伪欧氏空间中直纹面的性质

讨论伪欧氏空间中的直纹面。利用活动标架法研究了直纹面的一些性质，包括极小性。全可展性，全测地性和全脐性，给出了直纹面是全可展性的一组充要条件，同时得到，Rv^n＋1中的k＋1维直纹面M是全测地的充要条件是它是极小的且全可展的。特别，若M的生成空间是类空的或类时的，则当k≥2时，M全测地与全脐等价。本文还讨论了Rv^n＋1中直纹超曲面的Gauss—Kronecker曲率G,当n≥3时，G=0。这与低维情形绝然不同，在R^3或R1^3中只有当直纹面是可展时，高斯曲率才为0。     

聚苯乙烯在环己烷溶剂中的核磁共振弛豫和微成象研究

通过聚苯乙烯(PS)在θ溶剂(环己烷)中的变温¹³C-NMR弛豫测量,获得了侧基苯环和主链的两类碳核在溶剂中明显不同的行为。显示出聚苯乙烯在环己烷溶剂中溶解过程分成两步,在θ温度以下聚合物的溶胀实质上主要是侧基苯环被溶剂分子分散的结果;θ温度以上聚合物的溶解是聚合物主链在溶剂中分子水平的分散。由质子核磁共振化学位移成象结论进一步证实了¹³C-NMR的T₁(C)的结果。实验结果显示,核磁共振能够得到聚合物在θ溶剂中溶解的动力学过程的信息。     

甲基丙烯酸甲酯-萘乙烯共聚物的核磁共振研究──1.甲基丙烯酸甲酯-萘乙烯共聚物的2D NMR谱研究

用500MHz超导核磁共振谱仪测定了甲基丙烯酸甲酯-萘乙烯共聚物的二维异核多量子化学位移相关谱和二维相敏NOESY谱，由此归属了共聚物的碳谱和氢谱，结果表明，聚合物是以无规共聚物为主，其中有一部分是以头一头（或尾一尾）相接的．文中还以反门控去偶测得其共聚含量．     

介绍一个不用波长片测量椭圆偏振光位相差的方法

利用椭圆偏振光的特性来测量金属、半导体的薄膜厚度、反射特性、复数折射率等等,已有成熟的方法与仪器。它们最核心的问题是要测量一个椭圆偏振光的水平分量与垂直分量之间的位相差。因此测量椭圆偏振光两个分量之间的位相差既有其本身的重要性,也是一个很有实际意义的问题。目前已有的测量位相差的方法有:利用四分之一波长片(例如国产 TP—77型椭圆偏振光测厚仪)、利用巴俾涅-索累补偿器。利用电光调制器等等。本文打算再介绍一个新的测量位相差的方法。 (一)原理 从 M.玻恩和 E.沃耳失著“光学原理”中译本45页公式(24)我们知道式中a、…     

Coulomb－Born近似下的He基态（e，2e）三重微分散射截面

在Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ近似下，利用满足一定边界条件且包括电子动量相关的库仑波近似描述ｅ－＋Ｈｅ（１ｓ２）→Ｈｅ＋（１ｓ１）＋２ｅ－两出射电子，得出了三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的明晰表达式，计算了入射能为６００ｅＶ和４００ｅＶ、散射角为４°和１０°条件下的ＴＤＣＳ，并与实验值和Ｂｒａｕｎｅｒ理论结果进行了比较。结果发现，电子动量相关效应对解释ｂｉｎａｒｙ峰和ｒｅｃｏｉｌ峰的大小和位置起重要作用。     

LiKSO4单晶体内体位相光栅引起的光衍射现象

本文报道光通过LiKSO₄单晶体产生的有规律性的衍射现象,衍射环和衍射带。观察了不同实验条件对衍射现象的影响,可以肯定这些现象是波矢k垂直于c轴的体位相光栅所产生。伴随衍射环内外各出现副环的来源尚未能理解。 关键词：     

1982年国家自然科学奖获奖数学项目名单简介

国家科委设立的自然科学奖励委员会于1982年7月对请奖项目经过认真评选,最后用无记名投票方式,评选出我国122项自然科学方面的重要成果,其中获奖数学项目有19项,项目名称及主要作者如下表所示:     

分光光度法测定矿石中的铈族元素

对于轻、重稀土的分组测定,国内分析工作者进行了大量的工作,但大部采用阴离子交换,纸色层或溶剂萃取分离。S.B.Savvin 等曾研究了在轻、重稀土共存时偶氮硝羧与铈族元素的反应条件。武汉大学合成了该试剂,为开展此项工作创造了条件。本试验主要是在测定稀土总量的基础上,确定了一些偶氮硝羧测定铈族元素的主要条件,并拟定了矿石分析中测定铈族元素的流程。     

Temperature dependence of biaxial strain and its influence on phonon and band gap of GaN thin film

Hexagonal GaN epilayer grown on sapphire substrate by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) is studied using Raman scattering and photoluminescence in a temperature range from 100\,K to 873\,K. The model of strain (stress) induced by the different lattice parameters and thermal coefficients of epilayer and substrate as a function of temperature is set up. The frequency and the linewidth of $E_2^{\rm high}$ mode in a GaN layer are modelled by a theory with considering the thermal expansion of the lattice, a symmetric decay of the optical phonons, and the strain (stress) in the layer. The temperature-dependent energy shift of free exciton A is determined by using Varshni empirical relation, and the effect of strain (stress) is also investigated. We find that the strain in the film leads to a decreasing shift of the phonon frequency and an about 10meV-increasing shift of the energy in a temperature range from 100\,K to 823\,K.