首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   969篇
  免费   311篇
  国内免费   319篇
化学   615篇
晶体学   32篇
力学   97篇
综合类   23篇
数学   227篇
物理学   605篇
  2024年   9篇
  2023年   39篇
  2022年   36篇
  2021年   33篇
  2020年   20篇
  2019年   35篇
  2018年   42篇
  2017年   24篇
  2016年   29篇
  2015年   35篇
  2014年   73篇
  2013年   68篇
  2012年   71篇
  2011年   88篇
  2010年   65篇
  2009年   56篇
  2008年   75篇
  2007年   99篇
  2006年   65篇
  2005年   43篇
  2004年   46篇
  2003年   30篇
  2002年   40篇
  2001年   35篇
  2000年   30篇
  1999年   20篇
  1998年   36篇
  1997年   35篇
  1996年   25篇
  1995年   25篇
  1994年   35篇
  1993年   22篇
  1992年   31篇
  1991年   23篇
  1990年   24篇
  1989年   22篇
  1988年   19篇
  1987年   13篇
  1986年   18篇
  1985年   19篇
  1984年   4篇
  1983年   5篇
  1982年   6篇
  1981年   9篇
  1980年   4篇
  1979年   9篇
  1957年   1篇
  1956年   1篇
  1955年   2篇
  1952年   1篇
排序方式: 共有1599条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
The THGEM detector without and with a CsI has been tested successfully. The optimal parameters of THGEM have been determined from eight samples. The UV photoelectric effect of the CsI photocathode is observed. The changing tendency related to the extraction efficiency (εextr) versus the extraction electric field is measured, and several electric fields influencing the anode current are adjusted to adapt to the THGEM detector with a reflective CsI photocathode.  相似文献   
122.
以一台激光光源的输出作为基波在Xe,Kr脉冲气流中利用非共振四波和频和三次谐波过程获得在92~145nm范围内宽带可调谐相干辐射输出,观察和分析了非线性过程中气体密度,元素的色散对相位匹配的影响,观察了三次谐波过程中的三光子共振现象,在Xe中获得了高Rydberg态三光子共振增强的VUV相干辐射光谱,其可分辨主量子数达到34左右.  相似文献   
123.
克罗地亚的高中是四年制的,2008年克罗地亚国家数学竞赛州赛三年级试题中有一题如下:试题设α,β,γ为某三角形的三个内角.证明:若α,β,γ满足sin3α+sin3β+sin3γ=0,则它们  相似文献   
124.
概念是人们通过实践,从研究对象的许多属性中,撇开非本质属性,抽出本质属性概括而成的,在概念形成阶段,人的认识已从感性认识上升到理性认识,把握了事物的本质,科学认识的成果,都是通过形成各种概念来加以总结和概括的。由此可见,概念的学习对认识事物的本质起着十分重要的作用;特别对于数学——逻辑体系十分严谨的科学,就更为重要了。本文仅就如何学习数学概念,谈一些不成熟的意见,供参考。 1.从概念的形成过程中学习概念。如果我们不仅知道数学概念本身,而且了解数学概念的形成过程,那么我们对数学概念引出的必要  相似文献   
125.
三角形内心的两个性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
文[1]和文[2]对三角形重心进行了探究,阅读之后受到启发,笔者发现三角形内心也有类似的性质,现行之成文与读者共同探讨.性质1如图1,设△ABC的三个顶点A,B,C所对的三边长分别为a,b,c.已知点I是△ABC的内心,过I作直线与AB,AC两边分别交于M,N两点,且AM=m AB,AN=n AC,则bm cn=a b图1 c.证因为点I是△ABC的内心,∴a IA b IB c IC=0[3],∴-a AI b(AB-AI) c(AC-AI)=0,∴(a b c)AI=b AB c AC,即AI=ba b c·AB ca b c·AC.又因为M,I,N三点共线(A不在直线MN上),∴AI=λAM μAN(且λ μ=1),∴AI=λm AB μn AC=ba b c·…  相似文献   
126.
The beam temperature and energy broadening of a charged-particle beam in an axially symmetric mag-netic field are investigated in consideration of the space charge effect. The result shows that this kind of energy broadening consists of three parts: the thermal motion broadening, the space charge broadening, and the magnetic-field broadening. For the nonscalloping beam (including the space charge equilibrium flow and Brillouin flow) held by the equilibrium between the magnetic-field convergence and the space charge diver-gence, the energy broadening ΔE is directly proportional to the square of the equilibrium magnetic induction intensity Be and the beam radius R, and inversely proportional to the mass of beam particles. For the im-mersed flow (magnetic shield coefficient M = 1), the magnetic field does not result in an energy broadening, and the energy broadening caused by space charge is dominant. The beam temperature is defined by the mean square deviation of the velocity of beam particles. The beam temperature in the θ direction is much higher, whereas the beam temperature in the meridian direction is much lower than the temperature of the thermal cathode.  相似文献   
127.
128.
SOI新结构——SOI研究的新方向   总被引:2,自引:0,他引:2  
谢欣云  林青  门传玲  安正华  张苗  林成鲁 《物理》2002,31(4):214-218
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围。为解决这些问题和满足一些特殊器件/电路的要求,探索研究新的SOI结构成为SOI研究领域新的热点。如SOIM,GPSOI,GeSiOI,SionAlN,SiCOI,GeSiOI,SSOI等。文章将结合作者的部分工作,报道SOI新结构研究的新动向及其应用。  相似文献   
129.
电化学基础研究的进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
田昭武  苏文煅 《电化学》1995,1(4):375-383
  相似文献   
130.
本文研究了Tl-1223/Ag复合带长样的制各,0.59米的长样统制在中31mm的氧化铝管上,其Jc值最高可达l.10×104A/cm2(77K,OT).在ф9-31mm的管径范围内绕制线圈,曲率半径对Jc的影响不大  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号