液态CO_2冲击产物的发射光谱研究

利用二级轻气炮和ＯＭＡ－Ⅲ光学系统，研究液态ＣＯ２在冲击波作用下的发射光谱。实验结果表明：当液态ＣＯ２被冲击到３４ＧＰａ以上时，出现ＣＯ、Ｏ、Ｏ２、Ｃ２等冲击产物；当冲击压为４６ＧＰａ时，Ｏ＋辐射显著     

提拉法生长直径8inch Yb∶YAG激光晶体

设计制造了适于生长直径8 inch Yb∶YAG激光晶体的生长系统和热场,采用感应加热提拉法成功生长出了直径8英寸Yb∶YAG激光晶体,晶体等径部分最小直径202 mm,等径长超过215 mm,总重63.7 kg,晶体外形完整,内部无气泡、包裹物、开裂等宏观缺陷,5 mW绿光激光照射下,未见散射颗粒.     

三乙基铝快速反应光谱研究

对高温激波管中三乙基铝的快速反应进行了高分辨和低分辨光谱研究，结果表明：其光谱由线性、带状和连续谱组成，范围从３５０ｎｍ到７３０ｎｍ，观测到了ＡｌＯ、ＣＨ、Ｃ２、ＣＯ等反应产物的发射谱带。文中还给出了三乙基铝的快速反应激发温度     

高温高压下硝基甲烷快速反应的光谱研究

 利用多台单色仪、光电系统及高速数据采集系统，成功地研究了硝基甲烷和氧混合物点火后快速反应的光谱。实验观察到CH₃O、CH、CH₂O、OH、CHO、CO、CO₂、H₂O、NO、NO₂等中间产物及最终产物的辐射。时间分辨的光谱测量发现：在爆炸激波管中，硝基甲烷快速反应的机理明显不同于硝基甲烷热分解和冲击引爆时的结果。     

激波管中H_2─O_2爆轰产物辐射光谱的实验研究

本文采用Ｐｌａｒｏｉｄ６６７高速感光底片和大型石英棱镜摄谱仪，首次成功地拍摄到３０００～６４５０范围内激波管中Ｈ２─Ｏ２爆轰及杂质光谱。经识别确认出以下谱线和谱带：ＯＨ（０，０）、ＯＨ（０，１）和Ｏ１Ｓｃｈｕｍａｎｎ—Ｒｕｎｇｅ分子谱带，管壁物质及管内附积物Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎａ的原子谱线以及管壁物质和管内附积物参与化学反应的中间产物的分子谱带系ＦｅＯ（黄带系）、ＣｒＯ（红黄带系）、ＣａＯＨ和Ｎａ２的无带头结构及ＡｌＯ（绿带系）。并对上述谱线和谱带的产生机理进行了分析和讨论。实验表明：在Ｈ２—Ｏ２爆轰中，Ｈ２对金属氧化物有较强的还原性。光谱分析还发现：Ｈ２—Ｏ２爆轰产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度与Ｈ２—Ｏ２火焰中产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度比较发生了反转。     

含联萘基团的手性聚芳醚酮类环状齐聚物修饰电极的制备及其对色氨酸/磷钨杂多酸超分子化合物的手性识别

用溶剂诱导的含联萘基团的手性聚芳醚酮类环状齐聚物（S-PENEKC）制备修饰电极,利用循环伏安法实现了对D,L,DL-色氨酸／磷钨杂多酸的超分子化合物（D,L,DL—H,Trp2-[PW12O40]）的手性识别．     

Ce:YAP晶体生长和光谱性质

本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce:YAP晶体,晶体尺寸为35mm×80mm.在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系,对晶体样品进行了吸收光谱和荧光光谱分析.     

集成电路微互连结构中的热迁移

高工作电流在集成电路微互连结构中产生大量焦耳热,引起局部区域的温升、形成高温度梯度,金属原子沿着温度梯度反向运动发生热迁移.热迁移是集成电路微互连失效的主要原因之一.阐述了热迁移原理、失效模式及原子迁移方程.综述和分析了在单纯温度场、电场和温度场耦合等不同载荷条件下金属引线和合金焊料的热迁移研究.归纳并提出了集成电路微互连结构热迁移研究亟待解决的问题. 关键词： 集成电路 微互连 热迁移     

冲击波作用下碳水混合物发射光谱研究

 利用二级轻气炮和OMA-Ⅲ光多通道系统,分别研究金刚石与水、石墨与水两种碳水混合物在冲击波作用下的发射光谱。冲击压力高于16.41 GPa时,观测到350～750 nm波段内叠加在连续辐射背景上的发射谱;当冲击压力高于33.95 GPa时,C₂、CO、CO₂的谱线辐射明显,表明碳和水发生了化学反应。     

改进型Ramsauer装置

为了测量慢电子与气体原子(分子)碰撞散射的总截面,建立改进型Ramsauer装置.通过调试,解决了大的本底,能量测量及装置自身的不均匀磁场等问题。地磁屏蔽效果为30mG,并使散射室和电子枪区间的压差比较大。