental transition lines, but also predicts the unknown spectral lines up to J= 80 for each band by using a group of fifteen known experimental transition lines.     

极化子效应对非对称量子阱中光吸收系数的影响(英文)

从理论上研究子电子-声子相互作用对Morse量子阱中光吸收系数的影响,首先利用微扰论方法求出考虑极化子效应时的电子波函数和能级,然后利用密度矩阵和迭代法得到光吸收系数的解析表达式,最后以典型的GaAs/AlGaAs Morse量子阱为例进行数值计算。结果表明,极化子效应使光吸收系数比仅考虑电子的情况增大了,并且在相同光强的情况下吸收饱和现象更明显;极化子效应的影响随着阱的非对称性的增强而增大;电声相互作用对电子能级的修正导致光吸收系数峰值向高能方向偏移。     

94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究

室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨。     

基于马尔可夫模型的我国东、中、西部的产业结构预测

应用马尔可夫预测方法对我国东、中、西部产业结构预测问题进行研究,并给出了其马尔可夫的状态转移概率矩阵的估算模型,经计算结果表明此方法具有较高的预测精度,并应用此方法预测了我国2009年和2010年的东、中、西部的产业结构.     

5-氮杂胞嘧啶的合成研究

以腈基胍和无水甲酸为原料，不使用任何溶剂，在118～120℃下直接生成脒基脲甲酸盐，用乙醇洗涤纯化，干燥后在烘箱中145℃下进行固态无溶剂反应，脱水生成5-氮杂胞嘧啶，用水重结晶，产品纯度达到98．5％以上，总产率为60．0％．该产品通过IR，^1H NMR，^13C NMR检测．证实为5-氮杂胞嘧啶．     

贫铀表面脉冲电镀镍的组织结构与抗腐蚀性能

在氨基磺酸盐镀液中采用脉冲电镀技术以不同的电镀参数进行镍镀层制备，采用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、金相显微镜对镀层的组织结构进行分析，用电化学综合测试系统及重量法在50μg/gCl^-的氯化钾溶液对镀层的孔隙率和电化学腐蚀性能以及腐蚀动力学曲线进行测试。     

多用电表的内阻

多用电表欧姆挡各挡位的内电阻是多少?为什么由小倍率挡换成大倍率挡调零时指针会偏右?这是个实际问题，笔者想就此谈谈自己的理解。     

增益控制EDFA的原理、性能与系统实验

本文首先对增益控制EDFA进行了理论分析,并用环形腔法实现,检测了这种放大器在不同谐振波长和环形胜损耗条件下的特性,对实验现象进行了分析,并用该放大器进行了系统实验.     

地幔矿物光子热传输理论的研究

本文采用非平衡量子统计方法,讨论了地幔矿物光子热传输的四种不同情况,并得到了光子热导率的计算公式.若地幔中不存在相干结构的辐射热传输时,在上地幔下部和过渡带,光子的热导将不是热传递的主要机制.