束流负载与束团相位补偿

分析研究了电子储存环上的势阱扰动,分析解给出了各束团同步相移、频移随高次模参数变化的规律.该研究结果可帮助我们优化高频腔的工作模式(通过调节调谐杆的位置来改变高次模的频率)和环上束团的分布,以减小束流负载效应,还可帮助我们利用谐波腔来补偿束团相位的变化.     

下一代直线对撞机失谐结构尾场的精确计算—盘荷波导电磁场的研究

利用变分法研究了周期性盘荷波导中零极模、二极模及更高极模式的电磁场特性.该方法考虑了栏片的圆弧,对真实结构没有做任何近似,是一种高精度方法,计算表明该方法的结果与实验测量值基本符合,与其它程序相比有很高的计算精度.这为下一步精确研究下一代直线对撞机失谐结构的尾场提供了一个很好的方法与工具.     

不同有机离子表面活性剂改性蒙脱土结构与性能比较

分别用阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、阴离子表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)以及二者混合物(CTAB-SDS)的水溶液处理天然蒙脱土。 用红外光谱和X射线衍射比较了它们对蒙脱土结构的影响。 证明CTAB及CTAB-SDS处理蒙脱土的层间距分别由1.5420 nm增大至2.1946和1.8935 nm。 表明CTAB插入蒙脱土层间,且CTAB及CTAB-SDS处理蒙脱土在苯乙烯中分散性能明显提高,对有机物表现出良好的吸附性;而阴离子表面活性剂未进入蒙脱土层间,蒙脱土的结构和性能几乎未变。     

用于质子和伽马射线探测的金刚石薄膜探测器的辐照性能

 研制出CVD金刚石薄膜探测器,在国家串列加速器和⁶⁰Co稳态辐射源上分别完成了该探测器对9 MeV质子束流和1.25 MeV γ射线的辐照性能研究。结果表明:该探测器在9 MeV质子照射累积强度达到10¹³ cm^-2时,探测器信号电荷收集效率减小量低于3.5%,辐照前后探测器暗电流没有明显变化。计算得到9 MeV质子对该探测器的损伤系数为1.3×10^-16 μm^-1·cm²。由于γ射线与金刚石作用产生的电子起到了填补缺陷的作用,探测器信号电荷收集效率随γ射线照射剂量的增加略有增加,在γ射线累积照射量达到10.32 C/kg时,其增幅小于0.7%。说明金刚石薄膜探测器具有较高耐辐照强度,适用于高强度辐射测量领域。     

丹皮酚在石墨烯修饰电极上的电化学行为及应用研究

利用电化学还原法制备了还原氧化石墨烯修饰电极(rGO/GCE).采用循环伏安法研究了丹皮酚在rGO/GCE上的电化学行为.结果表明,rGO/GCE对丹皮酚有较好的电催化活性.考察了缓冲溶液pH值、扫描圈数、富集时间、扫速等对丹皮酚电化学响应的影响,建立了检测丹皮酚的标准曲线.丹皮酚峰电流与丹皮酚浓度在4.0×10-6～...     

盘荷波导栏片圆弧对频率和尾场的影响

利用变分法详尽地研究了X-波段盘荷波导中栏片圆弧对纵向模和横向模的影响,比较了不同栏片形状下加速模和横向模的频率与尾场。研究表明栏片形状对频率的影响较小,但对尾场的影响较大。在圆弧栏片和直边栏片两种情况下,最危险的EH16模的尾场相差超过15%,因此栏片圆弧的作用是不能忽略的。     

双束流激发的纵向尾场与纵向不稳定性的研究

用解析的方法研究了同向和反向运动束流激发的纵向尾场,并且给出了线性近似下束团沿环不均匀分布情形下的双束流纵向多束团不稳定性的计算公式,得出了双束流不稳定性与高频腔(或其它类腔结构)在环上位置及模的对称性有关的结论。