氩离子原子过程参数的系统计算与评估：I 电子碰撞激发

 利用准相对论扭曲波玻恩近似加交换方法，在组态平均近似下，系统地计算了类氢、类氦、类锂氩离子n≤6的各组态之间的碰撞激发过程截面，并和已有的理论结果进行了详细的对比分析。计算结果和相对论扭曲波近似的计算结果符合得很好，相对偏差一般都小于10%。由于没有考虑共振效应，计算的结果与强耦合方法的计算结果在入射电子能量较低的情况下有较大偏差，其他情况则符合较好，相对偏差一般在15%以内。该方法可以方便地计算大量应用所需的原子过程参数。     

不同形状孔缝微波耦合的实验研究

 探讨了椭圆、圆环、方环、十字交叉形、圆形、正方形、正三角形及双矩形孔缝在2～18GHz频率范围内的耦合系数，并与矩形孔缝的耦合特性进行了比较。结果表明: 各种不同形状孔缝微波耦合的共振特性与其纵横比有关, 纵横比较大的孔缝耦合共振现象比较明显，纵横比较小的孔缝耦合特性趋于高通；各种孔缝的共振频率与孔缝长度有密切关系。     

微波孔缝线性耦合函数研究

 讨论了微波脉冲通过孔缝线性耦合进入腔体内的研究方法。给出了线性耦合的物理基础,定义了耦合函数，并导出了耦合函数随入射电场极化方向变化的公式。简要描述了数值求解孔缝线性耦合的时域有限差分方法以及修正算法。给出了以矢量网络分析仪HP8510C为主要设备测量耦合函数的实验方法。通过耦合函数的研究，观察到了共振效应和增强效应等现象，给出了微波孔缝耦合发生共振的普适公式。分析了测量探头对耦合函数测量的影响，验证了耦合函数随入射电场方向变化的公式。理论、数值和实验结果符合得较好。     

重粒子碰撞过程理论研究

应用全量子的分子轨道强耦合方法和经典径迹蒙特卡罗方法计算从低能到高能的离子与原子和分子碰撞反应截面和速率系数。在分子轨道强耦合计算中，采用从头计算法得到的绝热分子势能面和径向、转动耦合矩阵元，经过幺正变换后，求解强耦合方程组。本以Si^3 离子与氢原子碰撞过程为例，计算了重粒子碰撞过程中发生的电荷转移、碰撞电离和碰撞激发截面和速率系数，并与现存的理论结果和实验测量进行了对比。     

Bi^80＋辐射复合过程的多极计算

基于Dirac—Slater自洽场方法，中计算了Bi^79 离子从低能到高能的光电离截面；研究了半经典类氢近似Kramer公式的适用性；考察了多极效应、相对论效应在不同能区对光电离截面的影响；计算了Bi^80 离子在电离闲值附近的辐射复合截面和辐射复合速率系数，并将计算结果同高精度的储存环合并束实验结果进行了对比。     

Bi80+辐射复合过程的计算

基于Dirac-Slater自洽场方法，计算了Bi⁷⁹⁺离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi⁸⁰⁺的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性；考察了多极效应 、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响；计算了Bi⁸⁰⁺离子在电离阈值附近 的辐射 复合截面和辐射复合速率系数，考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影 响，并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比. 关键词： 多极计算 辐射复合 光电离     

单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜（SEM）及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。     

计算电磁学研究中的V&V方法概述

随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(VV)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的VV研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的VV工作,讨论了VV研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。     

不同频率高功率微波辐照下PCB电路的混合模拟

采用一个混合模拟方法研究计算了不同频率高功率微波(HPM)辐照下含有PIN限幅器的PCB电路上的耦合信号。该混合模拟方法基于瞬态电磁拓扑和器件/电路混合模拟技术,实现了场、路、器件的混合模拟,能够模拟计算出HPM辐照下屏蔽腔内PCB电路上的耦合信号。用该方法研究计算了频率分别为1,1.25和2.5 GHz的HPM在PCB电路上的耦合信号。计算结果表明:当PCB电路无屏蔽腔时,1 GHz HPM的耦合信号最大,而PCB电路有屏蔽腔时,2.5 GHz HPM的耦合信号最大;PIN限幅器在耦合信号较大时具有较好的抑制作用。     

光谱诊断与特征谱线输运

利用经过评估的原子过程参数,研究发现惯性约束聚变等离子体的特征发射光谱的共振线强度比值、伴线与共振线强度比值时等离子体温度变化很敏感,而特征谱线的线形函数对等离子体密度变化较敏感.结合特征谱线的一维输运方程研究,分析了中国工程物理研究院最近几年惯性约束聚变的内爆实验测量结果,得到了一些发次对应的等离子体温度和密度状态.