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碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
22.
二氧化氮为红棕色、有强烈刺激性气味、有毒性的气体.易溶于水,且能与水反应的一种酸性氧化物.在实验室制取NO2时,能否用浓H2SO4来干燥NO2气体,一般化学参考资料都没有明确指出,大学教材[1]中的有关内容也是如此.但是目前在一些权威性著作[2]中出现"浓硫酸可以用来干燥NO2气体".在一些高中化学复习资料中,用浓硫酸来干燥NO2的练习和测试题频频出现.然而,这是一个十分明显的科学性错误.下面笔者就先用2个实验的客观现象来说明浓硫酸不能用于干燥二氧化氮气体. 相似文献
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为了提高再生放大器输出激光脉冲的对比度,需要同时提高激光脉冲纳秒尺度的对比度和皮秒尺度的对比度。利用普克尔盒对主脉冲和预脉冲时间滤波的方法,设计了普克尔盒的双通预脉冲清洁装置,通过该装置使再生放大器输出激光纳秒尺度的预脉冲对比度提高了5个数量级;利用频谱整形方法,通过在放大器腔内适当位置插入频谱整形滤波片使得主脉冲前400 ps处的放大自发辐射对比度提高了1个数量级。最终,在双通预脉冲清洁与腔内频谱滤波共同作用下,再生放大器输出激光纳秒尺度的预脉冲对比度从4.3×10-4提高到了6.6×10-10,放大自发辐射对比度(主脉冲前400 ps)从5.0×10-8提高到了5.0×10-9。 相似文献
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28.
水溶液中噻吩的电化学聚合成膜 总被引:1,自引:1,他引:1
本文研究水溶液中噻吩的电化学聚合。高酸度水溶液中噻吩先经历化学低聚反应,低聚合物可在较负的电位阳极氧化成膜。 相似文献
29.
CO和SCN~-在高分散Pt及Pd表面异常红外光学行为的电化学现场FTIR反射光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在玻碳基底上沉积Pt和Pd,在以CO和SCN-为探针分子的电化学现场FTIR反射光谱研究中,首次观察到异常红外光学行为,其中包括吸附物种的谱带方向倒反以及谱峰强度显著增强等. 相似文献
30.
用甲醇将化妆品样品超声提取15min,离心、过滤,以XDB-C18分析枉分离分析,二级管阵列检测器检测,结合保留时间和光谱定性分析,采用高效液相色谱法测定化妆品中的邻苯二甲酸酯,外标法定量。邻苯二甲酸酯邻苯二甲酸丁基苄基酯(BBP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二(2-乙基已)酯(DEHP)在0.5-10.0mg/L浓度范围内均有良好的线性关系,相关系数r〉0.9998。BBP,DBP,DEHP在1.000,2.000mg/L添加水平的回收率为92%-105%,相对标准偏差(RSD)小于4%0=6),检出限分别为14,12,6mg/kg。该方法适用于化妆品中BBP,DBP和DEHP含量的检测。 相似文献