量的正比与反比

本通报组织的初中算术教法的稿件,自1953年8月起陆续刊载,迨至本月,应轮到比和比例及百分法,適有管承仲、趙崇林两同志自蘇联“数学教学”1952年第3期译出此篇,原文虽係就吉塞遼夫所编算术课本写的,但我们现用的算术课本有取材於此,所以尚属合用,并且此文已提出比例一章教学上的困难问题而予以适当的解决,特刊登於此,不另撰稿。另外百分法一章教法,由陈天池、孫梅生两同志发表意见。接登此篇之後.至此,我们所组织的初中算术教法告一段落.     

同步辐射在分子科学中的若干应用

同步辐射具有波段广、强度高、方向性好，偏振度高和脉冲持续时间短等许多优点，已在许多学科中发挥了重要作用，适合于分子研究的同步辐射的能量范围为６ｅＶ－１ｋｅＶ，现在人们最常用的是６－１００ｅＶ，即真空紫外波段。分子在这种高能量光子作用下，被激发到很高的电子态，或者产生电子、离子及中性碎片。测量这些产物，可能获得有关被研究对象的能态、吸收截面、电离效率、能量转移、电离能、离解能、反应通道等重要信息。     

游程论及其应用

<正> 本文将要介绍的游程(又称为连贯、流或链)论,是要根据同类元素按序连续出现的情况来作出某些判断.例如,设一个子样中的元素可分成合格及不合格两类,在一般问题中(例如,在计件质量控制问题中),我们所引进的统计量都只考虑到子样中合格元素及不合格元素的个数,而不考虑它们在取样时出现的先后次序.相反,在游程论中就顾及了这种次序,因而它能更充分地利用子样所带来的信息.本文介绍游程论的数学基础及其应用.游程论可以有很多方式应用到统计中去.不过我们将只介绍它在随机性检验和非参数检验中的应用.     

二维分子动力学程序（MDP）的并行与优化

基于消息传递并行程序设计平台MPI,结合当前微处理器的高性能特征,探讨了二维分子动力学数值模拟程序的优化和并行,且具体应用到高速碰撞物理模型问题。其中,串行优化的性能提高了两倍,并行效率在由8台高性能微机构成的微机机群上。均大于90％。     

Enhanced radiation-induced narrow channel effects in 0.13-μm PDSOI nMOSFETs with shallow trench isolation

Total ionizing dose responses of different transistor geometries after being irradiated by ~(60)Co γ-rays, in 0.13-μm partially-depleted silicon-on-insulator(PD SOI) technology are investigated. The negative threshold voltage shift in an n-type metal-oxide semiconductor field effect transistor(nMOSFET) is inversely proportional to the channel width due to radiation-induced charges trapped in trench oxide, which is called the radiation-induced narrow channel effect(RINCE).The analysis based on a charge sharing model and three-dimensional technology computer aided design(TCAD) simulations demonstrate that phenomenon. The radiation-induced leakage currents under different drain biases are also discussed in detail.     

发光二极管电视、符号显示

国内外对发光二极管单片式、混合式矩阵显示装置正在进行活跃的研究。成为这种二极管显示装置的基本技术有:制备高效率p-n结;在单一晶体基板上制作多个发光元件的集成化技术;把多个发光二极管组装起来的电气联结技术以及最佳的取光结构等。 近年来,由于GaAsP、GaP发光二极管的效率显著提高;集成化技术、组装技术的进展以及结构上的巧妙设计;用发光二极管显示装置部分地取代阴极射线管显示的可能性日趋增大起来。 本文研究了发光二极管平面显示装置的电视图像显示及文字、数字——符号显示的特性;并论述了作者最近试制的GaP绿色发光二极管平面显示装置的结构、特性及在电视显示、符号显示上的应用。     

相容次序矩阵PSD迭代法的收敛性

本文是在求解大型线性方程组Ax=b的系数矩阵A为(1,1)相容次序矩阵且其Jacobi迭代矩阵的特征值均为纯虚数或零的条件下,得到PSD迭代法收敛的充分必要性定理,并在特殊情况下得到了相应的最优参数.     

低能离子注入宫颈癌细胞的红外光谱分析

利用离子注入机所产生的低能N+模仿宇宙中低能离子作用于人宫颈癌细胞(HeLa cell),探索其对人类细胞的影响及作用机制。因实验中的低能离子产生和加速要在真空中进行,细胞在离子注入同时将受到真空的影响,为此研究人员利用石蜡油保护细胞以防止注入时的水份蒸发。注入处理完毕后收集细胞,采用傅里叶变换红外光谱法(FTIR)分析真空和低能N+束注入后细胞中大分子的相对含量、构型及其构象变化等方面的信息。结果表明：(1)不同处理后的样品在3 300 cm-1附近吸收谱带存在明显差异。对照样品的特征峰位为3 300 cm-1,而其他样品中除了注入5×1014 N+·cm-2外,红外吸收峰均向长波数方向移动,真空2×1015 N+·cm-2样品的频移尤为明显至3 420 cm-1处。(2)与对照样品相比较,各处理样品的1 378 cm-1处吸收峰峰位均向长波数方向频移。(3)处理样品相对于对照样品而言,2 360 cm-1处吸收峰均向长波数方向移动。该结果说明低能离子注入处理可以引起细胞中核酸、蛋白的含量和构象变化。     

Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation

By formation of an intermediate semiconductor layer (ISL) with a narrow band gap at the metallic contact/SiC interface, this paper realises a new method to fabricate the low-resistance Ohmic contacts for SiC. An array of transfer length method (TLM) test patterns is formed on N-wells created by P⁺ ion implantation into Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. The ISL of nickel-metal Ohmic contacts to n-type 4H-SiC could be formed by using Germanium ion implantation into SiC. The specific contact resistance ρ_c as low as 4.23× 10^-5~Ωega \cdotcm² is achieved after annealing in N₂ at 800~°C for 3~min, which is much lower than that (>900~°C) in the typical SiC metallisation process. The sheet resistance R_sh of the implanted layers is 1.5~kΩega /\Box. The technique for converting photoresist into nanocrystalline graphite is used to protect the SiC surface in the annealing after Ge⁺ ion implantations.     

Nine Point Circle

The nine point circle is a geometrical concept that links some of a triangle'S parts that one would initially feel could not be interconnected. This circle was discovered by Charles Julien Brian- chon(1783-1864)and Jean Victor Poncelet(1788- 1867).