基于YVO4∶Eu纳米发光材料的足迹增强显现

足迹显现技术一直是刑事科学技术领域中的关键技术之一,也是足迹分析与足迹鉴定的重要前提。本研究在借鉴手印纳米荧光显现技术先进研究成果的基础上,提出了基于YVO₄∶Eu纳米发光材料的足迹增强显现技术,旨在改善提升足迹的显现效果。以稀土硝酸盐和原钒酸钠为原料、柠檬酸三钠为表面修饰剂,利用水热法合成出适于足迹显现的YVO₄∶Eu纳米发光材料。采用透射电子显微镜、X射线衍射谱、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、傅里叶变换红外光谱对该纳米发光材料的微观形貌、晶体结构、吸收性质、发光性能、表面基团进行表征。所合成的YVO₄∶Eu纳米发光材料其微观形貌为类球形、平均粒径为39.2 nm,其晶体结构为四方晶系,紫外最强吸收波长为257 nm,在254 nm紫外光激发下能够发射614 nm红色可见光,表面为柠檬酸分子修饰。研究最终将YVO₄∶Eu纳米发光材料应用于赤足足迹和穿鞋足迹的增强显现技术,并详细探讨了两种类型足迹的粉末法显现原理。赤足足迹显现结果表明,足迹的形态轮廓分明,乳突纹线连贯,细节特征明显,屈肌褶纹、脱皮、附着物等特征反映明显;穿鞋足迹显现结果表明,足迹的鞋底花纹特征完整明显,以上显现痕迹特征均能够达到足迹检验鉴定的要求。另外,该研究分别探讨了纳米材料的发光性能、颗粒尺寸、微观形貌对于提高足迹显现对比度、灵敏度、选择性的具体作用。该研究提出的基于YVO₄∶Eu纳米发光材料的足迹增强显现技术具有对比度强、灵敏度高、选择性好等一系列显著优势,为稀土发光纳米材料的研究拓展了应用范围,也为足迹显现传统方法的发展提供了创新思路。     

6″CZSi热系统的改造对原生缺陷密度的影响

在大直径CZSi单晶生长时,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成.通过变单晶炉的普通热系统为以矮加热器为主的复合式热系统,改普通氩气流场为可控氩气流场,得到了原生缺陷密度不同的硅单晶,并通过对氩气流场的模拟分析,较好地解释了实验结果.     

Configuration of the valence neutrons of 17B

The reaction cross section of ¹⁷B on ¹²C target at (43.7±2.4)MeV/u has been measured at the Radioactive Ion Beam Line in Lanzhou (RIBLL). The root-mean-square matter radius (R_rms) was deduced to be (2.92±0.10)fm, while the R_rms of the core and the valence neutron distribution are 2.28fm and 5.98fm respectively. Assuming a ``core plus 2n' structure in ¹⁷B, the mixed configuration of (2s_1/2) and (1d_5/2) of the valence neutrons is studied and the     

密度分布形式对Glauber模型计算σR的影响

描述了利用Glauber模型计算反应截面的一种方法 .该方法对Glauber模型中输入的密度分布形式进行了修正 ,计算了丰质子同中子核素 (N =3 )的激发函数 .对于该同中子素链 ,采用修正的密度分布得到的激发函数与HO分布得到的激发函数相比 ,在大于 1 0 0MeV/u的能量区域 ,两者都与实验值符合得很好 ,而在中能区 (小于 1 0 0MeV/u) ,用修正的密度分布计算得到的激发函数与实验值之间的差距较HO分布明显减小 ,并保持对所有计算的核核芯密度基本相同 .     

丰中子核8He在Si靶上的反应总截面的测量

利用HIRFL 50MeV/u ¹³C束流在Be靶上碎裂,RIBLL选择出丰中子放射性次级束流⁸He,实验测量了25—40MeV/u ⁸He在²⁸Si靶上的反应总截面.采用双参数HO密度分布形式,通过微观Glauber模型拟合⁸He实验数据,发现⁸He具有扩展的中子密度分布.实验结果与Warner反应总截面实验和Alkhazov弹性散射实验结果较好地符合.     

2—甲酰基雌二醇和2—甲酰基雌酚酮的晶体和分子结构

本文用X射线衍射法测定了雌甾化合物的衍生物2—甲酰雌二醇和2—甲酰基雌酚酮的晶体和分子结构。     

超高速碰撞LY12铝靶产生闪光辐射的速度及角度效应

为了研究超高速碰撞产生闪光辐射的速度及角度效应,利用建立的瞬态光纤高温计测量系统结合二级轻气炮加载系统,进行了6种实验条件下的超高速碰撞实验。每组实验使用一组光纤探头,基于实验所获原始数据结合标定,通过Matlab编程处理得到了给定实验条件及光纤探头安装条件下,超高速碰撞LY12铝靶产生的闪光辐射与碰撞速度和弹丸入射角度的关系。实验结果表明,超高速碰撞LY12铝靶产生的闪光辐射在温度峰值出现前近似与碰撞速度和弹丸入射角度(弹道与靶板平面的夹角)正弦乘积的平方成正比;碰撞闪光辐射在温度峰值出现后近似与碰撞速度和弹丸入射角度正弦乘积的0.75次幂成正比,与理论推导结果基本吻合。     

晶体取向对定向凝固枝晶生长的影响

采用类金属透明模型合金丁二腈-1.0 wt%乙醇(SCN-1.0 wt% Eth)合金, 考察了晶体取向对定向凝固过程中晶粒的平界面失稳孕育时间、枝晶形态演化以及枝晶一次间距的影响. 结果表明, 随着枝晶择优生长方向与温度梯度方向夹角的增大, 晶粒的平界面失稳孕育时间增加, 界面的稳定性增强; 对于不同晶体取向的枝晶形态演化, 枝晶择优生长方向与温度梯度方向夹角越大, 枝晶二次臂不对称生长越严重, 同时, 具有生长优势的枝晶二次臂对相邻枝晶的生长的抑制越强烈; 至于不同晶体取向的枝晶一次间距, 随着枝晶择优生长方向与温度梯度方向夹角的增大, 枝晶一次间距增大. 关键词： 定向凝固 平界面失稳 枝晶间距 晶体取向     

超高速碰撞2024-T4铝靶产生的等离子体对逻辑芯片的干扰

 为了掌握超高速碰撞产生等离子体对航天器上常用典型逻辑芯片产生的干扰,利用自主设计的朗缪尔三探针诊断系统,进行了弹丸（入射速度为6.10 km/s,入射角度为30°）超高速碰撞2024-T4铝产生等离子体的特征参量诊断,测量了给定位置和方位角处等离子体的电子密度,利用数据采集系统对实验给定位置和方位角处逻辑芯片的干扰情况进行了评价。实验结果表明,超高速碰撞产生的等离子体对航天器上常用的逻辑芯片将产生严重干扰。