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51.
光电对抗仿真系统研究 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了光电对抗在信息化战争中的地位与作用,阐述了光电对抗仿真系统研究的必要性,针对国内外光电对抗仿真的研究现状,给出了光电对抗仿真系统的总体框架,研究了光电对抗仿真需解决的关键技术和需要完成的主要工作,最后对我国光电对抗仿真系统的研究进行了总结。 相似文献
52.
在SSH哈密顿基础上引进电子关联,对反式聚乙炔链中光致激子的产生和演化过程实施分子动力学模拟。弱关联强度U取值0~1.250 eV,V =U/2取值0~0.625 eV .计算结果表明,关联强度的大小影响链中元激发类型,U<0.555eV时产生的元激发为孤子-反孤子对,U >0.555eV 时产生的元激发为正负荷电极化子对。为进一步讨论该类型一维系统中不同类型激子的产生、输运、衰减等动态过程,关联强度U的选择提供参考。 相似文献
53.
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55.
56.
含有光敏剂的人体皮肤的激光诱导荧光光谱分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用血红蛋白在578nm处有吸收峰以及在光动力疗法治疗鲜红斑痣过程中病变区血液含量减少的特性,根据测得的含有光敏剂的皮肤层激光诱导荧光光谱,计算了皮肤层光敏剂的荧光强度随时间的变化关系。通过光谱处理计算了624nm处光敏剂血卟啉(HpD)的荧光峰值强度。分析和计算结果表明,皮肤层中的血液含量的减少导致新的荧光光谱峰(578nm处)的产生,新荧光峰的产生造成624nm处荧光强度的增大,因此必须排除这种影响才能得到皮肤层由光敏剂产生的荧光强度。由光谱处理结果得到治疗过程中病变区光敏剂荧光强度的变化曲线。 相似文献
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Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively. 相似文献
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60.