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161.
任何的非平面连接,材料连接处的材料失配都能导致材料局部或整体性质的改变.本文以纵向拉开的碳纳米管(CNT)为研究对象,采用非平衡态分子动力学(NEMD)的模拟方法,通过改变CNT纵向拉开的剧烈程度,即CNT向石墨烯纳米带(GNR)过渡转变的开角大小,研究其力学稳定性和热传导性质的变化.结果表明,CNT到GNR的过渡越剧烈,连接处的开角越大,其局部热导率越高,单位长度的热阻越小;对于不同管径的CNT来说,连接处的最大开角恒定不变,为16.3°. 相似文献
162.
基于第一性原理,系统研究了11种不同原子吸附在单层AsP上的几何结构、吸附能、磁矩和电子结构性质. 使用的吸附原子包括轻质非金属(C、N、O)原子,第三周期金属原子(Na、Mg、Al)和过渡金属原子(Ti、V、Cr、Mn和Fe). 研究结果表明,吸附原子引起了AsP多样的结构、磁性和电子性质改变. AsP与所研究的吸附原子都能紧密结合,并且所有系统的吸附能都比吸附原子在石墨烯、SiC、BN以及MoS2上的吸附能强得多. AsP的半导体特性受到吸附原子的影响,其可以诱导产生中间能隙态或引起n型掺杂. 此外,表面吸附产生了不同的自旋电子特性,具体而言,吸附N、Ti和Fe的AsP成为双极半导体;Mn修饰的AsP成为双极自旋无间隙半导体. 相似文献
163.
用原子分子反应静力学与群论的方法,推导了AlH、AlD及AlT的基电子状态为1Σ+。在QCISD/6-311G水平上对氢化铝进行了计算,导出了其MurrelSorbie势能函数,并计算了氢同位素分子及其铝化物的能量E和熵S。设用总能量中的电子和振动能量近似代表AlH、AlD和AlT分子处于固态时的能量,用总熵中的电子和振动熵近似代表这些分子处于固态时的熵,进而计算了铝吸附H2,D2和T2分子过程的ΔH°,ΔS°,ΔG°和平衡压力,并导出它们与温度的函数关系,计算指出了同位素分子效应,结果合理。 相似文献
164.
165.
在考虑相对论有效原子实势(RECP)近似下,用QCISD方法计算了PuH分子基态X8Σ+的MurrellSorbie解析势能函数和热力学函数。Re,De,Be,αe,ωe,ωeχe的理论计算值,分别为2.28,1.2227eV,3.2334,0.07742,1146.2632,24.7514(cm-1)。还给出了PuH(g)在298.15-911K之间的生成热力学函数ΔH0,ΔS0,ΔG0和Cp的计算值 相似文献
166.
在考虑相对论有效原子实势(RECP)近似下,用QCISD方法计算了PuH分子基态X8Σ 的MurrellSorbie解析势能函数和热力学函数。Re,De,Be,αe,ωe,ωeχe的理论计算值,分别为2.28,1.2227eV,3.2334,0.07742,1146.2632,24.7514(cm-1)。还给出了PuH(g)在298.15-911K之间的生成热力学函数ΔH0,ΔS0,ΔG0和Cp的计算值 相似文献
167.
利用全相对论性多组态Dirac-Fock平均能级(MCDF-AL)方法系统地计算了高离化类铍离子自 旋禁戒2s2 1S0—2s2p3P1(Z= 10—103)跃迁的能级间隔和跃迁概率,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正 和QED修正,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较,结果表明:高原子序数 的高荷电离子的自旋禁戒跃迁的跃迁概率和中性原子的电偶极E1的相当,在ICF和MC
关键词:
高离化态
跃迁概率 相似文献
168.
利用全相对论性多组态Dirac Fock平均能级 (MCDF AL)方法系统地计算了高离化类铍离子自旋禁戒 2s21S0 — 2s2 p3 P1(Z =10— 10 3)跃迁的能级间隔和跃迁概率 ,计算中考虑了重要的核的有限体积效应 ,Breit修正和QED修正 ,所得结果和最近的实验数据及理论计算值进行了比较 ,结果表明 :高原子序数的高荷电离子的自旋禁戒跃迁的跃迁概率和中性原子的电偶极E1的相当 ,在ICF和MCF高温激光等离子体中 ,自旋禁戒跃迁概率过程不容被忽视 . 相似文献
169.
170.