数理教育工作者应该协同工作

在教了几乎20年数学之后，我最近决定学习并执教物理．     

计算二聚体系平衡常数的新方法

本文利用一些数学变换技巧,首次给出了关于二聚平衡常数方程组的精确解。根据排列组合原理,设计一个计算程序对一组实验数据可能形成的所有方程组求得的解进行平均,以消除实验误差的影响。用本方法算出二磺化和三磺化酞菁的平衡常数分别为0.75×10~6和0.92×10~5,表明溶解性越大,二聚程度越小。     

EFV方法的可行性验证

本文在已有的EFV方法基本思想和数值运算的基础上,对1s0d壳的F¹⁸,N²⁰,NeF²²和SiF²⁸四种核的不同态进行了实际运算,验证了EFV方法的可行性,说明了该方法中所包括的各种关联作用的重要性.为大模型空间中EFV方法的应用铺平了道路.     

统计在生命科学中的实践与认识(Ⅶ)——临床试验(下)

统计在生命科学中的实践与认识（Ⅶ）——临床试验（下）汤旦林李晓强（中日友好医院北京１０００２９）汤旦林，李晓强．统计在生命科学中的实践与认识（Ⅶ）．数理统计与管理，１９９８．１７（１），５８～６３．前面简要回顾了临床试验的历史和随机试验的重要特征，...     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

怀念张子高教授

我的父亲张准,字子高,1886年出生在湖北省枝江县一个沿长江的小镇——董市。十九世纪八十年代到1911年辛亥革命这个阶段,正是腐败的清王朝在内忧外患下步入它的末期。整个社会风气败坏至极,有识之士无不认识到唯一的出路只有彻底的变革。在澎湃     

水分子在不同电荷态的重离子作用下的离化作用

运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法，计算了水分子H2O在速度为12．5a0／fs的重离子C^＋和C^2＋作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率，平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化，计算结果表明，在重离子势最大时，电偶极矩的变化最大；重离子远离分子时，重离子的电荷态越高，产生高电荷态分子的几率反而越小。