分子束外延法生长的低阻硒化锌(ZnSe)单晶膜及其在电子器件上的应用

用分子束外延技术生长了ZnSe单晶.对未掺杂的和掺Ga的低阻ZnSe的生长和性能进行了讨论.掺Ga的ZnSe,最低电阻率为0.073Ω·cm.这种技术生长的ZnSe,在制作太阳能电池和电致发光器件上的某些有意义的应用也进行了报导.     

关于内力对质点系运动影响的讨论

自从本刊发表汪方儒同志（１９９０年第６期）和冯羽、苏云荪同志（１９９２年第１期）的文章以来，编辑部又陆续收到几篇关于这个问题的讨论文章．经过这几篇文章的讨论，问题的实质已经清楚。现将这几篇文章摘要发表，最后由本刊编辑部作一小结．     

新型激光介质NaS X^2П,A^2∑^＋,B^2∑^—,C^4∑^—,D^4П态的A…

首次提出了Ｉ～Ⅵ族元素组合ＮａＳ新型激光介质构想，并采用量子化学从头计算法计算了ＮａＳ的Ｘ＾２П，Ａ＾２∑＾＋，Ｂ＾２∑＾－，Ｃ＾４∑＾－，Ｄ＾４П态的势能曲线，证实了ＮａＳ的存在，获得了ＮａＳ各态光谱常数的理论值，比较了ＮａＳ同ＨＳ及ＮａＯ能级结构的差异。     

关于n平面线性相干光处理系统的讨论(Ⅰ)

讨论n平面线性相干光处理系统(简称n平面线性系统)的一般性质。在两个特例情况下,借助于傅里叶变换的相似性定理和空间频率的标度变换,可以证明:n平面线性系统的(n—1)个间距参数{z_i}_n-1不是实质性参数。利用所得结果,演示了相干光成象和空域中的频率的标度变换,说明理论结果是有效的。 关键词：     

硅酸化学中的若干现代概念

硅在地壳中的含量为27.72％,仅次于氧而占第二位,而且硅总与氧结合在一起,形成二氧化硅和硅酸盐。这些化合物占地壳含量的90％以上,分布之广可说遍地皆是。硅还是生     

NaS分子4~2Ⅱ→3~2∑~＋跃迁光辐射特性的理论研究

应用＂反射方法＂计算了ＮａＳ分子４２Ⅱ→３２∑＋跃迁几率密度的分布，对其相应跃迁的自发辐射、粒子数反转、受激辐射等问题进行了理论上的探讨．     

多扇环形结构永磁多极系统场形的解析分析

<正> 多扇环形结构是一种新型结构的永磁多极系统。由于此种结构有效地克服了侧向漏磁,故能获得更高的磁场强度,已开始应用于高能直线加速器。这是一种很有发展前途的新结构。设多扇环形结构N极系统长为2L。在横截面内,其磁极排布为:在内半径为R₁,外半径为R₂的环形区域内,沿周均布N组扇面磁体。以第一组为例在圆柱坐标系统中,