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71.
Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures
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By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related. 相似文献
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本文提出一种基于第四类Chebyshev小波配置法,求解了一类具有弱奇异核的偏积分微分方程数值解.利用第四类移位Chebyshev多项式,在Riemann-Liouville分数阶积分意义下,导出Chebyshev的分数次积分公式.通过利用分数次积分公式和二维的第四类Chebyshev小波结合配置法,将具有弱奇异核的偏积分微分方程转化为代数方程组求解.给出了第四类Chebyshev小波的收敛性分析.数值例子证明了本文方法的有效性. 相似文献
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本文研究了30K温区和工频下81芯Bi2223/Ag带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗,临界电流是用SQUID磁化法和标准四引法测量;交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量,结果发现交流损耗随背场的增加而增大,同时与频率的关系是非线性的,并且偏离基于Bean模型所预言的结果;表明30K温区多芯带材Ag基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。 相似文献
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利用李代数■的整数阶化,我们研究了一大批共形约化WZNW模型的方案Cons[■(H,d)]。在正规约束的条件下,构造了W代数W[■(H,d)]的基——约束Kac-Moody流的O'Raifeartaigh规范,并导出了相应于每个W代数的广义Toda类可积模型的运动方程。 相似文献
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从80年代中期开始,在许多聚变装置上观察到了用弹丸注入改善的等离子体能量约束。在JET和一些大型托卡马克上实现了弹丸增强约束模(PEP)。PEP模的机制也已在理论上做了分析。分析表明,有多种机制在减小反常输运中起作用,而这些机制的作用依赖于实验的条件。本文将报道在HL-2A装置上无辅助加热条件下的弹丸加料实验结果。该工作的着重点是研究在中心加料欧姆放电中的电子热输运。 相似文献
80.
在Asmussen,Foss and Korshunov(J.Theoretical Probab.,2003,16(2):489-518)的基础上,讨论了支撑在(-∞,∞)上的不同分布的卷积的封闭性及带上述不同分布增量的局部渐近性.上述分布包括了常见的轻尾分布和重尾分布. 相似文献