AA_g型自由基加聚反应的固化理论——Ⅱ网络结构参数的表征

应用高分子统计方法 ,计算了Af Ag 型自由基聚合反应体系的弹性有效链数、弹性有效链节数、平均弹性有效链长和悬吊链数、悬吊链节数、平均悬吊链长 ,以及体系的有效交联点数和弹性模量 ,进而给出弹性有效链的数量和重量分数的表示式 .     

Af型自由基均聚反应的固化理论(Ⅲ)──高分子凝胶网络缺陷

应用高分子反应统计理论,分析了高分子网络的形成过程,讨论了A_f型自由基均聚反应凝胶网络中的缺陷悬吊环的数目及其形成几率.     

基于PSO_Trainlm BP模型的图像去噪研究

针对在使用BP模型进行图像去噪时,模型存在的对初始权阈值敏感、易陷入局部极小值和收敛速度慢的问题.为了提高模型去噪效率,提出采用改进粒子群神经网络模型进行图像去噪.首先运用改进粒子群算法对BP神经网络权阈值进行初始寻优,再用trainlm BP算法对优化的网络权阈值进一步精确优化,随后建立基于粒子群算法的BP神经网络去噪模型,并将其应用到图像去噪研究中.仿真结果表明,新模型结合了粒子群算法的全局寻优能力和BP算法的局部搜索能力,减小了模型对初始权阈值的敏感性,有效防止了模型陷入局部极小值的可能,提高了图像去噪模型的速度和质量.     

酸碱分步催化对溶胶-凝胶ZrO2膜光学性能的影响

以丙醇锆作为前驱体,利用酸碱分步催化法制备了ZrO2溶胶,用粒度仪检测胶体粒度;用N2吸脱附表征凝胶的结构;采用旋转镀膜法在K9基片上镀制单层ZrO2薄膜;用分光光度计和椭偏仪检测膜层的透过率、折射率及膜层厚度;用红外光谱仪检测胶体内部粒子间化学键状态。实验结果发现,在脉宽1 nm,波长1 064 nm时,采用此种胶体镀制的单层ZrO2膜层折射率达到1.74,单层膜损伤阈值为9.0 J/cm2,表明该方法集中了酸与碱两种催化方式的优点,一定程度上提高了膜层的光学性能。     

CO2激光预处理参数对石英基片表面粗糙度的影响

为研究CO2激光预处理参数对熔石英基片表面粗糙度的影响,采用频率为100 Hz,光斑面积为1 mm2的CO2激光对理想的熔石英基片进行辐照处理,根据处理后基片表面微观形貌特征将修复程度分别定义为轻度、中度和重度修复,并对3种修复程度下基片的表面粗糙度值进行了统计。研究了不同脉冲作用时间和不同占空比（激光功率）的激光束单点单次辐照基片后的表面粗糙度。结果表明：石英基片的表面粗糙度均方根值和处理造成的凹陷深度均随脉冲作用时间和功率的增加逐渐变大;均方根值的增幅逐渐增加,凹陷深度的增幅逐渐减小。     

用激光清洗金膜表面硅油污染物

采用CO2激光对镀金K9玻璃表面的二甲基硅油污染物进行清洗,在激光器单点作用模式下,分别研究了激光功率和作用时间对清洗效果的影响;并研究了连续扫描工作模式下的激光清洗效果。采用光学显微镜和傅里叶变换红外光谱仪表征激光清洗效果,研究结果表明：通过良好的控制激光参数,采用CO2激光清洗二甲基硅油具有明显的效果;此种非接触式清洗方式可确保K9玻璃表面的金膜完好无损。采用有限元分析软件模拟计算了激光功率和作用时间对清洗过程中温度的影响,计算结果与实验结果规律一致。     

硫氰酸盐分光光度法测定钨方法的改进

用过氧化钠熔样,在硫酸(1.4mol/L)+盐酸(1.7mol/L)介质中用硫氰酸盐分光光度法测定钨矿石中钨的含量,并对各试剂用量进行了探讨。减少了传统方法中的高浓度盐酸对环境和操作人员造成极大的伤害,测定结果与传统方法的测定结果相吻合。方法用于钨矿石中钨的测定,相对标准偏差为1.2%~8.8%,线性范围为0~18μg/mL,加标回收率为98.89%~100.97%。     

自缩合乙烯基聚合体系中的环化效应

基于超支化高分子的生长代数模型,利用Monte Carlo模拟方法研究了不同溶剂条件下自缩合乙烯基聚合(SCVP)体系的环化效应.根据SCVP体系的反应机理给出含环反应的微分动力学方程,并通过环化反应的内在特征确定了分子间反应和内环化反应的速率常数.在此基础上,利用Monte Carlo模拟方法得到了高分子的数量分布函数、重均分子量、环数以及含环分子的链段分数等相关物理量,分析了环化效应对于体系平均物理量的影响.进一步根据模拟结果对单体浓度和溶剂效应等对内环化反应的影响予以分析.结果表明,环化效应取决于单体浓度和溶剂效应之间的协同作用,其中单体浓度在环化反应中起着主导作用.     

绝缘栅双极晶体管串联关键技术

为实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的多级串联,以电阻/电容/二极管（RCD）缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器（DSP）控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的驱动电路及故障反馈电路,能驱动32只串联IGBT并对其进行过流和短路保护,32只IGBT的最大导通时间不超过90 ns,短路保护响应时间约为6 s;设计了8路独立输出的50 kV隔离的高压隔离电源,实现IGBT串联电路各部分的供电及电隔离。基于以上IGBT串联方法,实现了32只1200 V IGBT的串联,串联电路可稳定工作在20 kV电压下。