Bi-Sr-Ca-Cu-O2212相超导单晶的定向生长

用定向凝固法已成功地生长出Bi-Sr-Ca-O2212相的超导大单晶,最大的单晶尺寸达到19×3×2mm³。定向生长的单晶(001)面平行于生长方向,[100]方向为单晶的定向生长方向。劳厄像表明大晶体确为单晶,其质量比其它方法生长的单晶要高。氧气中退火后的单晶电阻测量和交流磁化率测量表明,零电阻温度T_c(0)=81.5k。 关键词：     

Growth and Chemical Thermodynamics Analysis of SiC Film on Si Substrate by Heating Polystyrene/Silica Bilayer Method

采用改进的PS/OCS/Si(111)叠层热解法,在石英高温管式炉中,常压流通Ar气氛下,于1300 o C制备出了无层错空洞缺陷的晶态SiC薄膜．采用红外、X射线衍射和扫描电镜等分析方法对薄膜样品进行了表征．并研究了这种方法制备SiC薄膜的化学热力学过程．通过对反应平衡常数和吉布斯自由能的计算,初步确定了生成SiC的主反应的发生顺序以及反应体系的平衡状态,并论证了流通的Ar气氛对于反应的持续进行是必须的．该方法制备的薄膜为SiO2/SiC/Si(111)结构,这种结构对于半导体MOS器件的应用是非常有利的．该SiO2层形成反应后期降温阶段,并且可以通过RCA清洗工艺(标准半导体清洗工艺)彻底清除．目前还没有发现用这种方法生长SiC薄膜的报道．     

AgI(Cr_2O_3)混合离子导体改性的机理研究

本文研究了Agl(Cr_2O_3)混合离子导体的红外吸收光谱、近紫外、可见反射光谱,透射电子显微镜的显微形貌及成份分析,发现混合离子导体的微观结构与纯Agl,Cr_2O_3不同。由透射电子显微镜的显微形貌得出不同于他人的介质模型。提出电介质引起的变形极化,导致了微观精细结构改变的观点。并对其物性改变的机理给予了讨论。     

AgI(Cr2O3)复合离子导体的光谱研究

本文研究了AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的红外吸收光谱,近紫外、可见反射光谱。发现复合离子导体的两种谱图均与纯AgI,Cr₂O₃的不同。红外吸收光谱在882—889cm^-1处有一新吸收峰。电子谱中,AgI从430nm开始向长波方向表现的光离解特性消失。本来Cr₂O₃由配位场效应而引起的d—d吸收跃迁以410nm,530nm为中心的反射谱带,现在410nm处的谱带消失。530nm处的谱带稍有红移,且随加入Cr₂O₃量的增多而强度减弱。代之以整个紫外、可见区的较强吸收。对此,结合透射电子显微镜的分析,用双声子耦合和介质的变形极化以及配位场理论对AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的声子谱和电子谱进行了解析。 关键词：     

高掺杂Sn对Y-Ba-Cu-O体系结构和性质的影响

通过对高掺杂Sn的YBa₂Cu_3-xSn_xO_7-y体系的穆斯堡尔谱测量,确定了掺杂的Sn全部以Sn⁴⁺离子形式存在,多数占据Ba,Y,Cu(2),少量占据Cu(1)位置,Sn含量x不同,其在各个位置上的占有比例也不同,超导电性测量表明,该系列样品T_c大都在77K以上,Cu(2)和Y位上的金属离子被替代对超导温度T_c影响不大,为Cu-O面不是超导的主要原因 关键词：