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111.
IntroductionDuetotheintrinsicelectro_mechanicalcouplingbehavior,piezoelectricmaterialsareveryusefulinelectronicdevices.However,mostpiezoelectricmaterialsarebrittlesuchasceramicsandcrystals.Therefore ,piezoelectricmaterialshaveatendencytodevelopcriticalcracksduringthemanufacturingandthepolingprocesses.So ,itisimportanttostudytheelectro_elasticinteractionandfracturebehaviorsofpiezoelectricmaterials.Theincreasingattentiontothestudyofcrackproblemsinpiezoelectricmaterialshasledtoalotofsignificantw…  相似文献   
112.
IntroductionCompositematerialconsistingofapiezoelectricphaseandapiezomagneticphasehasdrawnsignificantinterestinrecentyears,duetotherapiddevelopmentinadaptivematerialsystems .Itshowsaremarkablylargemagnetoelectriccoefficient,thecouplingcoefficientbetweenst…  相似文献   
113.
采用Schmidt方法分析了在简谐反平面剪切波作用下,两个半空间夹层压电材料中的共线裂纹的动力学行为.压电材料层内裂纹垂直于界面,电边界条件假设为可导通.通过Fourier变换,使问题的求解转换为两对三重积分对偶方程.通过数值计算,给出了裂纹的几何尺寸、压电材料常数、入射波频率等对于应力强度因子的影响.结果表明,在不同的入射波频率范围,动力场将阻碍或促使压电材料内裂纹的扩展.与不可导通电边界条件相比,导通裂纹表面的电位移强度因子比不可导通裂纹的电位移强度因子要小许多.  相似文献   
114.
压电材料中两平行不相等界面裂纹的动态特性研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用Schmidt方法,研究了压电材料中两个平行不相等的可导通界面裂纹对简谐反平面剪切波的散射问题.利用Fourier变换,使问题的求解转换为对两对以裂纹面张开位移为未知变量的对偶积分方程的求解.数值计算结果表明,动态应力强度因子及电位移强度因子受裂纹的几何参数、入射波频率的影响.在特殊情况下,与已有结果进行了比较分析.同时,电位移强度因子远小于不可导通电边界条件下相应问题的结果.  相似文献   
115.
自倍频晶体是将激光和非线性光学效应集于一体的一类晶体,可以实现波长变换、调幅、开关、记忆等功能,被广泛应用于光电子、光通信、激光等领域。然而现有的Nd∶LiNbO3(Nd∶LN)、Nd∶Na3La9O3(BO3)8(Nd∶NLBO)、Nd∶La2CaB10O19(Nd∶LCB)等晶体由于固有的光折变效应、二次谐波(SHG)输出功率低、光学均匀性差等缺点限制了其进一步的应用,发展新的激光自倍频晶体具有重要的意义和价值。碳酸钙镁石家族硼酸盐晶体由于具有较大的非线性光学(NLO)系数、不易潮解、优异的光学性能和机械性能等优点,近几十年来成为人们重点研究的对象。本文从晶体结构、生长方法、性能、发展趋势等方面,着重介绍了碳酸钙镁石家族REM3(BO3)4(RE为稀土元素La-Lu和Y;M为Al,Ga,Sc)和LaxREyScz(BO3)4(RE=Gd,Y,Nd,Lu,Sm,Tb;x+y+z=3)共取代型硼酸盐非线性光学晶体。对比了不同助熔剂、气氛、方法生长的晶体的紫外(UV)截止边、光学性能、非线性性能的差异。通过改善生长工艺,进行元素掺杂等可以得到光学性能良好、非线性性能显著、有广泛市场应用前景的自倍频(SFD)晶体。  相似文献   
116.
一氧化碳是一种无色、无味、有毒、易燃的危险气体,且低浓度的该气体可以使人中毒、窒息、危及生命。因此研制一种能够检测一氧化碳气体浓度的检测仪意义重大,尤其在环境复杂(湿度和粉尘浓度都很大)的矿井下。本文所述的是一种紧凑型检测仪器,其能够灵敏、快速、连续地监测环境空气中痕量一氧化碳气体浓度。该仪器采用激发波长为4.8μm的中红外量子级联激光器(QCL)和红外碲镉汞探测器的最新半导体技术,结合中红外光程长度为76m的多次反射herriott吸收气室,可以在4s的采样时间内实现40nmol·mol-1气体检测灵敏度。同时,该仪器利用差分吸收光谱检测原理,设计了双光路双通道空间光学结构,消除了电调制光源所带来的不稳定性,有效地提高了仪器浓度检测下限。实验表明,该仪器通过所集成的气体浓度反演算法,能够在无需校准的情况下,可以用于环境监测中的实地痕量气体测量,并且操作人员可以通过替换在不同波长下运行的QCL来测量其他气体。  相似文献   
117.
The scattering problem of anti-plane shear waves in a functionally graded material strip with an off-center crack is investigated by use of Schmidt method. The crack is vertically to the edge of the strip. By using the Fourier transform, the problem can be solved with the help of a pair of dual integral equations that the unknown variable is the jump of the displacement across the crack surfaces. To solve the dual integral equations, the jump of the displacement across the crack surfaces was expanded in a series of Jacobi polynomials. Numerical examples were provided to show the effects of the parameter describing the functionally graded materials, the position of the crack and the frequency of the incident waves upon the stress intensity factors of the crack.  相似文献   
118.
IntroductionIn the fracture mechanics studies for piezoelectric materials,differently electricboundary conditions at the crack surfaces have been proposed by many researchers.Forexample,for the sake of analytical simplification,the assumption that the cra…  相似文献   
119.
The dynamic interaction of two collinear interface cracks between two dissimilar functionally graded piezoelectric/piezomagnetic material strips subjected to the anti-plane shear harmonic stress waves was investigated. By using the Fourier transform, the problem can be solved with the help of a pair of triple integral equations in which the unknown variable is jump of displacement across the crack surfaces. These equations are solved using the Schmidt method. Numerical examples are provided to show the effect of the functionally graded parameter, the circular frequency of the incident waves and the thickness of the strip upon stress, electric displacement and magnetic flux intensity factors of cracks.  相似文献   
120.
Ferroelectric domain switching under low voltage or short pulses is of interest for the development of high-density random access memory (FRAM) devices. Being necessarily very small in size, instability and back switching often occur when the external voltage is removed, which creates serious problems. In this investigation, a general approach to determine the minimum size of ferroelectric domain to avoid back switching was developed, and as an example, a 180°domain in a ferroelectric thin film covered by the upper and lower electrodes was considered in detail. We note that our approach is generally applicable to many other fields, including phase transformation, nucleation and expansion of dislocation loops in thin films, etc.  相似文献   
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