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用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质.样品原始载流子浓度为2.63X10~18cm-3.形变量分别为2.5%,5%,7.5%,10%和15%.室温正电子寿命测量结果显示,形变样品中有新的空位型缺陷产生,鉴定为空位团.根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断:在P型GaAs中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正.正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态.浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷. 相似文献
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用正电子谱学研究了高分子材料聚苯乙烯和聚氯乙烯压力弛豫过程中微观结构的变化,测量了聚苯乙烯及聚氯乙烯在加压力后的样品中正电子寿命随弛豫时间的变化。并讨论了正电子辐射效应和实验方法对实验结果的影响。 相似文献
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相对论原理在研究基本粒子的运动规律中起着十分重要的作用.它不仅要研究相对论性粒子的运动,还要研究诸如粒子的产生、衰变和湮没等问题.此外,相对论运动学在粒子物理中的应用还有其方法上的特殊性.近几年的CUSPEA试题中也常有这类考题.以下就有关基础知识,如基本变换公式、质心坐标系、粒子产生阈能、弹性散射运动学及粒子衰变等作一扼要叙述,并举例以明之.1 基本变换公式 对能量为E,动量为P,静止质量为m的粒子,下述关系式成立 E2=m2c4 p2c4粒子物理中常取光速c=1为单位,则有 E2=m2 p2这里已取c=1,故公式中所用到的质量或动量均以MeV… 相似文献
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4.弹性散射运动学 在一粒子与另一粒子的碰撞中,若只有动能的交换,粒子内部状态并无改变,则称此过程为弹性碰撞或弹性散射. 设质量为m1,动量为p的相对论性粒子沿x方向射向起始静止、质量为m2的靶粒子.碰撞后,入射粒子偏离x方向发生散射,靶粒子则发生反冲(参见图2).称入射粒子散射后的运动方向与入射方向间的夹角θ1为散射角,并称靶粒子反冲方向与入射方向间的夹角θ2为反冲角.设散射后粒子m1的动能和动量分别为T1和p1,粒子m的动能和动量则分别为T2和p2由能量守恒很容易得出,弹性散射过程中动能守恒.即 T=T1 T2(13)式中T为入射粒子的动能.… 相似文献
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用正电子湮没谱学研究了水热处理时间及温度对NH4NaY沸石的影响.测量了NH4 NaY 沸石分子筛在700 ℃经不同的水热处理时间(0.25 ~4 h)和在不同温度(300 ~800 ℃)下水热处理1 h 后的正电子寿命谱,所有谱中都出现了5 个寿命分量,其第中5 寿命及其强度与生成二次孔的大小和数量相关.实验表明在一定温度范围内NH4NaY 沸石经水热处理后都能产生二次孔,其中水热处理温度为650 ℃处理时间为1 h 所产生的二次孔不仅数量最多而且孔直径最大. 相似文献
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Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用离子交换方法,在Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为5%和15%的cdse纳米团簇;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实,该制备过程是成功可行的,并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料.采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的Cdse粉末样品进行测量,得到了有关团簇生长过程及其微结构的有用信息. 相似文献
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简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-V族化合物半导体缺陷的最新进展.包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等,研究表明.在原生半导体材料中存在各种缺陷.经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子、使载流子发生饱和. 相似文献
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用正电子湮没谱学研究了机械混合CuCl2与NaY中CuCl2在NaY沸石中的扩散.分别测量了不同质量比的CuCl2-NaY(0~0.03)沸石分子筛经140℃烘烤1h;CuCl2-NaY(0~0.05)经450℃烘烤4h;CuCl2-NaY(0.01)经不同温度烘烤1h以及经300℃下烘烤烘不同时间后的正电子寿命谱.所有谱中都出现了5(或4)个寿命分量,其第3,4,5寿命分量分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空间的大小和数量相关.实验表明,正电子湮没谱学可敏感地探测出少量CuCl2在NaY沸石中的扩散变化.而对于只含少量氯化铜(0.01)的情况,虽经高温长时间烘烤,但仍有相当数量的氯化铜存在于NaY外表面. 相似文献