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Enhanced Green Electrophosphorescence from Oxadiazole-Functionalized Iridium Complex-Doped Devices Using Poly(9,9-Dioctylfluorene) Instead of Poly(N-Vinylcarbazole) as a Host Matrix
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Optoelectronic properties of the oxadiazole-functionalized iridium complex-doped polymer light-emitting devices (PLEDs) are demonstrated with two different polymeric host matrices at the dopant concentrations 1-8%. The devices using a blend of poly(9,9-dioctylttuorene)(PFO) and 2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD) as a host matrix exhibited a maximum luminance efficiency of 11.3 cd/A at 17. 6 mA/cm^2. In contrast, the devices using a blend of poly(N-vinylcarbazole) (PVK) and PBD as a host matrix reveal only a peak luminance efficiency of 6.Scd/A at 4.1 mA/cm^2. The significantly enhanced electrophosphorescent emissions are observed in the devices with the PFO-PBD blend as a host matrix. This indicates that choice of polymers in the host matrices is crucial to achieve highly efficient phosphorescent dye-doped PLEDs. 相似文献
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We investigate the wave propagation through the tilted interface of one-dimensional photonic crystals. Negative refraction can be realized by excitation of the Bloch states in the extended Brillouin zone with suppressed reflection. Equi-frequency surface analysis shows that the positive refraction, negative refraction or birefringence in this configuration can be achieved under a proper incident angle, which is confirmed by finite-difference timedomain simulations. The results may be useful in applications in the new devices based on one-dimensional photonic or optical waveguide arrays. 相似文献
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为了扩展光学相控阵的角度扫描范围,设计了基于体全息光栅的放大级,研究了光栅结构参数及其制作误差对性能的影响规律,提出了容差优化方法。研究结果表明:光栅厚度和折射率调制度是影响衍射效率的主要参数,光栅周期和光栅厚度是影响角度选择性的主要参数。光栅出入射角由光栅周期和光栅矢量倾斜角决定,在保持角放大率不变时,可以通过在出入射面内旋转介质调节这两个参数。实际制作中,光栅周期误差和光栅矢量倾斜角误差会导致衍射角偏离设计值,读出光波长越长,光栅周期误差的影响越小;光栅后面介质折射率越高,光栅矢量倾斜角误差影响越小。增加光栅厚度设计值可以减小光栅厚度误差对衍射效率的影响,而减小光栅厚度设计值可以减小折射率调制度误差对衍射效率的影响,实际制备时,需结合系统需求进行综合设计。 相似文献
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科技资源配置效率主要由科技投入和产出决定.选取2012-2015年的主要投入和产出指标数据,建立C~2R-BC~2静态效率评价模型和Malmquist动态效率评价模型进行效率分析.根据计算出的结果给出相关建议:提高中部六省的科技资源配置效率,应培育科技创新的思想意识;创造适宜的科技创新环境;引进培养高级专业技术人才集聚科技创新队伍;加大科技资本投入力度尤其是加大对基础研究的投资. 相似文献
769.
掺杂Fe作为第二种金属组分的V-HMS催化剂的苯羟基化反应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用浸渍法在V-HMS中引入第二种金属组分(Fe、Al、Cu、Ni、Co、Mo、Cr)以提高催化剂在H2O2为氧化剂的苯羟基化反应中的催化性能.筛选发现,Fe在所研究的金属组分中最为有效.进一步采用共合成法制备了一系列FexVy-HMS催化剂.采用粉末X射线衍射、N2物理吸附、透射电子显微镜、NH3程序升温脱附、H2程序升温还原等手段对催化剂的结构和性质进行表征,结果表明,HMS仍保持介孔结构,Fe的加入在催化剂中产生了新的酸性位和更强的氧化还原性.在苯羟基化反应中,钒物种是反应活性物种,铁物种起助剂作用,其中Fe0.04V0.06-HMS具有最高的催化活性,苯酚收率由不含Fe的Fe0.00V0.06-HMS的13.1%提高到18.1%.提出了Fe、V参与反应过程的可能机理. 相似文献
770.
Impact of gate offset in gate recess on DC and RF performance of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs
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Shurui Cao 《中国物理 B》2022,31(5):58502-058502
A set of 100-nm gate-length InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) were designed and fabricated with different gate offsets in gate recess. A novel technology was proposed for independent definition of gate recess and T-shaped gate by electron beam lithography. DC and RF measurement was conducted. With the gate offset varying from drain side to source side, the maximum drain current (Ids,max) and transconductance (gm,max) increased. In the meantime, fT decreased while fmax increased, and the highest fmax of 1096 GHz was obtained. It can be explained by the increase of gate-source capacitance and the decrease of gate-drain capacitance and source resistance. Output conductance was also suppressed by gate offset toward source side. This provides simple and flexible device parameter selection for HEMTs of different usages. 相似文献