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为解决电磁热耦合应变作用导致的工程上Nb3Sn基CICC(Cable-in-Conduit Conductor)导体设计中存在的复杂性问题,研究和构建了综合应变作用效果计算模型,形成关于股线根数和股线直径的导体结构模拟设计方法;考虑电磁载荷周期对接触电阻和空隙率量化作用,以及它对CICC导体AC损耗和稳定运行的影响,基于子缆根数的结构稳定性和AC损耗最小化约束要求,建立包含多变量的导体设计数学规划方法,获得导体结构优化设计模型,通过计算分析得到符合工程要求相对合理的导体结构。并将设计获得的CICC导体,与CFETR(China Fusion Engineering Testing Reactor)工程设计进行了比较和分析,结果显示二者吻合较好。 相似文献
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利用原位还原法成功制备了尺寸均一、超薄完整金壳包覆的NaYF4:Yb,Er@SiO2@Au(NSA)纳米结构,其XRD、TEM、EDX、HRTEM-HAADF、Mapping及吸收光谱表征结果表明,SiO2壳及纳米金壳的平均厚度分别约为5 nm和2 nm。在980 nm连续激光激发下,系统研究了核壳结构的上转换荧光强度与氯金酸浓度的依赖关系。稳态光谱结果显示,NSA与仅SiO2包覆样品(NS)相比Er3+的红绿荧光强度均增强了~2.8倍。通过分析上转换荧光动力学过程及利用FDTD方法模拟,讨论了表面等离激元增强上转换荧光的机制。 相似文献
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干燥和水饱和花岗岩的动态断裂特性 总被引:4,自引:0,他引:4
利用霍布金森压杆实验研究了干燥和水饱和花岗岩试件的动态应力应变关系。实验得到了干燥和水饱和花岗岩试件的平均动态拉断强度,表明水饱和花岗岩试件和干燥花岗岩试件的抗拉强度与加载速率具有不同的关系。对实验中实测试件层裂片的厚度进行了计算分析,对岩石类介质的动态断裂准则提出了初步见解。 相似文献
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利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2 sub>纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n+-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光.
关键词:
电致发光
纳米双势垒
高斯型发光峰
雪崩击穿 相似文献
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A general and practical procedure for the syntheses of 3,4-di-hydropyrimidine-2(1H)-thiones by a one-pot condensation of aldehyde,β-ketoester or β-diketone and thiourea using La(OTf)3 as the catalyst is described.Mild reaction conditions,excellent yields as well as the environmentally friendly character of La(OTf)3 make it an important alternative to the classic acid-catalyzed Biginelli‘s reaction. 相似文献
39.
基于EAST超导托卡马克实验装置,给出了HALO电流计算方法和计算过程,并通过自由能方法模拟得出了等离子体电流、HALO电流在等离子体破裂过程中随时间的演化过程。 相似文献
40.
为了进一步拓展具有螺二氢茚骨架的亚磷酸酰胺酯、亚磷酸酯、亚膦酸酯等手性螺环单磷配体在不对称反应中的应用范围, 研究了手性螺环单磷配体在铑催化苯乙烯衍生物的氢甲酰化反应中的选择性. 相似文献