平面弹性问题的另一种通解形式

本文得到了平面问题以双调和混合函数表示的新的通解形式.用该函数可以同时表示出应力和位移分量,克服了用Airy 应力函数不易表示位移分量的缺点.     

食饵具有阶段结构的时滞捕食系统的稳定性

研究了一类食饵具有阶段结构的时滞捕食系统,通过分析相应的特征方程,得到非负平衡点的局部稳定性,利用比较原理和迭代法得到平衡点的全局渐近稳定的充分条件.最后,通过数值模拟阐述了所得结论的正确性.     

珠心算训练儿童枕叶激活状态的fMRI研究

目的是应用功能磁共振成像(fMRI)探讨接受过珠心算训练的儿童与未接受过珠心算训练儿童(对照组)在执行不同计算任务时枕叶的激活状态,从而明确枕叶在珠心算中可能的作用机制。方法分别安排接受过3年珠心算训练的儿童(16名)和未经训练的对照组儿童(16名)执行加、减、乘、除运算任务及数物对照实验,同时进行fMRI检查,应用SPM2软件对原始图像进行数据处理,对相关脑区进行定位,重点研究枕叶的激活状态。结果珠心算训练组与未训练组儿童在计算过程中枕叶的激活有所不同,训练组儿童双侧枕叶均可见激活,主要为楔叶的激活,也可见舌回的激活,未训练组儿童主要为舌回激活。两组儿童不同运算枕叶激活范围差异具有统计学意义(P<0.01)。结论枕叶在珠心算中参与了视觉空间策略的处理过程,枕叶的激活状态可能与其神经机制有关。     

从离子型稀土硫酸镁浸出液中制备碳酸稀土的新工艺研究EI北大核心CSCD

针对现有从离子型稀土硫酸镁浸出液中沉淀稀土得到的稀土沉淀物稀土总量低的问题,以离子型稀土Mg SO4浸出液为原料,进行了树脂的静态遴选、动态吸附-解吸、除Al及沉淀等工艺研究。结果表明,静态遴选出CL-P507为合适树脂,通过动态吸附-解吸,Mg SO4浸出液中的Mg2+能全部去除,稀土得到了富集,解吸后液中REO浓度最高可富集179倍,但是铝不能得到有效去除。以苯甲酸钠为除铝剂除去解吸后液中的铝,在试验条件下,铝去除率为99.89%,REO损失率仅为0.3%。以Na2CO3和Na HCO3为沉淀剂,沉淀得到碳酸稀土产品,该产品烧成物REO总量为93.81%(质量分数),最终达到《GB/T 28882-2012离子型稀土矿碳酸稀土》标准的质量要求。成本分析表明,本工艺比传统工艺少1070 Yuan·t-1REO,具有工业应用前景。     

一种改进型多组分气体的Tikhonov正则化特征光谱提取方法

针对FTIR光谱分析数据计算量大,具有相同基团的多组分混合气体交叉灵敏度过高,以及在线分析过程中基线漂移等问题,提出了一种改进的TR2-1(Tikhonov 2norm-1norm)正则化特征变量提取法。该方法借鉴TR1和TR2模型的基本思想,引入谱线距离和谱线系数绝对值最小化两个约束项来保证所提取特征量的准确度,消除基线漂移所带来的影响,并结合上述两种模型建立了不适定问题的最优化求解通式。该通式有效地克服了经验法和实验法确定正则矩阵和参数所带来的误差。实验以浓度为0.01%~20%的甲烷、乙烷、丙烷、正丁烷、异丁烷、正戊烷和异戊烷气体为例进行了特征光谱选取。结果表明,对于浓度为0.2%的甲烷气体,其预测误差平方和仅为2.6×10-4,可决系数达到0.959 2,分析准确度高,有效增强了TR正则法的实用性。     

