单纯形算法动态优化毛细管胶束电动色谱分离体系

采用控制加权可变步长单纯形算法对ＰＴＣ氨基酸的毛细管胶束电动色谱分离体系进行动态优化。寻优过程中同时考虑背景电解质的ｐＨ值、十二烷基硫酸钠浓度和有机添加剂浓度对体系分离效果的影响。分别使用Ｌｏｎｇ系数法和均匀设计表法确定初始单纯形顶点对分离体系进行动态优化。优化结果使１７种ＰＴＣ氨基酸获得了比较满意的分离。     

三种环棱螺贝壳形态及齿舌的比较研究

对三种环棱螺贝壳的壳高，壳宽，壳口长，壳口宽，体螺层高，倒数第２螺层高和宽，后三螺层高８个形态参数进行了分析，并对其齿舌的形态作了比较。结果表明，三种环棱螺，除铜锈环棱螺贝壳壳高和其它两种螺有差异外，贝壳形态参数及形态参数之间的关系并无显著差异，齿舌的形态也相似。因此作者认为梨形环棱螺是方形环棱螺的次级同物异名。     

助剂Cu、K对F-T合成铁基催化剂作用的表征研究

采用连续共沉淀和喷雾干燥技术相结合的方法制备了一组Cu、K助剂单独或同时加入的微球状Fischer-Tropsch（F-T）合成铁基催化剂,借助低温N2吸附、MES、XRD、H2-TPR、CO-TPR研究了Cu和K助剂对催化剂织构、还原性能以及还原和炭化过程中的物相变化的影响。结果表明,K助剂的加入能明显提高催化剂的比表面积和铁物相在催化剂中的分散程度,增加了Fe2O3与SiO2间的相互作用;当催化剂在H2和合成气中还原时,Cu助剂的加入有利于催化剂的还原和Fe3O4的生成,在CO中还原时,Cu助剂的加入则有利于α-Fe的生成和稳定化。在H2和合成气中,单独K助剂的加入会抑制催化剂的还原或炭化,而Cu和K助剂的同时加入在H2、CO和合成气下均可使催化剂的还原或炭化能力明显提高,表明Cu和K助剂间存在一定的协同作用。     

近场照度均匀的LED阵列设计

通过分析多颗LED组成的各种阵列在近场平面上的照度分布,来设计可实现近场照度均匀的LED排列方式和距离。基于LED的光强分布,构建单颗LED的光强分布模型（并非朗伯分布）,给出了方程和等式用于计算不同排列方式下的LED分布距离和封装密度,以实现近场平面上的照度均匀。     

焙烧温度对铁基催化剂催化浆态床F-T合成反应性能的影响

 采用连续共沉淀与喷雾干燥成型技术相结合的方法制备了微球形Fe-Cu-K-SiO2催化剂,并考察了焙烧温度对催化剂的结构和织构性质的影响. 结果表明,催化剂具有较好的织构和结构热稳定性,粘结剂SiO2起到了分散和稳定α-Fe2O3晶相的作用. 随着焙烧温度的升高,催化剂的比表面积逐渐减小,α-Fe2O3晶粒逐渐增大,催化剂体相中的Cu和K原子向表面富集,且Cu向表面的迁移更明显; 同时,催化剂中的α-Fe2O3和CuO相发生了一定程度的离析,Cu的助剂作用减弱,使催化剂在合成气气氛下难于还原碳化. 催化剂在n(H2)/n(CO)=0.67,GHSV=2.0 L/(g·h),p=1.5 MPa和θ=250 ℃下的浆态床F-T合成反应评价结果表明,升高焙烧温度,催化剂的初活性和最高活性下降,但运行稳定性提高,而且有效地抑制了CH4的生成,明显促进了烃产物向高碳数方向移动. 反应600 h后卸载下的催化剂的形貌观测表明,催化剂的磨损主要是由化学磨损引起的,提高焙烧温度可明显改善其抗磨损性能,焙烧温度高于400 ℃时,催化剂具有较好的抗磨损性能.     

藏药材麻花艽中铜锌铁锰含量分析

采用ICP-AES法对青海省内采集的麻花艽中的铜、锌、铁、锰的含量进行了测定。结果表明,麻花艽中四种元素含量丰富,各部位含量差异较大,其中基部茎部含量较高,入药部位根部次之,为以后的开发利用提供了基础数据。     

四种药用香薷植物中多种微量元素分析

对高原香薷、萼果香薷、密花香薷、细穗香薷等四种药用香薷植物中的17种微量元素含量进行了测定和分析。结果表明,4种香薷植物中常量元素以K含量最高,其次为Ca、Mg、Na;必需微量元素中以Cu、Fe、Mn元素的含量为高;非必需微量元素As、Hg、Pb、Cd、Sb含量较低,从重金属元素的角度考虑,使用所测定的4种香薷植物是安全的。     

β-FeOOH纳米线的自排列及形成机理研究

通过无机铁(Ⅲ)盐的水解,在常温常压条件下制备了β-FeOOH纳米线,利用X射线粉末衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对其结构及形貌进行了表征. 结果表明,产物是结晶性良好的四方相β-FeOOH 纳米线,直径约 60 nm,长度为 4~5 μm,沿［001］方向生长. 根据实验结果讨论了β-FeOOH纳米线的生长机理. 而且,这些纳米线可以自发地垂直或平行地排列在一起,形成特殊的图案,这可能是由于纳米线之间的磁相互作用产生的.     

基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备

为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺。利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化。将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长,制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片。利用电致发光（EL）设备对LED光电性能进行测试并对比。实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV。在600℃退火后,方块电阻降低6.2 Ω/□,透过率在356 nm处达到90.8%。在120 mA注入电流下,365 nm LED的电压降低0.3 V,功率提高14.7%。ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能。     

高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高

在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓（TMGa）和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射（002）面和（102）面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。