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981.
无陀螺捷联惯导系统角速度解算精度的研究 总被引:11,自引:4,他引:7
在无陀螺捷联惯导系统中,角速度的解算精度是技术关键,由于角速度是由载体上加速度计敏感出的比力解算出的,选择合理的方法解算角速度是提高其精度的根本,文中提出高解算精度的新途径,并以某型导弹为例,对其进行实时仿真,证明了它的可行性。 相似文献
982.
采用X射线衍射对称反射法,对半结晶聚酯PET2试样收集粉末X射线衍射全图(XDWP)数据,用Rietveld方法和Fourier过滤技术,对XDWP拟合并分离成结晶衍射峰之和CR2和非晶散射峰之和AM2两部分,与此同时获得PET2试样的结晶相CR2的三斜晶系晶胞参数:a=0.445,b=0.592,c=1.072nm,α=99.6,β=116.9,γ=111.9(°),结晶密度dc关键词:
聚对苯二甲酸乙二醇酯
二相共存结构
径向分布函数
Rietveld方法
Fourier过滤技术 相似文献
983.
984.
半波带法分析夫琅禾费米栅衍射 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用半波带法对夫琅禾费光栅衍射进行分析,该方法和常用的振幅矢量法相比,分析衍射条纹的位置更要快捷,明了。 相似文献
985.
一类二维不可分非正交小波包 总被引:4,自引:0,他引:4
Zuowei Shen构造了L^2(R^s)空间的二进制小泡包,与伸缩矩阵M=(1 1 1 -1)相关的小波适用于二维图像处理中的梅花状子取样,本文给出了一种构造非正交M-小滤包的方法。 相似文献
986.
987.
INFLUENCE OF THE DIPOLE-DIPOLE INTERACTION BETWEEN ATOMS ON THE PHASE PROPERTIES OF LIGHT 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
The time evolution and the statistic characteristic of the light phase in the Tavis-Cummings (T-C) model of two identical two-level atoms coupled to a strong coherent light field are studied by means of the Pegg-Barnett phase theory. It is proved that the dipole-dipole interaction between atoms will lead to the frequency shift of light, the weakening of the degree of atom-field coupling and the restraint of light phase diffusion. 相似文献
988.
989.
Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors 下载免费PDF全文
This paper investigates the effects of concentration on the
crystalline structure, the morphology, and the charge carrier
mobility of regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR-P3HT)
field-effect transistors (FETs). The RR-P3HT FETs with RR-P3HT as an
active layer with different concentrations of RR-P3HT solution from
0.5~wt% to 2~wt% are prepared. The results indicate that the
performance of RR-P3HT FETs improves drastically with the increase
of RR-P3HT weight percentages in chloroform solution due to the
formation of more microcrystalline lamellae and bigger nanoscale
islands. It finds that the field-effect mobility of RR-P3HT FET with
2~wt% can reach 5.78× 10^-3~cm2/Vs which is higher
by a factor of 13 than that with 0.5~wt%. Further, an appropriate
thermal annealing is adopted to improve the performance of RR-P3HT
FETs. The field-effect mobility of RR-P3HT FETs increases
drastically to 0.09~cm2/Vs by thermal annealing at
150~℃, and the value of on/off current ratio can reach
10^4. 相似文献
990.
Theoretical analysis is made on the temperature field at the time of pulse current discharge in a metal structure with an elliptical embedding crack. In finding the temperature field, analogy between the current flow through an elliptical embedding crack and the fluid flow through a barrier is made based on the similarity principle. Boundary conditions derived from this theory are introduced so that the distribution of current density and the temperature field expressions can be obtained. The study provides a theoretic basis to the applications of stopping spatial crack with electromagnetic heating. 相似文献