考虑有效孔隙比影响的饱和黏性土中注浆渗透机理

考虑强结合水膜对黏性土渗透特性的影响,依据土体物理特征参数建立有效孔隙比计算公式;修正经典的Kozeny-Carman渗透系数的经验公式,得到适用于黏性土的渗透系数经验计算公式;在此基础上,推导黏性土层中黏度时变性浆液注浆柱面和球面渗透扩散半径和渗透压力的计算公式.通过算例,验证了提出的黏性土渗透系数经验公式的正确性,并对比分析了不同注浆压力、注浆时间条件下是否采用有效孔隙比、是否考虑浆液黏度时变性对浆液扩散半径的影响.计算结果表明:采用天然孔隙比的扩散半径是采用有效孔隙比的扩散半径的约1.5倍,且两者的差距随注浆压力的增大、注浆时间的延长而增大;黏性土的渗透特性必须考虑强结合水膜的影响.     

易拉罐形状和尺寸的最优设计

研究易拉罐形状及尺寸的最优设计分析问题.首先,根据实际测量的数据,利用拉格朗日乘子法,验证了市售易拉罐设计尺寸的合理性与实用性.其次,给出了个性化的创新型美观设计方案,力求以节约材料和使用方面的优势征服厂家和消费者.最后,利用辛普生公式近似算法,得到了新造型设计的具体尺寸.     

CSNS LINAC低电平射频控制系统软件设计

低电平射频控制系统主要用于对加速腔的高频场和谐振频率的控制,保证加速器的稳定运行并输出高品质的束流.低电平控制系统软件提供可视化操作界面,实现数据显示和存储、自动化算法等功能,提高了低电平系统的可操作性,减少了人工作业量和故障率.软件开发具有灵活性强、开发周期短的特点,适合控制速度要求相对不高而逻辑较为复杂的功能开发....     

Characterizing a proton beam with two different methods in beam halo experiments

In beam halo experiments, it is very important to correctly characterize the RFQ output proton beam. In order to simulate the beam dynamics properly, we must first know the correct initial beam parameters. We have used two different methods, quadrupole scans and multi-wire scanners to determine the transverse phase-space properties of the proton beam. The experimental data were analyzed by fitting to the 3-D nonlinear simulation code IMPACT. For the quadrupole scan method, we found that the RMS beam radius and the measured beam-core profiles agreed very well with the simulations. For the multi-wire scanner method, we choose the case of a matched beam. By fitting the IMPACT simulation results to the measured data, we obtained the Courant-Snyder parameters and the emittance of the beam. The difference between the two methods is about eight percent, which is acceptable in our experiments.     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定中药材中汞和砷

用氢化物发生-原子荧光光谱法测定了产于海南省的5种中药材,即槟榔、益智、砂仁、巴戟天及沉香中汞含量及砷含量.对试样的预处理和消解方法以及仪器的工作条件作了详述,还对各种对测定有影响的因素,包括试样消解所用的酸的种类及其浓度,硼氢化钾的加入浓度,五价砷的预还原和共存金属离子的干扰等也作了研究并予以优化选择.方法的检出限分别为1.5 ng·g-1(汞)和7.0 ng·g-1(砷).在对5种药材的实样进行分析的基础上作了回收率试验,所得结果为90%～93%(汞)和90%～91%(砷).     

考虑形位公差的薄壁筒壳折减因子预测方法研究

缺陷敏感性是薄壁筒壳结构设计所面临的主要问题之一,通常利用折减因子来量化筒壳结构的缺陷敏感性程度。然而现有缺陷敏感性分析方法大多以预测筒壳折减因子下限为目的,未考虑不同形位公差水平对筒壳折减因子的影响。针对此问题,本文提出了一种考虑形位公差的薄壁筒壳折减因子预测方法。该方法基于多点最不利扰动载荷法进行最不利缺陷搜索,获得筒壳不同形位公差下的折减因子下限值,从而确定考虑形位公差的薄壁筒壳折减因子参考值,并利用不完全折减刚度法对计算过程进行加速。算例结果表明本文提出的筒壳折减因子预测方法可在保证安全可靠的前提下,有效提高折减因子预测精度,消除筒壳结构设计过程中不必要的安全裕度,对结构减重有积极意义。未来可基于本方法展开我国新一代航天结构薄壁筒壳折减因子设计规范的研究工作,进一步提高我国航天筒壳结构设计的精细化和轻量化水平。     

