掺Ce,Fe系列LiNbO3晶体光折变效应光存储特性

研究了系列Ce：Fe掺杂以及不同后处理态(生长态、还原态和氧化态)铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率光谱范围,二波耦合增益相对较低;高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄,光折变二波耦合增益较低。晶体的后处理对铌酸锂样品的光折变特性影响明显,双掺Ce:Fe还原态铌酸锂晶体具有较高的二波耦合增益;氧化态样品具有较大的透过率光谱范围;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。实验结果还表明在同种样品中难于同时获得大的二波耦合增益和图像存储质量。     

Eye-Safe Raman Laser at μm Based on BaWO4 Crystal

Using an external couple cavity and a pump beam compression system, efficient 1.5 μm eye-safe Raman laser is obtained based on BaWO4 crystal. The largest output energy is 8.5mJ, corresponding to an electric-optical conversion efficiency of 47%.     

硫酸盐对KDP晶体质量的影响

 利用“点籽晶”快速生长技术生长了掺杂硫酸钾（K₂SO₄）的磷酸二氢钾（KDP）晶体,并对硫酸根类杂质离子对晶体的结构及光学质量的影响进行了研究。结果表明：在掺杂相对含量为50×10^-6条件下,K₂SO₄开始对KDP晶体产生一定影响,主要表现在不同扇形区域的结构略有改变,其原因主要在于硫酸根与KDP晶体各扇形结构有关;杂质粒子对晶体透过率、单轴性没有明显影响,但是热膨胀系数增大,光损伤阈值略有降低。     

卟啉多枝分子合成与分子内能量转移、双光子吸收性能研究

以三苯胺或硝基苯为端基, 合成了三个卟啉多枝分子: 5-(4-硝基苯甲酰氧基)苯基-10,15,20-三-(4-溴苯基)卟啉(TPP-NO₂)、5-(4-硝基苯甲酰氧基)苯基-10,15,20-三-(4-二苯胺基-1-苯乙烯基)苯基卟啉(TPP-X₃)和5,10,15,20-四-(4-二苯胺基-1-苯乙烯基)苯基卟啉(TPP-X₄), 进行了红外光谱、核磁共振光谱和质谱表征. 比较研究了分子“枝”、“核”不同键合方式与不同对称结构对分子的线性光谱、非线性光谱以及分子内能量转移行为的影响. 在钛宝石激光器(800 nm)和Nd∶YAG倍频光(532 nm)泵浦下, 样品溶液均发出卟啉环特有的红色荧光——前者系双光子吸收机制“上转换”荧光, 后者则为双光子吸收与分子内能量转移机制“下转换”荧光. 飞秒Z-scan技术测得样品双光子吸收截面最大可达130 GM, 与四苯基卟啉(TPP)同等测试条件下的双光子吸收截面相比增大了两个数量级.     

热退火对KDP晶体损伤阈值的影响（英）

研究了不同退火温度下磷酸二氢钾（KDP）晶体的透过光谱和损伤阈值的变化。发现热退火对晶体的透过光谱没有影响,退火温度分别为140 ℃和160 ℃时晶体的损伤阈值没有明显变化。但是在150 ℃下,晶体的损伤阈值提高了约1.4倍。实验证明150 ℃下的热退火对提高晶体的损伤阈值效果最好。     

采用菲涅尔菱体的高隔离度宽带光隔离器

报道了一种新型的宽带、高隔离度的光隔离器，采用菲涅尔菱体延迟器取代通常光隔离器中的1／4波片，使其反向光隔离度高于40dB，且在较宽波长范围内(约300nm)有效。     

可见光照射下负载2,2´-联吡啶铁(II)的层状粘土催化剂活化分子氧降解染料污染物

在可见光照射下, 负载有2,2´-联吡啶铁(II)络合物的Laponite粘土能够有效地活化分子氧降解染料罗丹明B, 在水溶液中的2,2´-联吡啶铁(II)络合物则没有任何光催化活性. 该催化剂能够循环降解罗丹明B并且保持很好的光催化活性, 粘土催化剂易于通过离心或者沉降从体系中分离. 测定了光催化剂降解罗丹明B的TOC去除率和体系中的活性氧物种, 并且对催化反应机理进行了讨论.     

硼酸对KDP晶体光学特性的影响

生长了不同硼酸掺杂浓度的KDP晶体,用超显微镜了晶体内部的散射颗粒,检测了晶体的光损耗和透过率特性。实验结果表明,较高浓度的硼酸对KDP晶体的光学均匀特性有较大影响,并使晶体具有显著的旋光性和波片效应。     

Influence of SiO_3~（2-）Impurity on the Optical Properties of KDP Crystal

In this paper,potassium dihydrogen phosphate(KDP) crystals were grown in the presence of a series of silicate(SiO32-) impurity concentrations via conventional temperature cooling and rapid growth methods,respectively.It revealed that the SiO32-impurity could lead to the decrease of transmittance at the region of ultraviolet band for pyramidal sectors and slightly increased the transmittance for prismatic sectors.SiO32-could enter into the crystal lattice and create lattice defects,which consequently increased the density of light scatter.The decrease of laser damage threshold was attributed to the lattice defects and the redundant electrons brought by the replacement of SiO32-at the PO43-position.