关于圆的一个命题在椭圆中的推广

郭璋老师在<数学通报>2009年第3期数学问题与解答专栏中用综合法证明了如下一个关于圆的命题(问题1776):⊙O中,AB,CD是互相垂直的直径,点F1在AO上, 延长OB到F2,使OF1=BF2,直线CF1交⊙O于E1,AE1的延长线交CD的延长线于M1,CF2交⊙O于E2,AE2交CD于M2.     

基于统计特征和显著度的光谱信号提取算法

各类光谱信号都会受到噪声和基线畸变的影响,在提取光谱信号过程中若不考虑基线畸变和噪声的影响,将会严重影响信号提取的精度和准确性,所以需要在信号提取前消除噪声和基线畸变的影响.大多数信号提取算法的步骤是先提取整体基线,再提取信号,这样难以保证基线的提取精度.为了降低信号提取过程中背景噪声、基线畸变等不利因素的影响,根据信...     

基于巯基乙酸与离子液体共修饰的过氧化氢生物传感器的研究

采用静电组装技术,将离子液体[Bmim]PF6与辣根过氧化物酶(HRP)交替固定在巯基乙酸修饰的金电极表面,制备了(HRP/[Bmim]PF6)n多层组装膜,并通过电化学阻抗谱(EIS)和傅立叶红外反射光谱(ATR-FTIR)对制备的组装膜进行了表征.以对苯二酚为电子媒介体,过氧化氢在(HRP/[Bmim]PF6)2双层组装膜传感器上的线性范围为1.6×10-6 ～2.5×10-3 mol/L,检出限为5.7×10-7 mol/L(S/N=3),达到95%稳态电流用时少于5 s,Kappm值为0.048 mmol/L,表明所固定的酶具有较高的生物活性.     

聚四氟蜡和二硫化钼填充凯夫拉纤维织物复合材料的摩擦磨损性能研究

采用玄武三号栓-盘式摩擦磨损试验机研究凯夫拉(Kevlar)纤维织物材料及聚四氟蜡(PFW)和MoS2填充Kevlar纤维织物复合材料的摩擦磨损性能,采用扫描电子显微镜观察其磨损表面形貌.结果表明,PFW和MoS2均可以改善Kevlar纤维织物材料的摩擦磨损性能,其中PFW的改善效果尤为显著.当PFW质量分数为20%时,Kevlar纤维织物复合材料的摩擦系数减小75%、磨损率降低82%,Kevlar纤维织物复合材料的减摩抗磨性能最佳.     

基于银纳米链的马赫-曾德干涉仪结构的生物传感器

优化了一种基于表面等离激元银纳米链的马赫-曾德干涉式传感结构.该结构由参考臂、传感臂及纳米线波导构成.纳米线波导由银纳米线包裹一定厚度的硅来构成.引入两条银纳米链分别作为马赫-曾德干涉仪的参考臂和传感臂,并研究所设计结构的传输特性,通过降低传输损耗以提高所设计结构的精确度与灵敏度.相比于两条完全相同的银纳米线作为参考臂和传感臂的情况,在参考臂和传感臂改为银纳米链后,传输特性有明显提高,单位长度损耗明显降低.这是由于银纳米链中的单元结构之间的长程/库仑相互作用增强了结构中的电磁场,进而降低了传输损耗.将两条银纳米链的晶格常数设置为不同的情况,研究发现,在特定的银包硅纳米线的宽度与某些占空比下,含有非对称的银纳米链结构的单位传输损耗小于含有对称的银纳米链结构.由此可以知道,具有小损耗的银纳米颗粒链可以弥补大损耗的银纳米颗粒链的传输损失.利用这个特点,进一步优化设计结构,将一侧银纳米链改为纳米线.改变另一侧银纳米链的晶格常数与占空比,可以发现大多数情况下,这类结构传输特性优于含有两条银纳米链以及含有两条银纳米线的结构.本文的设计结构可以大幅减小传统的马赫-曾德干涉仪的传输损耗,且在结构的制备...     

二端面转轴相对转动非线性动力学系统的主共振与次共振解

本文研究在简谐激励力作用下二端面弹性转轴相对转动的主共振、超谐波共振和亚谐波共振.用平均法研究了系统的主共振,得到了系统的渐进稳态周期解,采用多尺度法求得了系统的3次超谐波共振解和1/3次亚谐波共振解.     

微型扬声器振动系统阻尼频率特性研究

受材料黏弹性的影响,微型扬声器振动系统的力阻与频率有关。通过理论推导建立了力阻与频率之间的模型,得到了微型扬声器振动系统力阻的计算公式,利用激光测振法测量得到的微型扬声器阻抗曲线和位移曲线可以方便地得到微型扬声器振动系统力阻频率响应,表明了其随频率增加而减小的频率特性。实验表明,采用该频率相关力阻模型计算阻抗曲线、位移曲线和频率响应曲线,与测量值吻合很好,明显好于传统频率非相关力阻模型所得曲线。     

A Comparison of GaN Epilayers with Multiple Buffer Layers and with a Single Buffer Layer Grown on Si（111） Studied by HRXRD and RBS/Channeling

Two hexagonal GaN epilayers （samples A and B） with multiple buffer layers and single buffer layer are grown on Si （111） by metal-organic vapour phase epitaxy （MOVPE）. From the results of Rutherford backscattering （RBS）/channeling and high resolution x-ray diffraction （HRXRD）, we obtain the lattice constant （a and c） of two GaN epilayers （aA = 0.3190 nm, cA = 0.5184 nm and aB = 0.3192 nm, CB = 0.5179 nm）, the crystal quality of two GaN epilayers （ ХminA=4.87%, ХminB =7.35% along 〈1-↑213〉 axis） and the tetragonal distortion eT of the two samples along depth （sample A is nearly fully relaxed, sample B is not relaxed enough）. Comparing the results with the two samples, it is indicated that sample A with multiple buffer layers have better crystal quality than sample B with a single buffer layer, and it is a good way to grow GaN epilayer on Si （111） substrates using multiple buffer layers to improve crystal quality and to reduce lattice mismatch.     

蓄冷器丝网填料的空隙率的估算方法探讨

首先简要介绍一下目前蓄冷器采用的丝网材料的性能、现状、要求。由于其空隙率对制冷机的性能有很大的影响,以及在进行制冷机设计计算与性能模拟中,丝网材料的空隙率也是一个很重要的参数,文中针对目前存在的多种丝网空隙率的估算方法进行统计分析,并根据较精确的实测结果来对比,得出结论:在蓄冷器进行设计计算以及性能模拟时,可以选择文中的公式(4)对空隙率进行较好的估算。