聚乙烯吡咯烷酮和聚丙烯酸与某些金属或稀土元素的三元络合物结构的XPS研究

本文报导聚乙烯吡咯烷酮和聚丙烯酸与某些金属或稀土元素的三元络合物的XPS研究。结果证实了络合物的形成,并提出了其可能的配位结构,同时发现金属离子结合能位移与Pauling电负性之间的有趣关系。     

同位素氧-18分子的He I紫外光电子能谱

HeⅠ photoelectron spectrum of isotopic 18O2 molecules has been firstly recorded on a double-chambers UPS machine Ⅱ which was built specifically to detect transient species. In comparison with UPS results of oxygen molecles 16O2 it is found that the reduction of adiabatic ionization potentials IPs, the decresae of vibrational intervals and the change of intensity of vibrational components on each ionic state of isotopic 18O2 molecules obviously appear on the UPS spectrum.     

苯并噻唑衍生物的气相HeI紫外光电子能谱(UPS)及量子化学研究

对苯并噻唑系列衍生物的气相HeI紫外光电子能谱(UPS)进行了研究．首次报道 了五种化合物的紫外光电子能谱，利用Gaussian94从头算的量子化学计算方法对其 进行了计算，并结合计算结果对各个分子体系的谱图进行了指认．研究结果表明： 分子的电离能受取代基性质的影响，取代基的给电子能力越大，体系的共轭效应越 强，电离能就越低．对苯并噻唑衍生物而言，6-位取代基对电离能的影响大于2-位 取代基的影响．     

杂氮硅三环类化合物的X-射线光电子能谱(XPS)和EHMO计算研究

本文用X-射线光电子能谱(XPS)研究了二十种硅上带有不同取代基(R)的杂氮硅三环类化合物,并对其中R为F,Cl,Br,I,CH_3,H,CH=CH_2,CH_2Cl,CHCl_2等九种该类化合物做了EHMO(广义Hückel分子轨道法)理论计算处理。从杂氮硅三环类化合物各组成元素的XPS谱,不但再次证明了这类化合物分子中N→Si配位键的存在,并得到不同取代基(R)对N→Si配位键强度的影响。EHMO计算求得的原子净电荷(Q)与不同取代基(R)所引起的N_(1s)和Si_(2p)结合能位移有线性关系。而计算的键序能很好地预言实验中取代基(R)的改变对N→Si配位键强度的影响。同时计算表明,在该类化合物中,其N→Si配位键的强度约为相应的Si—O共价键平均键强的一半。     

四(二苯甲酰甲烷根)合希土酸二乙铵的XPS及其价带谱研究

XPS技术曾用于研究不同的希土元素卤化物、氧化物等,而对其配合物的研究报道甚少。本文报道四(二苯甲酰甲烷根)合希土酸二乙铵([(C_2H_5)_2NH_2][Ln(DBM)_4),Ln=La-Nd,Sm-Lu)配合物的XPS及其价带谱研究结果。记录了不同希土元素离子的XPS多重峰结构,而且还探讨了作为配位原子的Ols结合能位移的“W效应”。同时也研究了它们的XPS价带谱特性。这些结果尚未见文献报道。     

噻吩多烯基噻吩酮系列化合物的气相紫外光电子能谱研究

本文提供了噻吩多烯基噻吩酮系列化合物的气相HeI光电子能谱(UPS), 并进行了每个研究分子的MNDO量子化学计算。 表明乙烯基基团的数目与其分子的HOMO实验电离能(L~p)呈线性递降关系。MNDO计算结果不但很好地指认了每个研究分子UPS谱的归属, 而且从分子轨道特性上提供了该类化合物分子为三岔共轭体系的理论基础。     

哌嗪二酮的气相Hel光电子能谱及其量化计算

给出了哌嗪二酮的气相HeI紫外光电子能谱(UPS), 并进行了化合物分子的HAM/3, MNDO, MINDO/3, INDO, CNDO/2和EHMO等量子化学计算研究. UPS谱低电离能(<11.00 eV)区的四重峰被指认为分子体系中氧-氧, 氮-氮原子孤对轨道间的通过键相互作用导致的分裂峰. 表明HAM/3和MNDO计算法是预指该化合物实验电离能正确次序、轨道对称性类型以及通过键相互作用导致分裂大小的较好方法.     

杂氮硼三环类化合物的UPS及化学键的理论研究

报道了六种杂氮硼三环类化合物的紫外光电子能谱(UPS).采用RHF/3-21G优化了各分子的优势构型,根据化合物UPS的谱带特征结合RHF/6-31G^*的计算结果对化合物的UPS进行了解析和指认,精确给出了各化合物中σN-B配键电子的电离峰位置.利用电子密度拓扑分析方法对各化合物的成键情况的研究显示:在该类化合物中B原子具有较为明显的阳离子的特征,N,B原子间均存在键鞍点.从实验和理论上证实了该类体系中σN-B的存在.各化合物的UPS,SCFMO计算和电子密度拓扑分析都表明,在该类体系中环上CH~3,CH~2的引入削弱了B,N间的成键作用;环上羰基的引入增强了B,N间的成键作用。     

N-(2-溴乙基)咔唑与N-乙烯基咔唑的气相HeI紫外光电子 能谱与电子结构研究

首次报道了N-(2-溴乙基)咔唑和N-乙烯基咔唑的气相HeI紫外光电子能谱(UPS),借助于Gaussian94采用RHF/6-31G基组优化几何构型,并用RHF/6-31G^*基组计算分子轨道及能级.在对咔唑和N-烷基咔唑系列分子UPS电离能变化规律研究的基础上,对这2个分子的UPS谱带给予指认,并讨论其电子结构.结果表明N-(2-溴乙基)咔唑的UPS谱与N-烷基咔唑的不同之处是在10.295,10.540eV处出现2个Br原子的孤对轨道;N-乙烯基咔唑的UPS谱带与咔唑的相比,电离能变化的特殊性说明乙烯基与咔唑环共平面。     

缩胺基脲衍生物HeI PES和电子结构的研究

利用HeI紫外光电子能谱(PES)首次得到一组缩胺基脲衍生物的PES谱图。并利用RHF(6-31G^*^*)计算了它们的电子结构,解析了实验谱,分析和说明与实验电离能所对应的分子轨道的特征。论证了计算结果与实验值间很好的相符关系。并通过实验和计算结果,讨论了这类化合物取代基的影响和为何缺乏生物活性。