基于广义Beta回归的不良贷款回收率模型

依据国内最大的违约损失率数据库-LossMet rics~(TAI),利用广义beta回归模型对时间跨度为2001-2008年的不良贷款回收率分布进行了研究。采用极大似然和OLS估计方法,针对全样本和回收率为(0.1)开区间的非极端回收样本给出包含宏观、贷款和债务人异质因子的多变量广义beta回归模型的拟合参数和各个因素对回收率均值、方差的影响分析,并在多种变换方式下研究了只含宏观因子的单变量模型。结果表明,宏观因子的影响在单、多变量模型中都十分显著;不良贷款的有效抵质押和债务人的经营状况对模型的拟合也有明显影响;各因素对全样本和非极端回收样本的拟合结果差异性显著,同一因素对回收率均值、方差的影响大为不同。应用所得广义beta回归模型可进一步讨论回收率的区间估计、在险价值(VaR)等问题,给不良贷款风险管理提供极大帮助。     

水热温度对SiC-C/C复合材料表面水热电泳沉积MoSi2抗氧化涂层的影响

采用水热电泳沉积法和固相渗透法在C/C复合材料表面制备了MoSi2/SiC复合抗氧化涂层。分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜和等温静态氧化实验对复合涂层的晶相组成、显微结构和抗氧化性能进行了表征。主要研究了水热电泳沉积温度对MoSi2外涂层显微结构及高温抗氧化性能的影响,重点分析了涂层试样在1500℃和1630℃下的静态氧化行为及失效机理。结果表明:外涂层主要由MoSi2和少量MoO3晶相组成。外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着水热温度的升高而提高。MoSi2/SiC复合涂层具有较好的抗氧化和抗热震能力,在1 500℃下有效保护基体320 h同时经历17次1 500℃与室温之间的热循环后,氧化失重率仅为1.07%;在1630℃下氧化88 h后失重率为2.17%。复合涂层在1 630℃下的氧化失效主要是由于经过长时间氧化后SiO2玻璃膜层不能及时有效填补涂层中的缺陷,涂层试样在热循环过程中产生了贯穿性的孔洞导致的。     

飞秒激光泵浦LaAlO3/SrTiO3异质结产生太赫兹波辐射

自铁磁金属在飞秒激光泵浦下的超快退磁效应发现以来,电子的自旋属性逐渐被应用于太赫兹电磁波的产生.利用逆Rashba-Edelstein效应产生太赫兹辐射首先在Ag/Bi界面得到证实,而LaAlO₃/SrTiO₃界面通过该效应产生直流的自旋-电荷转换效率要高于Ag/Bi界面约一个数量级,但利用该结构转化自旋流来产生太赫兹的有效性尚待系统的研究.本文制备了NiFe/LaAlO₃//SrTiO₃(001)系列样品,在飞秒激光泵浦下观察到了太赫兹辐射的产生及其对磁场方向的依赖效应,并通过改变LaAlO₃层的厚度验证了超扩散模型与光学传输模型的有效性,观察到了在LaAlO₃/SrTiO₃界面由于多次反射导致太赫兹波的减弱,为进一步优化太赫兹波的产生提供了实验和理论支持.     

Impact of symmetric gate-recess length on the DC and RF characteristics of InP HEMTs

We fabricated a set of symmetric gate-recess devices with gate length of 70 nm.We kept the source-to-drain spacing(L_SD)unchanged,and obtained a group of devices with gate-recess length(L_recess)from 0.4μm to 0.8μm through process improvement.In order to suppress the influence of the kink effect,we have done SiN_X passivation treatment.The maximum saturation current density(ID_max)and maximum transconductance(g_m,max)increase as L_recess decreases to 0.4μm.At this time,the device shows ID_max=749.6 mA/mm at V_GS=0.2 V,V_DS=1.5 V,and g_m,max=1111 mS/mm at V_GS=?0.35 V,V_DS=1.5 V.Meanwhile,as L_recess increases,it causes parasitic capacitance C_gd and g_d to decrease,making f_max drastically increases.When L_recess=0.8μm,the device shows f_T=188 GHz and f_max=1112 GHz.