雾玻璃上的彩色环

向一个冷玻璃上哈气,在玻璃表面会形成水雾.透过起雾的玻璃去观察白光光源,会看到有多层彩色环(内层蓝色,外层红色),并且在中央会出现白色亮斑.利用散射光干涉的模型解释了彩色圆环的成因.     

饱和铁芯型超导限流器对距离保护的影响

饱和铁芯型超导限流器SCFCL(Saturated Core Superconducting Fault Current Limiter)是一种较为理想的高电压限流器,利用其技术特点可以实现无时限的明显限流作用,有着广泛的运用前景。距离保护能够很好的满足高电压复杂网络快速、精确切除故障的要求,其主要元件阻抗继电器是现阶段普遍应用的高性能继保装置。SCFCL在高压输电网络的接入会对距离保护产生很大影响,运用PSCAD搭建500kV输电线路模型,详细分析限流器接入前后不同短路故障类型及故障距离对线路距离保护的影响。     

链间耦合对极化子非弹性散射性质的影响

基于一维紧束缚的Su-Schreiffer-Heeger模型, 采用非绝热动力学方法, 研究了链间耦合对聚合物中极化子对非弹性散射性质的影响: 激子的产生依赖于链间耦合, 随着耦合强度的增加, 正负极化子对的电子波函数交叠增强, 利于提高激子的产率; 当耦合区域是极化子的宽度时, 正负极化子对波函数的耦合最充分、耦合最强, 电荷跃迁更容易, 激子产率最大. 关键词： 聚合物 极化子 激子     

光注入提高半导体激光器混沌载波发射机的带宽

外光反馈下的半导体激光器可视为混沌载波发射机.数值研究发现，外部强光注入可以显著提高混沌载波发射机的带宽，带宽提高的程度在一定范围内与注入光的强度成正比.当外部光注入系数k_inj=0.39时，混沌载波的带宽由无光注入时的2.7GHz增大到14.5GHz，提高了5倍多.研究还发现，在相同的注入强度条件下，当注入光的频率比半导体激光器的中心频率高2—4GHz时，可实现最大限度的带宽增强.此外，适当提高半导体激光器的偏置电流也可以在一定程度上提高其产生的混沌载波的带宽. 关键词： 半导体激光器 混沌 带宽     

^95Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的^28Si束流，通过^60Ni(^28Si，2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态，测量了γ-γ符合及DCO比值，建立了一个有43条能级，75条γ跃迁的能级纲图，新增加了36条γ跃迁，25条能级。将能级自旋推高到（49/2^ ），首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。     

利用X射线激光干涉诊断等离子体电子密度

X射线激光波长短、脉冲短、亮度高而又具有良好相干性，用它作为探针来诊断高温高密度激光等离子体是一种非常好的工具。诊断的结果，一方面可以提供相关的等离子体信息，更重要的是可以用来校验相应的程序，对惯性约束聚变等研究具有重要意义。     

适合于应用实验的X射线激光探针

X射线激光实验研究的主要目的是进行相应的应用研究。由于具有波长短、脉冲短、亮度高、相干性好的优点，因此在很多领域有潜在的应用前景。在所有的应用中，利用X射线激光作为探针来诊断等离子体或其他介质材料方面的应用是最普遍的。一般来说，激光探针穿越等离子体或介质后，光束的强度、前进方向、光程都会发生变化。分别检测这些变化，就可以获得等离子体的电子密度或介质折射率的相关信息。这就需要对作为探针的X射线激光的输出特性有深入的了解，并且选择更合适的条件进行优化。采用场图测量的方法，即直接测量X射线激光的输出光束在某一位置处的截面光强分布，能够很好地提供关于X射线激光输出光束的全面的信息，对应用研究具有很好的参考和指导作用。     

强激光冲击铝合金改性处理研究

利用新型聚偏1.1-二氟乙烯（PVDF）压电传感器,实现了对激光引发的冲击波压力的实时测量,得到激光引发的冲击波峰压在铝中成指数型的衰减规律;观测了不同约束层材料在铝靶表面产生的激光冲击波,研究了不同约束层对冲击效果的影响;最后用激光冲击强化装置对7050-T7451航空铝合金结构材料进行了冲击强化处理,对试件激光冲击区存在的残余压应力及位错密度进行了测量。结果显示经激光冲击处理的试件表面具有极高的残余压应力,可达-200MPa以上。激光冲击处理后铝合金的位错密度得到显著的提高,疲劳寿命提高到175％～428％。这些重要结果对激光冲击改性处理技术的实际应用具有指导性作用。     

不同掺杂的钇系-123薄膜磁通特性

我们在磁场中分别测量了最佳掺杂的YBa2Cu3O7-δ、钙0．2掺杂的Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ及钙0．5掺杂的Pr1-xCaxBa2Cu3O7-δ薄膜的电阻温度关系．利用最近Zhang et al.[Phys．Rev．B71（2005），052502]提出的热激活能的分析方法对薄膜的磁通特性进行了分析、比较与讨论．     

Efficiency and droop improvement in a blue InGaN-based light emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the GaN barriers

The advantages of a blue InGaN-based light-emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the GaN barriers is studied. The carrier concentration in the quantum well, radiative recombination rate in the active region, output power, and internal quantum efficiency are investigated. The simulation results show that the InGaN-based light-emitting diode with a p-InGaN layer inserted in the barriers has better performance over its conventional counterpart and the light emitting diode with p-GaN inserted in the barriers. The improvement is due to enhanced Mg acceptor activation and enhanced hole injection into the quantum wells.