离子型稀土矿柱浸过程氨氮平衡及尾矿氨氮形态转化研究

离子型稀土矿柱浸过程氨氮的平衡与迁移转化研究可以对浸矿剂硫酸铵用量的模拟运算提供理论参考。试验以定南某离子型矿土为对象,采用室内柱浸模拟的方式对离子型稀土原矿氨氮的分布、硫酸铵浸矿过程氨氮平衡及尾矿氨氮赋存转化的影响进行了试验。结果发现,离子型稀土原岩风化过程中,还可能伴随着离子相铵盐的生成,在浸矿过程中会伴随稀土一起被浸出,离子相铵盐含量随离子相稀土含量的升高而增加。硫酸铵柱浸过程中残留在尾矿内的氨氮量与浸出液中的氨氮量占比分别为50.76%和49.24%,浸矿剂中半数铵根主要起到保持浸矿过程中铵根浓度的作用,在浸矿后会随浸出液流出。离子型稀土尾矿水溶态和可交换态氨氮在矿土含水率的影响下会发生可逆转化,在尾矿矿土自然风干过程中,尾矿内水溶态氨氮含量占比由63.24%降至32.01%,离子型稀土尾矿水溶态与可交换态氨氮的赋存含量需要前置时间和矿土含水率等条件才能准确定义。     

分散固相萃取/气相色谱-三重四极杆串联质谱测定蔬菜和水果中67种农药残留

建立了分散固相萃取/气相色谱-三重四极杆串联质谱法(Qu ECh ERS/GC-MS/MS)同时测定蔬菜和水果中67种常规检测农药的分析方法。番茄样品用1%乙酸乙腈匀浆提取,经分散固相萃取剂净化后,采用气相色谱-三重串联四极杆串联质谱在多反应离子监测(MRM)模式下进行检测,外标法定量。结果表明,67种农药在0.005~0.24μg/m L范围内呈良好的线性关系,相关系数(r2)均大于0.99;番茄、葱、通菜和橙子基质在0.02,0.06,0.12 mg/kg 3个加标水平下,67种农药的平均回收率为60.3%~119.8%,相对标准偏差(RSD)为0.5%~14.7%;方法的检出限(LOD)为0.000 1~0.003 mg/kg,定量下限(LOQ)为0.000 2~0.009 mg/kg。将该法应用于蔬菜、水果中农药残留检测,并与GC,GCP/GC-MS,LC-MS/MS方法进行对比,结果较为满意。该方法简便快捷、灵敏度高、选择性好,具有良好的重现性和稳定性,适用于日常蔬菜水果中农药多残留的快速筛查和确证检测。     

Crystal structure and ionic conductivity of Mg-doped apatite-type lanthanum silicates La10Si6-x Mgx O27-x（x=0–0.4）

Lanthanum silicates La10Si6-xMgxO27-x(x = 0–0.4) were prepared by solid state synthesis to investigate the effect of Mg doping on crystal structure and ionic conductivity. Rietveld analysis of the powder XRD patterns reveals that Mg substitution on Si site results in significant enlargement of channel triangles, favoring oxide-ion conduction. Furthermore,an increase of Mg concentration significantly influences the linear density of interstitial oxygen, which plays an important role in ionic conductivity. The Arrhenius plots of La10Si6-xMgxO27-x(x = 0–0.4) suggest that Mg-doped samples present higher conductivity and lower activation energy than non-doped La10Si6O27, and La10Si5.8Mg0.2O26.8exhibits the highest conductivity with a value of 3.0×10-2S ·cm-1at 700?C. Such conductive behavior agrees well with the refined results.The corresponding mechanism has been discussed in this paper.     

Device research on GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors grown by metal organic chemical vapour deposition

This paper applies a novel quad-layer resist and e-beam lithography technique to fabricate a GaAs-based InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistor (HEMT) grown by metal organic chemical vapour deposition (MOCVD). The gate length of the metamorphic HEMT was 150~nm, the maximum current density was 330~mA/mm, the maximum transconductance was 470~mS/mm, the threshold voltage was -0.6~V, and the maximum current gain cut-off frequency and maximum oscillation frequency were 102~GHz and 450~GHz, respectively. This is the first report on tri-termination devices whose frequency value is above 400~GHz in China. The excellent frequency performances promise the possibility of metamorphic HEMTs grown by MOCVD for millimetre-wave applications, and more outstanding device performances would be obtained after optimizing the material structure, the elaborate T-gate and other device processes further.