分子连通指数预示保留值的探讨

近年来,应用图论(graph theory)的理论和方法来研究化学现象已日益增多,并取得了明显的进展。1974～1975年间,Randic应用这种理论和方法来描述分子的拓扑性质,即分子中每个原子的连接状况——分子结构式,并按图式的边(edge,即化学键)和每个顶点(vertex,即原子)的度(degree,即原子在分子中所处的价态)来计算出每个分子结构式的特征值——连通指数(Connecfivify index)。Randic指出许多与分子形状、大     

理论联系实际 激发学习热情

主张在教学中注重理论联系实际原则,把学到的数学知识与方法运用到实际问题中去,尤其是解决经济学的问题,逐步培养学生利用数学去分析经济问题．解决经济问题的意识和能力,至关重要．实例说明在经济数学基础课程教学中如何通过贯彻理论联系实际原则．来激发学生的学习热情和积极性．     

N-哌嗪烷基酰胺类化合物的合成与DNA相互作用及生理活性

为研究多胺类化合物的抗肿瘤活性, 合成了9个哌嗪烷基酰胺衍生物, 其结构经¹H NMR, MS及元素分析确证. 合成的化合物与三个作为酰化剂的消炎药物萘普生、布洛芬和联苯乙酸及抗癌药物五氟尿嘧啶一并对人口腔上皮癌细胞(KB)、人肺癌细胞(A-549)、乳腺癌细胞(MDA)、人肝癌细胞(Bel-7402)四种肿瘤细胞进行了体外抑制率测试. 结果表明, 所合成的化合物对KB细胞和Bel-7402细胞有正抑制作用, 但对A-549和MDA细胞呈负抑制作用, 意外的是四种商品药物也有类似结果. 还测试了对酪氨酸激酶的抑制作用, 未发现明显活性. 联苯乙酸和N-2-哌嗪基-乙基-4-联苯乙酰胺对DNA荧光光谱的影响表明联苯乙酸可嵌入DNA而后者没有表现出多胺衍生物与DNA的嵌入式作用.     

平板波导光子阱中自发发射特性

本文从腔量子电动力学角度讨论了平板波导光子阱中自发辐射特性与阱厚度之间的依赖关系,从而对光学微腔的设计提供了理论依据.     

低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.     

THE ANNEALING EFFECT OF CRYSTAL 4H-SiC FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION

SiC films were prepared by pulsed XeCl laser ablation of ceramic SiC target on Si(100) substrate at temperature 850℃ and post-deposition high temperature annealing above 1100℃ (1100℃-7 Pa). The surface morphology, crystal structure, composition and chemical state of the element in the films before and after annealing were studied by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, Auger electron Spectrum, X-ray photoelectron spectrum and photoluminescence methods. It was found that the films were consisted of polycrystal 4H-SiC structure before annealing and were turned into singlecrystal epitaxial 4H-SiC after annealing. The surfaces of the films were smooth and the adhesion of films with the substrate was good. The films were transparent. Excited by the laser with wavelength 290 nm at room temperature, the films emitted two luminescence bands with the peaks at 377 nm and 560 nm. The emission at 377 nm was attributed to the combination of the transmission among the valence and conductor bands, while the one at 560 nm was possibly to be from exciton emission.     

高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限GaAs/AlGaAs单量子阱激光器，室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注入电流和温度改变对波长的影响。     

KAg4I5-AgI复合体系的电导率研究

采用固相反应法将市购的AgI和KI按4.1 ∶1的摩尔组分配比,在避光干燥的条件下混合加热,制备出了KAg₄I₅ (10%AgI )复合体系.用X射线衍射谱、扫描电子显微镜、复阻抗谱、差示扫描量热等分析手段,对复合体系的结构、形貌、离子导电特性及相变温度进行了研究.结果发现,两相均为快离子导体的材料复合后,其复合体系的离子电导率比各自为纯相时都高,并且升降温-电导率曲线为迟滞回线,AgI的升降温相变温度分别滞后5和10 ℃.用界面间相互作用、空间电荷模型及Gou 关键词： 离子电导率 电化学势 空间电荷区 相变温度     

有序介孔SBA-15复合稀土Tb络合物的制备和发光特性

以三嵌段化合物P123为模板剂、正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,利用水热法制备出有序介孔二氧化硅SBA-15,随后利用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)、乙酰丙酮(ACAC)分步对该有序介孔材料进行改性,再将其置于乙醇溶液中,加入三价稀土Tb的盐溶液进行络合,制备出具有强发光性能的有序介孔纳米复合稀土材料。采用XRD、FTIR和荧光光谱等分析方法对复合材料的结构与性能进行了研究。发现有序介孔材料、第二配体(邻菲口罗啉Phen)对稀土络合物发光强度有重要影响,并对其机理进行了解释。另外,发现其热稳定性也有所提高。     

GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光二极管结构,采用分子束外延(MBE)方法进行了材料制备。同时利用X射线双晶衍射,变温(10～300K)光致发光(PL)等方法检测分析了外延薄膜的结构和光电特性。在光致发光谱线中我们得到了发射波长850nm的谱峰,谱峰范围跨跃800～880nm,双晶回摆曲线结果显示了设计的结构得到实现。在注入电流140mA时,器件输出光谱的半峰全宽可以达到26nm,室温下连续输出功率达到6mW。