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21.
Measurement and Analysis of Composition and Depth Profile of H in Amorphous Si1-xCx:H Films
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Composition in amorphous Si1-xCx:H heteroepitaxial thin films on Si (100) by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) is analysed. The unknown x (0.45-3.57) and the depth profile of hydrogen in the thin films are characterized by Rutherford backscattering spectrum (RBS), resonance-nuclear reaction analysis (R-NRA) and elastic recoil detection (ERD), respectively. In addition, the depth profile of hydrogen in the unannealed thin films is compared to that of the annealed thin films with rapid thermal annealing (RTA) or laser spike annealing (LSA) in nitrogen atmosphere. The results indicate that the stoichiometric amorphous SiC can be produced by PECVD when the ratio of CH4/SiH4 is approximately equal to 25. The content of hydrogen decreases suddenly from 35% to 1% after 1150℃ annealing. RTA can reduce hydrogen in SiC films effectively than LSA. 相似文献
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23.
通过Suzuki偶联反应和傅克酰基化反应制得了一系列新型的以共轭荧光分子噻吩-苯-噻吩为连接链的双子表面活性剂,利用季铵化反应在共轭链的两侧修饰亲水单元,合成了新型的具有不同疏水链长的季铵盐型双子表面活性剂(m-TBT-m),其结构和性能经UV-Vis, FL和1H NMR表征。结果表明:8-TBT-8、 10-TBT-10、 12-TBT-12、 14-TBT-14及16-TBT-16的临界胶束浓度(CMC)分别为1×10-6 mol·L-1、 4×10-6 mol·L-1、 1×10-5 mol·L-1、 2×10-5mol·L-1和4×10-5 mol·L-1。 相似文献
24.
采用Tb4O7作为扩散源对N50磁体进行晶界扩散处理,平行于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.83 kOe,达到22.74 kOe,垂直于取向的面扩散后磁体的Hcj增加了8.86 kOe,达到22.77 kOe。通过对磁体的不同位置的Hcj进行分析,在距表层500~750μm处获得最大Hcj为26.77kOe。对磁体的Tb,Nd和O元素的分布进行分析,发现在表层有较高的O富集,进一步分析发现磁体中的O含量对磁体的微观结构,磁体性能和热稳定性产生了影响,得出控制磁体的O含量是取得晶界扩散良好效果的关键因素。 相似文献
25.
为了准确计算稠密等离子体电离平衡,在理想Saha方程的基础上,加入了压致电离理论和德拜理论相结合的修正。此电离模型可以描述稠密等离子体内电离机制随着密度的增加由热电离转变为压致电离的现象。压致电离理论结合德拜理论修正的 Saha 方程的计算结果与其它电离模型结果作了对比和分析。电离气体区域采用完全电离等离子体模型计算电子弛豫时间,而在凝聚态区域采用电子平均自由程计算电子弛豫时间。提出了将两个区域平滑连接起来的公式,从而建立了一种可以计算从理想等离子体态到凝聚态物质的半经验电导率模型,半经验模型计算结果与实验数据作了对比。 相似文献
26.
采用Cartesian绝对坐标建模方法,完整约束多体系统运动方程是指标3的微分--代数方程(differentialalgebraic equations,DAEs),数值求解指标3的DAEs属于高指标问题,通过对位置约束方程求导,可使运动方程的指标降为2.位置约束方程求导得到的是速度约束方程.直接求解指标3的运动方程,速度约束方程得不到满足,而且高指标DAEs的数值求解存在一些问题.论文首先采用HHT(Hilber--Hughes--Taylor)直接积分方法求解降指标得到的指标2运动方程,此时速度约束方程参与离散计算,从机器精度上讲速度约束自然得到满足,而位置约束方程没有参与计算,存在“违约”.针对违约问题,采用基于Moore--Penrose广义逆理论的违约校正方法,消除位置约束方程的违约.指标2运动方程HHT方法违约校正,将HHT方法和违约校正方法很好地结合,在数值求解指标2运动方程的过程中,位置约束方程和速度约束方程都不存在违约问题,而且新方法没有引入新的未知数向量,离散得到的非线性方程组的方程数量与原指标2运动方程的方程数量相同,求解规模没有扩大.新方法的实用和有效性通过算例的数值实验得到验证,数值实验也说明新方法保持了HHT方法本身具有的数值阻尼可以控制和二阶精度的特性.最后从非线性方程组的求解规模和计算速度上与其他方法进行了比较分析,说明新方法的优势所在. 相似文献
27.
真菌在各种氧化酶的作用下能将苯环类化合物转化降解,但转化降解过程中诱发的高活性酶的应用仍未见报道。本文研究海洋真菌Pseudallescheria boydii和Trichoderma erinaceum在添加苯和甲苯的培养条件下,诱导黄烷酮向4'-羟基黄烷酮的转化。结果表明,2种真菌对苯和甲苯有强耐受力,其降解过程中诱导的氧化酶对黄烷酮的羟基化具有高度的区域选择性,即发生4'-羟基化反应,而且转化率最高可达到82%,在酶促进的反应领域具有潜在的应用价值。 相似文献
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Structures of polyimide (6051) films modified by irradiation of 2.0 MeV Si ions with different fluences are studied in detail. Variations of the functional groups in polyimide are investigated by attenuated total reflection Fourier transform infrared spectroscopy (ATR-FTIR) and Raman spectroscopy. The results indicate that the functional groups can be destroyed gradually with the increasing ion fluenee. The variations of structure and element contents are characterized by x-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and x- ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicate that the contents of N and O decrease significantly compared with the original samples, some graphite-like and carbon-rich phases are formed in the process of irradiation. 相似文献
30.
Depth Dependence of Tetragonal Distortion of a ZnO/Mg0.1Zn0.90/ZnO Heterostructure Studied by Rutherford Backscattering/Channeling
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Rutherford backscattering and channeling are used to characterize the structure of a ZnO/Mg0.1Zn0.90/ZnO heterostructare grown on a sapphire (0001) substrate by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy. The results show that the Mg0.1Zn0.90 layer has the same hexagonal wurtzite structure as the underlying ZnO layer, and the heterostructure has a good crystalline quality with xmin = 5%, which is the ratio of the backscattering yields of aligned and random spectra in the near-surface region. Using the channeling angular scan around an off-normal (1213) axis in the {1010} plane of both ZnO and MgZnO layer, the tetragonal distortion εT, which is caused by the elastic strain in the epilayer, is determined. The depth dependence of εT is obtained by using this technique. It can clearly be seen that the elastic strain rapidly decreases with the increase in thickness of the ZnO film in the early growth stage and becomes slightly larger in the region of the Mg0.1Zn0.9O layer. 相似文献