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841.
Temperature dependence of biaxial strain and its influence on phonon and band gap of GaN thin film
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Hexagonal GaN epilayer grown on sapphire substrate by metal organic
chemical vapour deposition (MOCVD) is studied using Raman scattering
and photoluminescence in a temperature range from 100\,K to 873\,K.
The model of strain (stress) induced by the different lattice
parameters and thermal coefficients of epilayer and substrate as a
function of temperature is set up. The frequency and the linewidth of
$E_2^{\rm high}$ mode in a GaN layer are modelled by a theory with
considering the thermal expansion of the lattice, a symmetric decay
of the optical phonons, and the strain (stress) in the layer. The
temperature-dependent energy shift of free exciton A is determined by
using Varshni empirical relation, and the effect of strain (stress)
is also investigated. We find that the strain in the film leads to a
decreasing shift of the phonon frequency and an about
10meV-increasing shift of the energy in a temperature range from
100\,K to 823\,K. 相似文献
842.
843.
以聚苯乙烯反相色谱柱为固定相,建立高效液相色谱-示差检测法(HPLC-RI)快速在线检测依替米星含量。采用MKF-RP-ETM色谱柱(300×7.8 mm,5μm),流动相为0.4 mol/L乙酸钠缓冲液(pH5.5),流速为1.0 mL/min。结果表明,MKF-RP-ETM色谱柱和HPLC-RI法可方便、快速用于分析鉴定依替米星及杂质,依替米星保留时间约为14 min,与杂质能够达到基线分离。本方法较之薄层色谱法、衍生化法,可方便、快速、有效地用于依替米星发酵液生产、纯化过程中快速在线检测。 相似文献
844.
845.
研究了PEG1000-DIL/甲苯温控体系中硝基芳烃的还原反应.考察了催化加氢、水合肼/FeCl3.6H2O和水合肼/Fe5HO8.4H2O等3种还原体系,发现水合肼/Fe5HO8.4H2O在PEG1000-DIL/甲苯温控体系中具有很高的催化活性,将其用于12种硝基芳烃的还原反应,产率最高可达99%.该催化体系重复使用3次后产率无明显变化,用于卤代硝基苯类化合物的还原可以有效防止脱卤副反应的发生. 相似文献
846.
成庄无烟煤大分子结构模型及其分子模拟 总被引:4,自引:0,他引:4
利用晋城矿区成庄矿煤的工业分析、元素分析、13C-NMR、XPS等实验结果,构建了其大分子结构模型.模型中,芳香碳以2、3、4环结构为主,最大环数达五个;脂肪碳以甲、乙基侧链及环烷烃的形式存在.九个氧原子分别以七个羰基(主要为醌基)、一个羟基及一个醚氧的型式存在;两个氮原子以吡咯的形式存在.硫原子含量很低,在模型构建中没有体现.采用分子力学(MM)和分子动力学(MD)方法,对成庄煤结构模型进行能量最小化模拟.结果表明,分子内及分子间芳香层片之间的π-π相互作用,使其以近似平行的方式排列;高煤级煤结构中,短程有序的原因主要是分子间芳香层片的定向排列.分子间的氢键能及范德华能使结构达到最稳构型. 相似文献
847.
A novel enhanced mode(E-mode)Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)with vertical FINFET structure is proposed and the characteristics of that device are numerically investigated.It is found that the concentration of the source region and the width coupled with the height of the channel mainly effect the on-state characteristics.The metal material of the gate,the oxide material,the oxide thickness,and the epitaxial layer concentration strongly affect the threshold voltage and the output currents.Enabling an E-mode MOSFET device requires a large work function gate metal and an oxide with large dielectric constant.When the output current density of the device increases,the source concentration,the thickness of the epitaxial layer,and the total width of the device need to be expanded.The threshold voltage decreases with the increase of the width of the channel area under the same gate voltage.It is indicated that a set of optimal parameters of a practical vertical enhancement-mode Ga2O3 MOSFET requires the epitaxial layer concentration,the channel height of the device,the thickness of the source region,and the oxide thickness of the device should be less than 5×1016 cm-3,less than 1.5μm,between 0.1μm-0.3μm and less than 0.08μm,respectively. 相似文献
848.
849.
本文通过对所谓的Mina矩阵$\mathbf{D}^{n}_x(f^{a_k}(x))$建立的LU分解,不仅得到Mina行列式恒等式的一个初等证明,而且还给出了Mina矩阵的逆矩阵. 进一步地,通过建立在拉格朗日插值公式上的矩阵分解,本文给出了Mina型矩阵的两个新的行列式恒等式. 相似文献
850.
首先采用高温固相反应法合成了由纳米球状结构紧密堆积的微米级粉体Ag2Nb4O11,然后通过粉末冶金技术制备了添加铌酸银(Ag2Nb4O11)的NiAl基复合材料(NABO20,NiAl-20%Ag2Nb4O11),考察其对复合材料显微结构、力学及摩擦学性能的影响. 结果表明:热压烧结过程中,Ag2Nb4O11发生高温分解及与C发生氧化还原反应,形成了NbC和Ag相. 铌酸银(Ag2Nb4O11)的添加使得复合材料的密度略有增加,并且显著改善了NiAl基复合材料的显微硬度. 在高温摩擦条件下(800 ℃),由于NABO20磨损表面和Al2O3对偶球表面均形成完整光滑的润滑膜(Nb2O5、Al2O3、Ag2Nb4O11、AgNbO3和AgNb3O8),两层膜的存在阻隔了对偶球和复合材料的直接接触,抑制了磨损进程,从而有效地提高了复合材料的耐磨性能. 相似文献