La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致电阻率变化特性

射频磁控溅射法制备了La_2/3Ca_1/3MnO₃纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为T_c≈308K（近似为电阻峰值温度T_p）；在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段（Tc）表现为光致电阻率增大效应，即ΔR/R＞0，并在R-T曲线拐点附近取得极大值，（ΔR/R）_max=43.5%；当T>T关键词： 钙钛矿薄膜 光响应 电子自旋 小极化子     

α-酮酸酯的合成

我们前文以1-溴-4-氧-戊烷的乙二醇缩酮制成格氏试剂,再与草酸二乙酯反应,成功地得到相应的α-酮酸酯(Ⅳ)。为推广制备α-酮酸(酯)的一般方法,我们经反复试验,在无水、绝氧、低温及较短的反应时间等条件下,格氏试剂与草酸二乙酯作用,产品经亚硫酸氢钠加成物纯化,得到了收率较高,纯度好的七种α-酮酸酯:5-甲基-2-氧-已酸乙酯(Ⅰ),6-甲基-2-氧庚酸乙酯(Ⅱ),2-氧辛酸乙酯(Ⅴ),4-甲基-2-氧戊酸乙     

肾炎的中医药论治与微量元素

以临床典型肾病病案为例，探讨了中医中药传统理论和微量元素研究的关系，重点讨论微量元素锌，铁，铜与肾病的病因，病机和治疗关系。     

基于FPGA的单光子雪崩光电二极管的标定系统

目前单光子雪崩光电二极管的标定系统主要是通过分立的通用测试仪器搭建而成。由于单光子雪崩光电二极管的工作模式存在多样化的特点,因此使用该方法搭建的标定系统具有缺乏兼容性、复杂度高、集成化程度低等不足。针对这些问题,本文发展了一种基于现场可编程门阵列的,可以兼容各种雪崩抑制模式的,高度集成化的多种材料体系器件兼容的单光子雪崩光电二极管标定系统。该系统使用现场可编程门阵列替代函数发生器、脉冲产生器和计数器等仪器设备,并利用现场可编程门阵列实现不同雪崩抑制模式下雪崩光电二极管的驱动电路和标定光源的智能切换,从而大幅提高了系统的兼容性和集成化程度,也进一步降低了系统的复杂度、提高了系统的稳定度。文中,我们利用该系统对工作在主动抑制模式的硅雪崩光电二极管和门控盖革模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管进行了标定实验。标定结果显示所标定的硅雪崩光电二极管的最大探测效率为49.82%,对应暗计数为1.41kHz;铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管的最大探测效率为7.14%,对应暗计数为831 Hz,在探测效率为5%时,后脉冲的概率为5.84%。实验结果表明,我们为单光子雪崩光电二极管标定提供了一种便捷的一体化解决方案,提高了单光子雪崩光电二极管的标定效率和标定系统的实用化程度。     

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