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利用分子动力学模拟方法对温度及He泡深度给金属Ti内He泡的体积、压强和释放过程等带来的影响进行了研究. 首先, 通过研究室温下He泡在金属Ti内不同深度处的状态, 得到He泡的形状、压强、体积等物理量随其深度的变化规律. 发现He泡压强随其深度增加逐渐变大, 体积则逐渐减小, 但当He泡深度增大到2.6 nm时, 二者均维持在某个固定值附近. 然后对包含有He泡的Ti体系在温度作用下的演化过程进行了模拟, 发现不同深度处He泡从金属Ti内释放出来所需要的临界温度有很大差别, 总体来看He泡越深, 释放所需的临界温度越高. 但不同温度下He原子的释放速率没有明显差别, 释放过程几乎均为瞬间完成. 最后通过对He泡内部压强和其上方金属Ti薄层的抗张强度进行统计对比, 阐述了金属Ti 体内He泡的释放机制: 当He泡内部压强大于其上方Ti薄层抗张强度时, He泡就会将Ti 薄层撕裂, 从而使He原子得到释放. 相似文献
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匀速运动的带电粒子在穿过具有不同介电常数的两种媒质界面时要产生所谓光学渡越辐射。该辐射在粒子的入射平面上呈偏振行为;从辐射强度的角分布可以确定入射粒子的能量。在入射到双膜系统的情况下,由于干涉的发生,在第二膜前表面的强度角分布有振荡行为。利用这些现象,可对脉冲电子束包络半径、束电流密度的横向分布,束能量以及横向散角进行测量,依照这一原理在各LIA加速器上进行的脉冲电子束参数测量,获得的有效数据极大地提高了加速器的调试效率。 相似文献
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通过PPh~3对“非保护型”铂金属纳米簇进行表面修饰,并将其萃取至甲苯中,制备的PPh~3修饰的Pt金属钠米簇于空气中可自发地在玻璃表面生长出均匀透光的金属钠米簇薄膜。该金属钠米簇薄膜经空气中加热处理后可转化为透光导电的氧化铂半导体薄膜。考察了金属钠米簇薄膜生长过程中UV-vis吸收光谱的变化。采用SEM和TEM等方法,表征了纳米簇的粒径及膜的多孔结构,由此解释了其透光原因。研究了薄膜的导电性与处理条件的关系,并采用XPS表征了处理过程中的物质变化。初步探索了PPh~3-Pt纳米簇自发成膜过程的机理,确定了氧气在此过程中的重要作用。 相似文献
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在银纳米三角片表面增强拉曼散射(SERS)活性基底表面包裹二氧化硅后再修饰卟啉-万古霉素单体化合物(Por-Van),制备了功能化的复合纳米颗粒(AgNPl@SiO_2-Por-Van).将该复合纳米颗粒用于耐万古霉素肠球菌(VRE)的拉曼成像和光动力学抑菌治疗.结果表明,该复合纳米颗粒能够与VRE耐药菌细胞壁间高效特异性结合,并且其体外光动力学抑菌活性均显著优于卟啉和卟啉-万古霉素单体.体外小鼠伤口感染实验进一步证实了其体内光动力学抑菌疗效.Por-Van修饰的复合纳米颗粒将拉曼成像和光动力学抑菌治疗有效整合,作为一种新型诊疗系统,可用于VRE耐药菌相关感染的监测及治疗. 相似文献
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摇摆器是相对论性电子束与光场相互作用的区域,在FEL研究中起着至关重要的作用。在电子束品质(能散、发射度、流强等)一定的情况下,摇摆器的性能参数,如峰值场强、峰峰值误差、好场区大小等就基本决定了FEL增益。中物院远红外。FEL摇摆器由于受使用寿命及国内加工水平不够等因素影响,其整体性能在使用3年后发生了较大变化,已不能再满足下一阶段FEL受激辐射研究的需要。概括起来有以下5点:峰值场强的设计值为0.3000T,研制完成时的实际值约为0.2900T,现已下降至0.27T。峰值场强的下降不但会引起总体设计波长的漂移,而且会导致FEL小信号增益的下降;研制完成时的峰峰值误差为1.4%,现在的最好状态为2.5%。峰峰值误差过大将导致FEL谱线展宽, 相似文献
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力链是颗粒体系研究中的重要概念,是微观现象的集中体现,对宏观颗粒物质体系起着重要作用。采用光弹方法对受竖向荷载作用的混合直径颗粒体系进行加压实验,结合数字图像处理技术和G2值法(彩色梯度均方值算法),分析了颗粒体系在竖向荷载作用下几何结构的变化以及接触力、力链网络的分布情况。首先通过数字图像处理技术统计出颗粒体系在不同竖向荷载作用下的接触向量角度分布情况,发现其集中分布区间只是在区间分布频率上出现小幅波动,竖向荷载的增大并不会对整体分布产生影响。然后通过G2值法求出了颗粒体系的G2值,并对单个颗粒的G2值和平均接触力F的关系进行了拟合,结果表明,光弹颗粒的G2值随着F的增大而增大,接触点少的颗粒G2值反而偏大。接着通过拟合公式计算出单个颗粒的接触力,根据其与平均接触力的比值频率统计结果画出接触力频率分布曲线,从曲线结果来看,竖向荷载的增大能够让颗粒体系中直径较小的颗粒接触力更加接近平均接触力,分布更加统一;直径较大的颗粒能够支撑起更多的荷载并接触到更多其他... 相似文献
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强流电子束束参数瞬态测量系统在直线感应加速器的复杂电磁环境中会受到强电磁的干扰,主要包括:干扰特性、干扰机理、数学描述、抑制措施、防范措施等,这些干扰既针对电路又针对系统,从而对束参数瞬态测量系统测量的稳定性以及测量数据的有效性都有很大的影响。介绍时间分辨测量系统的原理,分析了瞬态脉冲干扰的成因和抑制方法,给出了束参数测量系统的实验布局和特点,进一步探讨电子器件电性能受瞬态脉冲干扰后的抑制措施,其目的是为了达到减少或消除干扰,破坏干扰信号的传输条件,从而提高整个系统的抗干扰能力及可靠性。通过采用光纤传输控制信号可以很好地传输窄脉冲,减少信号延时抖动,以达到高速信号的可靠稳定传输;利用紧凑嵌入式方法,提高了抗电磁干扰的能力,可以更好保护测量系统电子器件,提高整个系统的抗干扰能力。 相似文献