镓在氨基吡啶树脂上的吸附行为及机理

前文已报道了氨基吡啶树脂对AuCl_4~-、PtCl_6~(2-)的吸附性。本文报道4-氨基吡啶树脂对镓的吸附行为与机理。在6mol/L HCl条件下,对镓的氯络阴离子(GaCl_4~-)有很好的吸附性。并能定量洗脱。测得静态吸附容量为351.15mg/g树脂,用化学法及红外光谱等方法,测得4-氨基吡啶树脂吸附镓(Ⅲ)的基本参数。     

液晶HpBAB的相变和熔化熵的同系规律性的热力学研究

在260～380 K范围内, 用DSC法研究液晶HpBAB的相变。实验查明HpBAB在室温还以玻璃性晶体状态存在。它的玻璃转变、熔化和清亮过程的热力学参数准确地被测到。提出对-正烷氧基亚苄基-对-氨基苯腈同系列中熔化熵和烷基碳原子数的线性关系; 改进Aranow统计模型并估算直线斜率为Rln(3/g)(1相似文献   

一种自行设计的新型氢气发生器及实验效果观察

氢气和二氧化碳的发生不仅在化学教学、科研实验中比较常用,而且在医学微生物学厌氧培养技术上也是不可缺少的。上述两种气体的制取分为工业及实验室两种方法。用工业制法获得的气体用起来较为方便,然而设备、造价高、仅能在大城市得到供应。实验室制法仍有它独到之处。最近出于培养厌氧细菌的需要,笔者自行设计了     

面心立方C60表面过程的计算机模拟

近年来发现的C60及其金属掺杂化合物形成一个新的材料族，其半导体性质、超导性质及非线性光学性质已受到广泛注意，但目前对这类材料的表面性质尚缺乏研究，我们曾采用参数化的Lenard－Jones6－12模型函数比较不同晶型C6o的相对稳定性　[1]，预测面心立方C60（FccC60）的声子散射频率和态密度[2]，并计算其表面能[3]，取得有意义的结果，表明这一简单模型势能函数是C60分子间有效范德华作用的一种合理抽提．本工作进一步将该势能函数应用于研究fccC60表面吸附分子的迁移机理，并用蒙特卡罗方法模拟fcC（110）及（100）晶面的熔化过程，…     

增强实验室X激光的亮度

实验室X激光已经取得重大进展,但均属自发辐射放大,缺乏模式限制的措施,故激光功率分散在多横模中,提高激光亮度的措施之一是模式限制.由于X光多层膜一般为高吸收膜,用以形成谐振腔作模式限制看来是困难的.本文建议采用相距足够远的二段激光等离子体作同步延迟行波放大来进行横模限制.分析表明,达到衍射极限的单横模X激光是可能的,这对X光全息术以及高亮度X激光的实现是十分重要的.本文还建议改变一般采用的产生线状等离子体的光学系统设计,使激光功率密度在长线上达到均匀;认为过去的光学系统不良是长焦线时,X激光增益-长度乘积低的一个可能原因.     

Synthesis of New Spiropyrans With a Polyaromatic or Heteroaromatic Pendant and Their Photochromic Bedhaviors

A series of spiropyrans with a polyaromatic or heteroaromatic pendant was synthesized conveniently.Their photochromic behaviors were investigated with the aid of absorption spectral measurements.The results indicated that the compounds with the same parent spiropyran but different aromatic pendant show significantly different photochromic properties.This may be due to the π-π orbital interaction between the polyaromatic pendant and the open photomerocyanine form of spiropyran.The results obtained are very useful in the molecule design area.     

同分布NA列Jamison型加权和强稳定的充要条件

本文将Ｊａｍｉｓｏｎ等（１９６５）关于ｉｉｄ列加权和强稳定的充分性结果推广到ＮＡ列的场合并且得到了ＮＡ列Ｊａｍｉｓｏｎ型加权和强稳定的必要性结果。     

GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析

针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中输出脉冲逐渐增强,在正极附近输出达到峰值,但在电极边缘处有所减弱.分析表明,这一现象和开关体内电场的分布有密切联系.     

能量选择中子成像技术及其应用

能量选择中子成像技术是利用特定范围波长(能量)的中子进行成像。在热/冷中子范围内(<25meV),能量选择中子成像技术主要基于布拉格边效应和衍射机制,相比常规中子成像技术不但可以显著提高图像对比度,而且能分析应变、应力、织构。在超热中子范围内(>1eV),能量选择中子成像技术主要基于中子共振吸收,中子截面随能量变化是同位素特有的,存在明显的共振吸收峰,因此可以进行同位素的“指纹”识别。能量选择中子成像技术在工程、材料、化学、物理、生物、考古等众多科研领域中有着非常广阔的应用前景。     

中子成像技术在元素分析中的应用

中子成像作为一种快速、直观的无损检测技术,在核工业、航空航天、新能源、地质、考古、先进制造等多个领域得到广泛应用。中子成像利用中子不带电、穿透能力强、对轻元素敏感、可区分同位素和近邻元素等特性,非常适合开展含氢元素、近邻元素和同位素等材料的无损检测。本文概述了中子成像技术的基本原理及特点,并结合中国先进研究堆(CARR)中子成像装置上的应用案例, 重点介绍了国内外中子成像技术在储氢材料、燃料电池、岩石、核燃料元件、古代文物等领域的典型应用。随着中子成像技术的不断发展和广泛应用,有望为我国更多领域研究提供更强有力的技术支撑。